公开(公告)号：US08734660B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US12194689

申请日：2008-08-20

申请人： Jian Ma ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

发明人： Jian Ma ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

IPC分类号： B44C1/22 ,  B32B7/02 ,  H01L21/461

CPC分类号： B44C1/22 ,  B32B7/02 ,  G03F1/80 ,  H01L21/461 ,  Y10T428/24942

摘要： An imaging structure such as a mask or reticle may be fabricated using a patterning layer on an imaging layer. The patterning layer may have substantially different etch properties than the imaging layer. A first etch process may be selective of the patterning layer with respect to a resist layer. A second etch process may be selective of the imaging layer with respect to the patterning layer.

摘要翻译： 可以使用成像层上的图案化层来制造诸如掩模或掩模版的成像结构。 图案化层可以具有与成像层基本上不同的蚀刻性质。 相对于抗蚀剂层，第一蚀刻工艺可以是图案化层的选择性。 第二蚀刻工艺可以相对于图案化层选择成像层。

公开(公告)号：US07460209B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11092993

申请日：2005-03-28

申请人： Jian Ma ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

发明人： Jian Ma ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

IPC分类号： G03B27/42 ,  G03F1/00

CPC分类号： B44C1/22 ,  B32B7/02 ,  G03F1/80 ,  H01L21/461 ,  Y10T428/24942

摘要： An imaging structure such as a mask or reticle may be fabricated using a patterning layer on an imaging layer. The patterning layer may have substantially different etch properties than the imaging layer. A first etch process may be selective of the patterning layer with respect to a resist layer. A second etch process may be selective of the imaging layer with respect to the patterning layer.

摘要翻译： 可以使用成像层上的图案化层来制造诸如掩模或掩模版的成像结构。 图案化层可以具有与成像层基本上不同的蚀刻性质。 相对于抗蚀剂层，第一蚀刻工艺可以是图案化层的选择性。 相对于图案化层，第二蚀刻工艺可以是成像层的选择性。

公开(公告)号：US20080308527A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12194689

申请日：2008-08-20

申请人： JIAN MA ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

发明人： JIAN MA ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

IPC分类号： B44C1/22 ,  B32B7/02

CPC分类号： B44C1/22 ,  B32B7/02 ,  G03F1/80 ,  H01L21/461 ,  Y10T428/24942

摘要： An imaging structure such as a mask or reticle may be fabricated using a patterning layer on an imaging layer. The patterning layer may have substantially different etch properties than the imaging layer. A first etch process may be selective of the patterning layer with respect to a resist layer. A second etch process may be selective of the imaging layer with respect to the patterning layer.

摘要翻译： 可以使用成像层上的图案化层来制造诸如掩模或掩模版的成像结构。 图案化层可以具有与成像层基本上不同的蚀刻性质。 相对于抗蚀剂层，第一蚀刻工艺可以是图案化层的选择性。 相对于图案化层，第二蚀刻工艺可以是成像层的选择性。

公开(公告)号：US20070231712A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11394014

申请日：2006-03-30

申请人： Song Pang ,  Jeff Farnsworth ,  Kishore Chakravorty ,  Karmen Yung ,  Joas Chavez

发明人： Song Pang ,  Jeff Farnsworth ,  Kishore Chakravorty ,  Karmen Yung ,  Joas Chavez

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/30

摘要： An alternating phase shift mask may be formed using a dry undercut etch. The dry undercut etch reduces problems associated with wet etching of quartz or glass masks. In addition, the use of the dry undercut etch enables image balancing between the zero and pi apertures. This approach is not limited by specific optical proximity corrected design patterns or chromium layer thickness.

摘要翻译： 可以使用干燥底切蚀刻形成交替相移掩模。 干底切蚀刻减少与石英或玻璃掩模的湿蚀刻有关的问题。 此外，使用干底切蚀刻可以实现零和pi孔之间的图像平衡。 该方法不受特定光学邻近校正设计图案或铬层厚度的限制。

公开(公告)号：US20060215135A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11092993

申请日：2005-03-28

申请人： Jian Ma ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

发明人： Jian Ma ,  Phil Freiberger ,  Karmen Yung ,  Frederick Chen ,  Chaoyang Li ,  Steve Mak

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： B44C1/22 ,  B32B7/02 ,  G03F1/80 ,  H01L21/461 ,  Y10T428/24942

摘要： An imaging structure such as a mask or reticle may be fabricated using a patterning layer on an imaging layer. The patterning layer may have substantially different etch properties than the imaging layer. A first etch process may be selective of the patterning layer with respect to a resist layer. A second etch process may be selective of the imaging layer with respect to the patterning layer.

摘要翻译： 可以使用成像层上的图案化层来制造诸如掩模或掩模版的成像结构。 图案化层可以具有与成像层基本上不同的蚀刻性质。 相对于抗蚀剂层，第一蚀刻工艺可以是图案化层的选择性。 相对于图案化层，第二蚀刻工艺可以是成像层的选择性。

公开(公告)号：US20090098469A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US11974249

申请日：2007-10-12

申请人： Kishore K. Chakravorty ,  Sven Henrichs ,  Yi-Ping Liu ,  Henry Yun ,  Brian Irving ,  Alexander Tritchkov ,  Karmen Yung

发明人： Kishore K. Chakravorty ,  Sven Henrichs ,  Yi-Ping Liu ,  Henry Yun ,  Brian Irving ,  Alexander Tritchkov ,  Karmen Yung

IPC分类号： G03F1/00 ,  B44C1/22

CPC分类号： G03F1/30

摘要： Design rules are described for a phase alternating shift mask for minimum chrome width and maximum segment length, where an embodiment employs during a cleaning process of the mask a megasonic power of 50 Watts at 1 MHz, and 30 Watts at 3 MHz. Some embodiments utilize an dry etch Carbon Tetrafluoride and Dioxygen based process. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 描述了用于最小镀铬宽度和最大段长度的相位交替移位掩模的设计规则，其中实施例在掩模的清洁处理期间采用1MHz的50瓦特和3MHz的30瓦特的兆声波功率。 一些实施方案利用干蚀刻碳四氟化物和基于氧的方法。 描述和要求保护其他实施例。