公开(公告)号：US20130256609A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13799498

申请日：2013-03-13

申请人： Zhifeng Ren ,  Qinyong Zhang ,  Qian Zhang ,  Gang Chen

发明人： Zhifeng Ren ,  Qinyong Zhang ,  Qian Zhang ,  Gang Chen

IPC分类号： H01L35/16

CPC分类号： H01L35/16 ,  C01B19/002 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  H01L35/34

摘要： Materials having improved thermoelectric properties are disclosed. In some embodiments, lead telluride/selenide based materials with improved figure of merit and mechanical properties are disclosed. In some embodiments, the lead telluride/selenide based materials of the present disclosure are p-type thermoelectric materials formed by adding sodium (Na), silicon (Si) or both to thallium doped lead telluride materials. In some embodiments, the lead telluride/selenide based materials are formed by doping lead telluride/selenides with potassium.

摘要翻译： 公开了具有改进的热电特性的材料。 在一些实施方案中，公开了具有改善的品质因数和机械性能的碲化铅/硒化物基材料。 在一些实施方案中，本公开的碲化铅/硒化物基材料是通过将钠（Na），硅（Si）或两者加入到掺杂铊的碲化铅材料形成的p型热电材料。 在一些实施方案中，基于碲化铅/硒化物的材料通过用钾掺杂铅碲化物/硒化物而形成。

公开(公告)号：US08535554B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US12843954

申请日：2010-07-27

申请人： Michael Paul Rowe ,  Minjuan Zhang ,  Paul Jantzen

发明人： Michael Paul Rowe ,  Minjuan Zhang ,  Paul Jantzen

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L35/16 ,  Y10T428/2991

摘要： A process for forming thermoelectric nanoparticles includes the steps of providing a core material and a bismuth containing compound in a reverse micelle; providing a tellurium containing compound either in or not in a reverse micelle; reacting the bismuth containing compound with the tellurium containing compound in the presence of a base, forming a composite thermoelectric nanoparticle having a core and shell structure.

摘要翻译： 形成热电纳米颗粒的方法包括在反胶束中提供芯材料和含铋化合物的步骤; 在反胶束中或在反胶束中提供含碲化合物; 使含铋化合物与含碲化合物在碱的存在下反应，形成具有核和壳结构的复合热电纳米颗粒。

公开(公告)号：US08519256B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13227314

申请日：2011-09-07

申请人： Kenichi Tajima ,  Koichi Tanaka

发明人： Kenichi Tajima ,  Koichi Tanaka

IPC分类号： H01L35/16

CPC分类号： H01L35/16 ,  C22C12/00 ,  H01L23/38 ,  H01L35/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： T provide an N type thermoelectric material having figure of the merit improved to be comparable to or higher than that of P type thermoelectric material, the N type thermoelectric material of the present invention contains at least one kind of Bi and Sb and at least one kind of Te and Se as main components, and contains bromine (Br) and iodine (I) to have carrier in such a concentration that corresponds to the contents of bromine (Br) and iodine (I).

摘要翻译： T提供具有改善了与P型热电材料相当或更高的品质因数的N型热电材料，本发明的N型热电材料包含至少一种Bi和Sb以及至少一种 的Te和Se为主要成分，并含有溴（Br）和碘（I），其载体的浓度对应于溴（Br）和碘（I）的含量。

公开(公告)号：US08518287B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US12418225

申请日：2009-04-03

申请人： Jong-soo Rhyee ,  Sang-mock Lee

发明人： Jong-soo Rhyee ,  Sang-mock Lee

IPC分类号： H01M4/58

CPC分类号： H01L35/16 ,  C01B17/20 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/20 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/77 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40

摘要： A dichalcogenide thermoelectric material having a very low thermal conductivity in comparison with a conventional metal or semiconductor is described. The dichalcogenide thermoelectric material has a structure of Formula 1 below: RX2-aYa  Formula 1 wherein R is a rare earth or transition metal magnetic element, X and Y are each independently an element selected from the group consisting of S, Se, Te, P, As, Sb, Bi, C, Si, Ge, Sn, B, Al, Ga, In, and a combination thereof, and 0≦a

摘要翻译： 描述了与常规金属或半导体相比具有非常低热导率的二硫属元素化物质热电材料。 二硫属元素化物热电材料具有以下结构：RX2-aYa1其中R是稀土或过渡金属磁性元素，X和Y各自独立地选自S，Se，Te，P， As，Sb，Bi，C，Si，Ge，Sn，B，Al，Ga，In及其组合，0 @ a <2。

公开(公告)号：US20130074898A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13625664

