公开(公告)号：US08232638B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US12195315

申请日：2008-08-20

申请人： Young-Tae Ma ,  In-Sun Park ,  Dong-Jo Kang ,  Hyun-Seok Lim ,  Do-Hyung Kim

发明人： Young-Tae Ma ,  In-Sun Park ,  Dong-Jo Kang ,  Hyun-Seok Lim ,  Do-Hyung Kim

IPC分类号： B32B15/00

CPC分类号： H01L21/7685 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/53223 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnection structure having an oxygen trap pattern in a semiconductor device, and a method of fabricating the same are provided. The interconnection structure includes a lower interlayer insulating layer formed on a semiconductor substrate. A metal layer pattern and a capping layer pattern are sequentially stacked on the lower interlayer insulating layer. An oxygen trap pattern is disposed on the capping layer pattern and includes a conductive oxygen trap pattern.

摘要翻译： 提供了一种在半导体器件中具有氧阱图案的互连结构及其制造方法。 互连结构包括形成在半导体衬底上的下层间绝缘层。 金属层图案和覆盖层图案依次层叠在下层间绝缘层上。 氧气阱图案设置在覆盖层图案上并且包括导电氧阱图案。

公开(公告)号：US20070029628A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11497362

申请日：2006-08-02

申请人： Dong-Jo Kang ,  In-Sun Park ,  Dae-Joung Kim

发明人： Dong-Jo Kang ,  In-Sun Park ,  Dae-Joung Kim

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L21/823443 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835

摘要： A semiconductor device includes a gate structure formed on a substrate. The gate structure includes an uppermost first metal silicide layer pattern having a first thickness. Spacers are formed on sidewalls of the gate structure. One or more impurity regions are formed in the substrate adjacent to at least one sidewall of the gate structure. A second metal silicide layer pattern, having a second thickness thinner than the first thickness, is formed on the one or more impurity regions.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的栅极结构。 栅极结构包括具有第一厚度的最上面的第一金属硅化物层图案。 隔板形成在栅极结构的侧壁上。 在与栅极结构的至少一个侧壁相邻的衬底中形成一个或多个杂质区。 在一个或多个杂质区上形成具有比第一厚度薄的第二厚度的第二金属硅化物层图案。

公开(公告)号：US06989338B2

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：US10737394

申请日：2003-12-15

申请人： Han-Mei Choi ,  Young-Wook Park ,  Eun-Taek Yim ,  Dong-Jo Kang ,  Kyoung-Seok Kim

发明人： Han-Mei Choi ,  Young-Wook Park ,  Eun-Taek Yim ,  Dong-Jo Kang ,  Kyoung-Seok Kim

IPC分类号： H01L21/26

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Disclosed is a method for forming a multi-layered structure having at least two films on a semiconductor substrate. The substrate is disposed on a thermally conductible stage for supporting the substrate. After the distance between the stage and the substrate is adjusted to a first interval so that the substrate has a first temperature by heat transferred from the stage, a first thin film is formed on the substrate at the first temperature. The distance is then adjusted from the first interval to a second interval so that the substrate reaches a second temperature, and then a second thin film is formed on the first thin film at the second temperature, thereby forming the multi-layered structure on the substrate. The multi-layered structure can be employed for a gate insulation film or the dielectric film of a capacitor.

摘要翻译： 公开了一种在半导体衬底上形成至少具有两个膜的多层结构的方法。 基板设置在用于支撑基板的导热性台上。 在阶段和衬底之间的距离被调整到第一间隔，使得衬底具有通过从载物台传递的热量的第一温度，在第一温度下在衬底上形成第一薄膜。 然后将距离从第一间隔调整到第二间隔，使得衬底达到第二温度，然后在第二温度下在第一薄膜上形成第二薄膜，从而在衬底上形成多层结构 。 多层结构可以用于栅极绝缘膜或电容器的电介质膜。

公开(公告)号：US07479434B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11497362

申请日：2006-08-02

申请人： Dong-Jo Kang ,  In-Sun Park ,  Dae-Joung Kim

发明人： Dong-Jo Kang ,  In-Sun Park ,  Dae-Joung Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823443 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835

摘要： A semiconductor device includes a gate structure formed on a substrate. The gate structure includes an uppermost first metal silicide layer pattern having a first thickness. Spacers are formed on sidewalls of the gate structure. One or more impurity regions are formed in the substrate adjacent to at least one sidewall of the gate structure. A second metal silicide layer pattern, having a second thickness thinner than the first thickness, is formed on the one or more impurity regions.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的栅极结构。 栅极结构包括具有第一厚度的最上面的第一金属硅化物层图案。 隔板形成在栅极结构的侧壁上。 在与栅极结构的至少一个侧壁相邻的衬底中形成一个或多个杂质区。 在一个或多个杂质区上形成具有比第一厚度薄的第二厚度的第二金属硅化物层图案。

公开(公告)号：US20090053538A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12195315

申请日：2008-08-20

申请人： Young-Tae MA ,  In-Sun PARK ,  Dong-Jo KANG ,  Hyun-Seok LIM ,  Do-Hyung KIM

发明人： Young-Tae MA ,  In-Sun PARK ,  Dong-Jo KANG ,  Hyun-Seok LIM ,  Do-Hyung KIM

IPC分类号： B32B15/00

CPC分类号： H01L21/7685 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/53223 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnection structure having an oxygen trap pattern in a semiconductor device, and a method of fabricating the same are provided. The interconnection structure includes a lower interlayer insulating layer formed on a semiconductor substrate. A metal layer pattern and a capping layer pattern are sequentially stacked on the lower interlayer insulating layer. An oxygen trap pattern is disposed on the capping layer pattern and includes a conductive oxygen trap pattern.

摘要翻译： 提供了一种在半导体器件中具有氧阱图案的互连结构及其制造方法。 互连结构包括形成在半导体衬底上的下层间绝缘层。 金属层图案和覆盖层图案依次层叠在下层间绝缘层上。 氧气阱图案设置在覆盖层图案上并且包括导电氧阱图案。