公开(公告)号：US08471253B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US13111545

申请日：2011-05-19

申请人： Tobin J. Marks ,  Young-geun Ha ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Young-geun Ha ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L29/7869 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02282 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0537

摘要： Disclosed are thin film transistor devices incorporating a crosslinked inorganic-organic hybrid blend material as the gate dielectric. The blend material, obtained by thermally curing a mixture of an inorganic oxide precursor sol and an organosilane crosslinker at relatively low temperatures, can afford a high gate capacitance, a low leakage current density, and a smooth surface, and can be used to enable satisfactory transistor device performance at low operating voltages.

摘要翻译： 公开了掺入交联的无机 - 有机混合共混材料作为栅极电介质的薄膜晶体管器件。 通过在较低温度下热固化无机氧化物前体溶胶和有机硅烷交联剂的混合物获得的共混材料可以提供高栅极电容，低漏电流密度和光滑表面，并且可以用于令人满意 晶体管器件在低工作电压下的性能。

公开(公告)号：US20120264900A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13095517

申请日：2011-04-27

申请人： Hakan Usta ,  Zhihua Chen ,  Antonio Facchetti

发明人： Hakan Usta ,  Zhihua Chen ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： C08F132/08 ,  C07D495/22

CPC分类号： C07D495/22 ,  C08G61/126 ,  C08G73/0677 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/412 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0558

摘要： Disclosed are new semiconductor materials prepared from thienocoronene-imide-based small molecule and/or polymeric compounds. Such compounds can exhibit high carrier mobility and/or good current modulation characteristics. In addition, the compounds of the present teachings can possess certain processing advantages such as solution-processability and/or good stability at ambient conditions.

摘要翻译： 公开了由基于噻吩并二酰亚胺的小分子和/或聚合物制备的新的半导体材料。 这样的化合物可表现出高载流子迁移率和/或良好的电流调制特性。 此外，本教导的化合物可以具有某些加工优点，例如在环境条件下的溶液加工性和/或良好的稳定性。

公开(公告)号：US20110253970A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13065396

申请日：2011-03-21

申请人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L21/336 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are fully transparent nanowire transistors having high field-effect mobilities. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein include one or more nanowires, a gate dielectric prepared from a transparent inorganic or organic material, and transparent source, drain, and gate contacts fabricated on a transparent substrate. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein also can be mechanically flexible.

公开(公告)号：US20110118483A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12927896

申请日：2010-11-29

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： C07D409/14

CPC分类号： H01B1/128 ,  C08G61/126 ,  H01B1/127 ,  H01L27/32 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： The new fluorocarbon-functionalized and/or heterocycle-modified polythiophenes, in particular, α,ω-diperfluorohexylsexithiophene DFH-6T can be straightforwardly prepared in high yield and purity. Introduction of such modifications to a thiophene core affords enhanced thermal stability and volatility, and increased electron affinity versus the unmodified compositions of the prior art. Evaporated films behave as n-type semiconductors, and can be used to fabricate thin film transistors with FET mobilities ˜0.01 cm2/Vs—some of the highest reported to date for n-type organic semiconductors.

摘要翻译： 新的氟碳官能化和/或杂环改性的聚噻吩，特别是α，ω-二全氟己基硫氧化物DFH-6T可以以高产率和纯度直接制备。 引入噻吩核心的这种修饰提供了增强的热稳定性和挥发性，并且相对于现有技术的未改性组合物提高了电子亲和力。 蒸发膜表现为n型半导体，可用于制造FET迁移率〜0.01cm2 / Vs的薄膜晶体管，这是迄今为止报道的n型有机半导体的最高值。

公开(公告)号：US07928249B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12221123

申请日：2008-07-31

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Hakan Usta

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Hakan Usta

IPC分类号： C07D409/00

CPC分类号： C07C49/697 ,  C07C17/12 ,  C07C45/46 ,  C07C45/63 ,  C07C45/65 ,  C07C49/665 ,  C07C255/34 ,  C07C255/35 ,  C07C2603/10 ,  C07C2603/52 ,  C07D333/22 ,  C07D333/24 ,  C07D333/28 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  C07C25/02

摘要： Disclosed are new conjugated compounds (e.g., monomers and polymers) that include ladder-type moieties which can be used for preparing semiconducting materials. Such conjugated compounds can exhibit high n-type carrier mobility and/or good current modulation characteristics. Compounds of the present teachings also can exhibit ambipolar semiconducting activity. In addition, the compounds of the present teachings can possess certain processing advantages such as solution-processability and/or good stability in ambient conditions.

