公开(公告)号：US5340775A

公开(公告)日：1994-08-23

申请号：US149250

申请日：1993-11-09

申请人： Roy A. Carruthers ,  Fernand J. Dorleans ,  John A. Fitzsimmons ,  Richard Flitsch ,  James A. Jubinsky ,  Gerald R. Larsen ,  Geraldine C. Schwartz ,  Paul J. Tsang ,  Robert W. Zielinski

发明人： Roy A. Carruthers ,  Fernand J. Dorleans ,  John A. Fitzsimmons ,  Richard Flitsch ,  James A. Jubinsky ,  Gerald R. Larsen ,  Geraldine C. Schwartz ,  Paul J. Tsang ,  Robert W. Zielinski

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L27/118 ,  H01L21/465

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L27/118 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S148/055

摘要： A SiCr microfuse, deletable either by electrical voltage pulses or by laser pulses, for rerouting the various components in an integrated circuit, as where redundancy in array structures is implemented, and the method of fabricating same, at any wiring level of the chip, by utilizing a direct resist masking of the SiCr fuse layer to eliminate problems of mask damage and residual metal adjacent the fuse.

摘要翻译： 通过电压脉冲或激光脉冲去除的SiCr微型电动机，用于重新布置集成电路中的各种部件，如实现阵列结构的冗余，以及在芯片的任何接线电平处制造相同的方法，通过 利用SiCr熔丝层的直接抗蚀剂掩模来消除掩模损坏和保险丝附近的残留金属的问题。

公开(公告)号：US5285099A

公开(公告)日：1994-02-08

申请号：US990679

申请日：1992-12-15

申请人： Roy A. Carruthers ,  Fernand J. Dorleans ,  John A. Fitzsimmons ,  Richard Flitsch ,  James A. Jubinsky ,  Gerald R. Larsen ,  Geraldine C. Schwartz ,  Paul J. Tsang ,  Robert W. Zielinski

发明人： Roy A. Carruthers ,  Fernand J. Dorleans ,  John A. Fitzsimmons ,  Richard Flitsch ,  James A. Jubinsky ,  Gerald R. Larsen ,  Geraldine C. Schwartz ,  Paul J. Tsang ,  Robert W. Zielinski

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L27/118 ,  H01L27/02 ,  H01L ,  H01L29/46

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L27/118 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S148/055

摘要： A SiCr microfuse, deletable either by electrical voltage pulses or by laser pulses, for rerouting the various components in an integrated circuit, as where redundancy in array structures is implemented, and the method of fabricating same, at any wiring level of the chip, by utilizing a direct resist masking of the SiCr fuse layer to eliminate problems of mask damage and residual metal adjacent the fuse.

摘要翻译： 通过电压脉冲或激光脉冲去除的SiCr微型电动机，用于重新布置集成电路中的各种部件，如实现阵列结构的冗余，以及在芯片的任何接线电平处制造相同的方法，通过 利用SiCr熔丝层的直接抗蚀剂掩模来消除掩模损坏和保险丝附近的残余金属的问题。

公开(公告)号：US5227280A

公开(公告)日：1993-07-13

申请号：US754847

申请日：1991-09-04

申请人： James A. Jubinsky ,  Steven M. Katz ,  Christopher F. Lyons ,  Wayne M. Moreau

发明人： James A. Jubinsky ,  Steven M. Katz ,  Christopher F. Lyons ,  Wayne M. Moreau

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/037 ,  G03F7/039 ,  G03F7/09 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/094

摘要： A PMGI bilayer resist for integrated circuit fabrication having increased sensitivity to light and formed by the addition of cyclic anhydrides to the resist and the formation of an accompanying bilayer resist structure of a portable conforming mask having a desirable undercut profile for lift-off of patterned metallic circuitry.

摘要翻译： 用于集成电路制造的PMGI双层抗蚀剂具有增加的光的灵敏度并通过向抗蚀剂添加环状酸酐形成，并形成具有用于剥离图案化金属的期望的底切轮廓的便携式贴合掩模的伴随双层抗蚀剂结构 电路。