公开(公告)号：US20070007591A1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：US10569171

申请日：2004-08-24

申请人： Stephan jo Cecile Theeuwen ,  Freerk Van Rijs ,  Petra Christina Hammes ,  Ivo Pouwel ,  Henrikus Ferdinand Jos

发明人： Stephan jo Cecile Theeuwen ,  Freerk Van Rijs ,  Petra Christina Hammes ,  Ivo Pouwel ,  Henrikus Ferdinand Jos

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： The LDMOS transistor (99) of the invention is provided with a stepped shield structure (50) and/or with a first (25) and a second (26) drain extension region having a higher dopant concentration than the second drain extension region, and being covered by the shield.

摘要翻译： 本发明的LDMOS晶体管（99）设置有阶梯式屏蔽结构（50）和/或具有比第二漏极延伸区域更高的掺杂剂浓度的第一（25）和第二（26）漏极延伸区域，以及 被盾盖住。