摘要翻译： 公开了包括可用于制备半导体材料的梯型部分的新的共轭化合物（例如单体和聚合物）。 这种共轭化合物可表现出高的n型载流子迁移率和/或良好的电流调制特性。 本发明的化合物还可以显示出双极半导体活性。 此外，本发明的化合物可以具有某些加工优点，例如在环境条件下的溶液加工性和/或良好的稳定性。

公开(公告)号：US20110024729A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12763495

申请日：2010-04-20

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Zhiming Wang ,  Hyuk-Jin Choi ,  Nae-Jeong Suh

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Zhiming Wang ,  Hyuk-Jin Choi ,  Nae-Jeong Suh

IPC分类号： H01L51/10

CPC分类号： H01L51/052 ,  C08K5/5415 ,  C08K5/544 ,  H01B3/30

摘要： Solution-processable dielectric materials are provided, along with precursor compositions and processes for preparing the same. Composites and electronic devices including the dielectric materials also are provided.

摘要翻译： 提供了可溶解的介电材料以及前体组合物及其制备方法。 还提供了包括电介质材料的复合材料和电子器件。

公开(公告)号：US20100024883A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12563680

申请日：2009-09-21

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Hakan Usta ,  Joseph Letizia

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Hakan Usta ,  Joseph Letizia

IPC分类号： H01L31/0256 ,  C08G77/60 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0094 ,  H01L51/0508 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/31504

摘要： The present teachings provide silole-based polymers that can be used as p-type semiconductors. More specifically, the present teachings provide polymers that include a repeating unit of Formula I: wherein R1, R2, R3, R4, R5R6, Z, x, and x′ are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing these polymers, and relate to various compositions, composites, and devices that incorporate these polymers.

摘要翻译： 本教导提供可用作p型半导体的基于硅烷的聚合物。 更具体地，本发明提供了包含式I的重复单元的聚合物：其中R1，R2，R3，R4，R5R6，Z，x和x'如本文所定义。 本教导还提供制备这些聚合物的方法，并涉及结合这些聚合物的各种组合物，复合材料和装置。

公开(公告)号：US20090050876A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12131697

申请日：2008-06-02

申请人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are fully transparent nanowire transistors having high field-effect mobilities. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein include one or more nanowires, a gate dielectric prepared from a transparent inorganic or organic material, and transparent source, drain, and gate contacts fabricated on a transparent substrate. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein also can be mechanically flexible.

摘要翻译： 公开了具有高场效应迁移率的完全透明的纳米线晶体管。 本文公开的完全透明的纳米线晶体管包括一个或多个纳米线，由透明无机或有机材料制备的栅极电介质，以及制造在透明衬底上的透明源极，漏极和栅极触点。 本文公开的完全透明的纳米线晶体管也可以是机械灵活的。

公开(公告)号：US20080161464A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11823859

申请日：2007-06-28

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Zhiming Wang ,  Hyuk-Jin Choi

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Zhiming Wang ,  Hyuk-Jin Choi

IPC分类号： C08G77/04 ,  C08G77/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/052 ,  C08K5/5415 ,  C08K5/544 ,  H01B3/30

摘要： Solution-processable dielectric materials are provided, along with precursor compositions and processes for preparing the same. Composites and electronic devices including the dielectric materials also are provided.

摘要翻译： 提供了可溶解的介电材料以及前体组合物及其制备方法。 还提供了包括电介质材料的复合材料和电子器件。

公开(公告)号：US07374702B2

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：US11343407

申请日：2006-01-31

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01B1/12

CPC分类号： H01B1/128 ,  C08G61/126 ,  H01B1/127 ,  H01L27/32 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： The new fluorocarbon-functionalized and/or heterocycle-modified polythiophenes, in particular, α,ω-diperfluorohexylsexithiophene DFH-6T can be straightforwardly prepared in high yield and purity. Introduction of such modifications to a thiophene core affords enhanced thermal stability and volatility, and increased electron affinity versus the unmodified compositions of the prior art. Evaporated films behave as n-type semiconductors, and can be used to fabricate thin film transistors with FET mobilities ˜0.01 cm2/Vs—some of the highest reported to date for n-type organic semiconductors

摘要翻译： 可以以高产率和纯度直接制备新的氟碳官能化和/或杂环改性的聚噻吩，特别是α，ω-二全氟己基噻吩DFH-6T。 引入噻吩核心的这种修饰提供了增强的热稳定性和挥发性，并且相对于现有技术的未改性组合物提高了电子亲和力。 蒸发膜表现为n型半导体，并且可用于制造具有FET迁移率〜0.01cm 2 / Vs的薄膜晶体管 - 迄今为止报道的n型有机半导体的一些