申请日：2012-09-24

申请人： G. Jeffrey Snyder

发明人： G. Jeffrey Snyder

IPC分类号： H01L35/32

CPC分类号： H01L35/16 ,  H01L35/26

摘要： Thermoelectric cooling systems are disclosed that utilize the Thomson effect. The disclosed systems can be used, for example, in cryogenic applications. In one aspect, a system is provided for thermoelectric cooling. The system comprises a pair of semiconductor elements, a cold plate and a hot plate. The pair of semiconductor elements comprises a P-type semiconductor element having a first carrier concentration and an N-type semiconductor element having a second carrier concentration. The first carrier concentration is functionally graded over the P-type semiconductor element and the second carrier concentration is functionally graded over the N-type semiconductor element. Each semiconductor element has a cold end and a hot end. The cold plate is thermally coupled to the cold ends of the P-type semiconductor elements and the N-type semiconductor element. The hot plate is thermally coupled to the hot ends of the P-type semiconductor element and the N-type semiconductor element.

摘要翻译： 公开了利用汤姆逊效应的热电冷却系统。 所公开的系统可以用于例如低温应用中。 在一个方面，提供一种用于热电冷却的系统。 该系统包括一对半导体元件，冷板和热板。 该对半导体元件包括具有第一载流子浓度的P型半导体元件和具有第二载流子浓度的N型半导体元件。 第一载流子浓度在P型半导体元件上功能上分级，并且第二载流子浓度在功能上在N型半导体元件上分级。 每个半导体元件具有冷端和热端。 冷板热耦合到P型半导体元件和N型半导体元件的冷端。 热板热耦合到P型半导体元件和N型半导体元件的热端。

公开(公告)号：US20130040138A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13642992

申请日：2011-04-25

申请人： Yue Wu ,  Genqiang Zhang

发明人： Yue Wu ,  Genqiang Zhang

IPC分类号： C01B19/04 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L35/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/02 ,  C01B19/04 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/30 ,  C01P2004/45 ,  D01F9/08 ,  Y10T428/2922 ,  Y10T428/2976 ,  Y10T428/298

摘要： An ultrathin tellurium nanowire structure is disclosed, including a rod-like crystalline structure of tellurium, wherein the crystalline structure is defined by diameters of between 5-6 nm. In addition, an ultrathin tellurium-based nanowire structure is disclosed including a rod-like crystalline structure of one of lead telluride and bismuth telluride, wherein an ultrathin tellurium nanowire structure is used as a precursor to generate the rod-like crystalline structure. Furthermore, a nanoscale heterostructure tellurium-based nanowire structure is disclosed including a dumbbell-like crystalline heterostructure having a center rod-like portion and one octahedral structure connected to each end of each of the center rod- like portions, wherein the center rod-like portion is a tellurium-based nanowire structure and the octahedral structures are one of lead telluride, cadmium telluride, and bismuth telluride.

摘要翻译： 公开了一种超薄碲纳米线结构，其包括碲的棒状晶体结构，其中晶体结构由5-6nm的直径限定。 此外，公开了一种超薄碲基纳米线结构，其包括碲化铅和碲化铋之一的棒状晶体结构，其中使用超薄碲纳米线结构作为产生棒状晶体结构的前体。 此外，公开了一种纳米尺度异质结构的碲基纳米线结构，其包括具有连接到每个中心棒状部分的每个端部的中心棒状部分和一个八面体结构的哑铃状晶体异质结构，其中中心棒状 部分是碲基纳米线结构，八面体结构是碲化铅，碲化镉和碲化铋之一。

公开(公告)号：US20130001480A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13583993

申请日：2010-03-11

申请人： Abds-Sami Malik ,  Francis J. DiSalvo ,  Yongkwan Dong

发明人： Abds-Sami Malik ,  Francis J. DiSalvo ,  Yongkwan Dong

IPC分类号： H01B1/06 ,  C01B19/00 ,  H01B1/10 ,  C01G21/21 ,  C01G19/00 ,  C01B19/04 ,  C01B33/06

CPC分类号： H01L35/16 ,  B22F3/14 ,  B22F2998/10 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01G19/00 ,  C01G19/006 ,  C01G21/006 ,  C01G21/21 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  C22C1/04 ,  H01L35/34 ,  B22F9/04

摘要： A method for increasing the ZT of a material, involves creating a reaction cell including a material in a pressure-transmitting medium, exposing the reaction cell to elevated pressure and elevated temperature for a time sufficient to increase the ZT of the material, and recovering the material with an increased ZT.

