公开(公告)号：US20110159411A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12655460

申请日：2009-12-30

申请人： Bennett Olson ,  Max Lau ,  Cheng-hsin Ma ,  Jian Ma ,  Andrew T. Jamieson

发明人： Bennett Olson ,  Max Lau ,  Cheng-hsin Ma ,  Jian Ma ,  Andrew T. Jamieson

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F1/29 ,  G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/58

摘要： A phase shift photomask blank has a quartz substrate, a lower chrome layer, a light-absorbing MoSi layer, and an upper chrome layer. This mask can be patterned in various ways to form a patterned photomask with both phase shift and binary areas.

摘要翻译： 相移光掩模坯料具有石英基板，下铬层，吸光MoSi层和上铬层。 该掩模可以以各种方式图案化以形成具有相移和二进制区域的图案化光掩模。