公开(公告)号：US5237633A

公开(公告)日：1993-08-17

申请号：US791708

申请日：1991-11-14

申请人： Craig A. Gaw ,  Paige M. Holm ,  Kwong-Han H. Leung ,  George W. Rhyne ,  Daniel L. Rode

发明人： Craig A. Gaw ,  Paige M. Holm ,  Kwong-Han H. Leung ,  George W. Rhyne ,  Daniel L. Rode

IPC分类号： H04B10/12 ,  H05B33/08

CPC分类号： H05B33/0818 ,  H05B33/0803

摘要： A monolithic optoelectronic integrated circuit having an optical emission portion (18) and a drive portion (11, or 22 and 21). The drive portion is capable of accepting TTL and standard CMOS logic voltage levels. In a first embodiment, the monolithic optoelectronic integrated circuit (10) has a light emitting diode (18) driven by a dual gate FET (11). In a second embodiment, the monolithic optoelectronic integrated circuit (20) has a light emitting diode (18) driven by two FETs (22 and 21). In each embodiment (10 or 20), a gate (13 or 23) of the respective drive circuit accepts the TTL or standard CMOS logic voltage. Further, in each embodiment current limiting is accomplished by coupling a gate with the source of the FET (11 or 22). Thus, the output of the light emitting diode (18, 18) is controlled by an input signal to the drive circuit.

摘要翻译： 具有光发射部分（18）和驱动部分（11或22和21）的单片光电集成电路。 驱动部分能够接受TTL和标准CMOS逻辑电压电平。 在第一实施例中，单片光电集成电路（10）具有由双栅极FET（11）驱动的发光二极管（18）。 在第二实施例中，单片光电集成电路（20）具有由两个FET（22和21）驱动的发光二极管（18）。 在每个实施例（10或20）中，相应驱动电路的栅极（13或23）接受TTL或标准CMOS逻辑电压。 此外，在每个实施例中，通过将栅极与FET（11或22）的源耦合来实现电流限制。 因此，发光二极管（18,18）的输出由驱动电路的输入信号控制。