公开(公告)号：US09537298B2

公开(公告)日：2017-01-03

申请号：US14129094

申请日：2012-05-21

Applicant: Paolo D'Abramo ,  Luigi Di Piro

Inventor： Paolo D'Abramo ,  Luigi Di Piro

IPC: G01R31/00 ,  H02H1/00 ,  G01R31/02 ,  G01R31/28 ,  H02H3/28 ,  H02M1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H02H1/003 ,  G01R31/026 ,  G01R31/2818 ,  G09G2230/00 ,  H01L21/00 ,  H02H3/28 ,  H02M1/00

Abstract: An electronic module (100) has a first and a second circuit (200, 300) with respective first and second output connections (230, 330), respective first and second reference potential connections (220, 320), and respective first and second sensing connections (240, 340), each circuit (200, 300) comprising a respective sensing block (250, 350), which at its input side is connected to the respective sensing connection (240, 340) and to the respective reference potential connection (220, 320). The first sensing connection (240) is either connected to the first output connection (230) or to the second output connection (330). The second sensing connection (340) is connected to the second output connection (330). The sensing blocks (250, 350) are configured to detect a failure of the electronic module (100) with respect to its respective reference potential connection (220, 320) and to indicate a detected failure by providing a failure signal at its respective output connection (230, 330).

Abstract translation: 电子模块（100）具有第一和第二电路（200,300），其具有相应的第一和第二输出连接（230,330），相应的第一和第二参考电位连接（220,320）以及相应的第一和第二感测 连接（240,340），每个电路（200,300）包括相应的感测块（250,350），其在其输入侧连接到相应的感测连接（240,340）和相应的参考电位连接 220,320）。 第一感测连接（240）或者连接到第一输出连接（230）或者连接到第二输出连接（330）。 第二感测连接（340）连接到第二输出连接（330）。 感测块（250,350）被配置为相对于其各自的参考电位连接（220,320）检测电子模块（100）的故障，并通过在其各自的输出连接处提供故障信号来指示检测到的故障 （230,330）。

公开(公告)号：US08669805B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US13393832

申请日：2010-08-27

Applicant: Riccardo Serventi ,  Luigi Di Piro ,  Monica Schipani ,  Paolo D'Abramo

Inventor： Riccardo Serventi ,  Luigi Di Piro ,  Monica Schipani ,  Paolo D'Abramo

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K19/00315 ,  H03K19/018557

Abstract: A coupling circuit has a first and a second transistor (P1, P2) of a p-channel field-effect transistor type. A drain terminal of the first transistor (P1) is connected to a signal input (1), source terminals of the first and the second transistor (P1, P2) are commonly connected to a signal output (2), bulk terminals of the first and the second transistor (P1, P2) are commonly connected to a drain terminal of the second transistor (P2), and a gate terminal of the first transistor (P1) is connected to a gate terminal of the second transistor (P2). The coupling circuit further comprises a gate control circuit (10) with a charge pump circuit (110) which is configured to generate a negative potential. The gate control circuit (10) is configured to control a gate voltage at the gate terminals of the first and the second transistor (P1, P2) based on a negative potential.

Abstract translation: 耦合电路具有p沟道场效应晶体管类型的第一和第二晶体管（P1，P2）。 第一晶体管（P1）的漏极端子连接到信号输入端（1），第一和第二晶体管（P1，P2）的源极端子共同连接到信号输出端（2），第一晶体管 并且第二晶体管（P1，P2）共同连接到第二晶体管（P2）的漏极端子，并且第一晶体管（P1）的栅极端子连接到第二晶体管（P2）的栅极端子。 耦合电路还包括具有电荷泵电路（110）的门控制电路（10），其被配置为产生负电位。 栅极控制电路（10）被配置为基于负电位来控制第一和第二晶体管（P1，P2）的栅极端子处的栅极电压。

公开(公告)号：US20150022925A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：US14129094

申请日：2012-05-21

Applicant: Paolo D'Abramo ,  Luigi Di Piro

Inventor： Paolo D'Abramo ,  Luigi Di Piro

IPC: H02H1/00 ,  H02H3/28

CPC classification number: H02H1/003 ,  G01R31/026 ,  G01R31/2818 ,  G09G2230/00 ,  H01L21/00 ,  H02H3/28 ,  H02M1/00

Abstract: An electronic module (100) has a first and a second circuit (200, 300) with respective first and second output connections (230, 330), respective first and second reference potential connections (220, 320), and respective first and second sensing connections (240, 340), each circuit (200, 300) comprising a respective sensing block (250, 350), which at its input side is connected to the respective sensing connection (240, 340) and to the respective reference potential connection (220, 320). The first sensing connection (240) is either connected to the first output connection (230) or to the second output connection (330). The second sensing connection (340) is connected to the second output connection (330). The sensing blocks (250, 350) are configured to detect a failure of the electronic module (100) with respect to its respective reference potential connection (220, 320) and to indicate a detected failure by providing a failure signal at its respective output connection (230, 330).

Abstract translation: 电子模块（100）具有第一和第二电路（200,300），其具有相应的第一和第二输出连接（230,330），相应的第一和第二参考电位连接（220,320）以及相应的第一和第二感测 连接（240,340），每个电路（200,300）包括相应的感测块（250,350），其在其输入侧连接到相应的感测连接（240,340）和相应的参考电位连接 220,320）。 第一感测连接（240）或者连接到第一输出连接（230）或者连接到第二输出连接（330）。 第二感测连接（340）连接到第二输出连接（330）。 感测块（250,350）被配置为相对于其各自的参考电位连接（220,320）检测电子模块（100）的故障，并通过在其各自的输出连接处提供故障信号来指示检测到的故障 （230,330）。

公开(公告)号：US20120229175A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13393832

申请日：2010-08-27

Applicant: Riccardo Serventi ,  Luigi Di Piro ,  Monica Schipani ,  Paolo D'Abramo

Inventor： Riccardo Serventi ,  Luigi Di Piro ,  Monica Schipani ,  Paolo D'Abramo

IPC: H03K3/00 ,  G05F1/10

CPC classification number: H03K19/00315 ,  H03K19/018557

Abstract: A coupling circuit has a first and a second transistor (P1, P2) of a p-channel field-effect transistor type. A drain terminal of the first transistor (P1) is connected to a signal input (1), source terminals of the first and the second transistor (P1, P2) are commonly connected to a signal output (2), bulk terminals of the first and the second transistor (P1, P2) are commonly connected to a drain terminal of the second transistor (P2), and a gate terminal of the first transistor (P1) is connected to a gate terminal of the second transistor (P2). The coupling circuit further comprises a gate control circuit (10) with a charge pump circuit (110) which is configured to generate a negative potential. The gate control circuit (10) is configured to control a gate voltage at the gate terminals of the first and the second transistor (P1, P2) based on a negative potential.

Abstract translation: 耦合电路具有p沟道场效应晶体管类型的第一和第二晶体管（P1，P2）。 第一晶体管（P1）的漏极端子连接到信号输入端（1），第一和第二晶体管（P1，P2）的源极端子共同连接到信号输出端（2），第一晶体管 并且第二晶体管（P1，P2）共同连接到第二晶体管（P2）的漏极端子，并且第一晶体管（P1）的栅极端子连接到第二晶体管（P2）的栅极端子。 耦合电路还包括具有电荷泵电路（110）的门控制电路（10），其被配置为产生负电位。 栅极控制电路（10）被配置为基于负电位来控制第一和第二晶体管（P1，P2）的栅极端子处的栅极电压。