Chrome mask etch
    1.
    发明授权
    Chrome mask etch 失效
    镀铬掩模蚀刻

    公开(公告)号:US4774164A

    公开(公告)日:1988-09-27

    申请号:US34250

    申请日:1987-04-06

    IPC分类号: G03F1/80 G03F7/36 G03C5/00

    CPC分类号: G03F1/80 G03F7/36

    摘要: Patterning a chrome mask with PBS (polybutenesulfone) photoresist is enabled in a plasma reactor by covering the patterned photoresist with a glass layer, planarizing the glass layer, etching the photoresist and then etching the chrome mask. The pattern transferred to the chrome mask is the negative or inverse of the pattern in the photoresist layer.

    摘要翻译: 通过用玻璃层覆盖图案化的光致抗蚀剂,平坦化玻璃层,蚀刻光致抗蚀剂,然后蚀刻铬掩模,在等离子体反应器中使用PBS(聚亚丁基砜)光致抗蚀剂图案化。 转移到铬掩模的图案是光致抗蚀剂层中的图案的负或反向。