公开(公告)号：US08174050B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12643088

申请日：2009-12-21

申请人： Timothy E. Boles ,  Andrew K. Freeston ,  Costas D. Varmazis

发明人： Timothy E. Boles ,  Andrew K. Freeston ,  Costas D. Varmazis

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462

摘要： A method for fabricating a transistor and the resulting transistor is disclosed. The method generally includes steps (A) to (E). Step (A) may form a high mobility layer. The high mobility layer is generally configured to carry a two-dimensional electron gas. Step (B) may form a planar layer on the high mobility layer. Step (C) may form a barrier layer on the planar layer. Step (D) may form a doped layer on the barrier layer. The doped layer is generally a low bandgap III-V semiconductor. Step (E) may form a gate in contact with the doped layer. The gate may be separated from both a source and a drain by corresponding ungated recess regions. The high mobility layer, the planar layer, the barrier layer, the doped layer, the source, the gate and the drain are generally configured as a pseudomorphic high electron mobility transistor.

摘要翻译： 公开了一种用于制造晶体管和所得晶体管的方法。 该方法通常包括步骤（A）至（E）。 步骤（A）可以形成高迁移率层。 高迁移率层通常被配置为承载二维电子气。 步骤（B）可以在高迁移率层上形成平面层。 步骤（C）可以在平面层上形成阻挡层。 步骤（D）可以在阻挡层上形成掺杂层。 掺杂层通常是低带隙III-V半导体。 步骤（E）可以形成与掺杂层接触的栅极。 栅极可以通过相应的非栅极凹陷区域从源极和漏极两者分离。 高迁移率层，平面层，势垒层，掺杂层，源极，栅极和漏极通常被配置为伪晶高电子迁移率晶体管。

公开(公告)号：US20110147797A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12643088

申请日：2009-12-21

申请人： Timothy E. Boles ,  Andrew K. Freeston ,  Costas D. Varmazis

发明人： Timothy E. Boles ,  Andrew K. Freeston ,  Costas D. Varmazis

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462

摘要： A method for fabricating a transistor and the resulting transistor is disclosed. The method generally includes steps (A) to (E). Step (A) may form a high mobility layer. The high mobility layer is generally configured to carry a two-dimensional electron gas. Step (B) may form a planar layer on the high mobility layer. Step (C) may form a barrier layer on the planar layer. Step (D) may form a doped layer on the barrier layer. The doped layer is generally a low bandgap III-V semiconductor. Step (E) may form a gate in contact with the doped layer. The gate may be separated from both a source and a drain by corresponding ungated recess regions. The high mobility layer, the planar layer, the barrier layer, the doped layer, the source, the gate and the drain are generally configured as a pseudomorphic high electron mobility transistor.

摘要翻译： 公开了一种用于制造晶体管和所得晶体管的方法。 该方法通常包括步骤（A）至（E）。 步骤（A）可以形成高迁移率层。 高迁移率层通常被配置为承载二维电子气。 步骤（B）可以在高迁移率层上形成平面层。 步骤（C）可以在平面层上形成阻挡层。 步骤（D）可以在阻挡层上形成掺杂层。 掺杂层通常是低带隙III-V半导体。 步骤（E）可以形成与掺杂层接触的栅极。 栅极可以通过相应的非栅极凹陷区域从源极和漏极两者分离。 高迁移率层，平面层，势垒层，掺杂层，源极，栅极和漏极通常被配置为伪晶高电子迁移率晶体管。

公开(公告)号：US5914508A

公开(公告)日：1999-06-22

申请号：US863759

申请日：1997-05-27

申请人： Costas D. Varmazis ,  Anthony Kaleta

发明人： Costas D. Varmazis ,  Anthony Kaleta

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/66 ,  H01L21/70 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/66 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/31855

摘要： A microwave system encapsulated by two layers. The first layer is an arylcyclobutene polymer having a thickness greater than the tallest component of the system and only located in predetermined areas. Overlaying the polymer and other preselected areas of the system is a ceramic glass material. These two layers are applied in two layers coating process steps.

摘要翻译： 由两层封装的微波系统。 第一层是具有大于系统最高分量且仅位于预定区域中的厚度的芳基环丁烯聚合物。 叠层聚合物和其他预选区域是陶瓷玻璃材料。 这两层应用于两层涂层工艺步骤。