摘要翻译： 一种用于增加材料的ZT的方法，包括在压力传递介质中产生包括材料的反应池，将反应池暴露于升高的压力和升高的温度足以增加材料的ZT，并回收 材料增加ZT。

公开(公告)号：US20120326100A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13531186

申请日：2012-06-22

申请人： Cheol-Hee Park ,  Se-Hui Sohn ,  Seung-Tae Hong ,  Won-Jong Kwon ,  Tae-Hoon Kim

发明人： Cheol-Hee Park ,  Se-Hui Sohn ,  Seung-Tae Hong ,  Won-Jong Kwon ,  Tae-Hoon Kim

IPC分类号： H01L31/0272

CPC分类号： H01L35/16 ,  C09K11/881 ,  C09K11/885 ,  H01B1/08 ,  H01B1/10 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L35/18 ,  H01L35/22 ,  Y02E10/50

摘要： Thermoelectric conversion materials, expressed by the following formula: Bi1-xMxCuwOa-yQ1yTeb-zQ2z. Here, M is at least one element selected from the group consisting of Ba, Sr, Ca, Mg, Cs, K, Na, Cd, Hg, Sn, Pb, Mn, Ga, In, Tl, As and Sb; Q1 and Q2 are at least one element selected from the group consisting of S, Se, As and Sb; x, y, z, w, a, and b are 0≦x

摘要翻译： 热电转换材料，由下式表示：Bi1-xMxCuwOa-yQ1yTeb-zQ2z。 这里，M是选自Ba，Sr，Ca，Mg，Cs，K，Na，Cd，Hg，Sn，Pb，Mn，Ga，In，Tl，As和Sb中的至少一种元素; Q1和Q2是选自S，Se，As和Sb中的至少一种元素; x，y，z，w，a和b分别为0＆nlE; x <1,0,0

公开(公告)号：US20120248386A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13436521

申请日：2012-03-30

申请人： Joseph P. Heremans ,  Christopher M. Jaworski ,  Vladimir Jovovic ,  Fred Harris

发明人： Joseph P. Heremans ,  Christopher M. Jaworski ,  Vladimir Jovovic ,  Fred Harris

IPC分类号： H01B1/00 ,  C04B35/64 ,  H01B1/06

CPC分类号： C04B35/547 ,  C04B38/0074 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/77 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0061

摘要： A thermoelectric material and a method of making a thermoelectric material are provided. In certain embodiments, the thermoelectric material comprises at least 10 volume percent porosity. In some embodiments, the thermoelectric material has a zT greater than about 1.2 at a temperature of about 375 K. In some embodiments, the thermoelectric material comprises a topological thermoelectric material. In some embodiments, the thermoelectric material comprises a general composition of (Bi1-xSbx)u(Te1-ySey)w, wherein 0≦x≦1, 0≦y≦1, 1.8≦u≦2.2, 2.8≦w≦3.2. In further embodiments, the thermoelectric material includes a compound having at least one group IV element and at least one group VI element. In certain embodiments, the method includes providing a powder comprising a thermoelectric composition, pressing the powder, and sintering the powder to form the thermoelectric material.

摘要翻译： 提供热电材料和制造热电材料的方法。 在某些实施例中，热电材料包括至少10体积％的孔隙率。 在一些实施例中，热电材料在约375K的温度下具有大于约1.2的zT。在一些实施例中，热电材料包括拓扑热电材料。 在一些实施方案中，热电材料包括（Bi1-xSbx）u（Te1-ySey）w的一般组成，其中0和nlE; x和nlE; 1,0和nlE; y和nlE; 1.8,1.01; n和nlE; 2.2,2.8＆ 3.2。 在另外的实施方案中，热电材料包括具有至少一个IV族元素和至少一个VI族元素的化合物。 在某些实施方案中，该方法包括提供包含热电组合物的粉末，压制粉末，并烧结粉末以形成热电材料。

公开(公告)号：US20120211044A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13307377

申请日：2011-11-30

申请人： Kazuaki KURIHARA ,  Takuya Nishino ,  Takashi Suzuki

发明人： Kazuaki KURIHARA ,  Takuya Nishino ,  Takashi Suzuki

IPC分类号： H01L35/32 ,  H01L35/04

CPC分类号： H01L35/16 ,  H01L35/32

摘要： A thermoelectric conversion module includes: a first substrate having water permeability and thermal conductivity; a thermoelectric conversion element provided on the first substrate; a heat insulator having water permeability provided around the thermoelectric conversion element on the first substrate; and a second substrate disposed on the thermoelectric conversion element and the heat insulator and having water permeability and thermal conductivity.

摘要翻译： 热电转换模块包括：具有透水性和导热性的第一基板; 设置在所述第一基板上的热电转换元件; 在所述第一基板上的所述热电转换元件周围设置有具有透水性的隔热材料; 以及设置在所述热电转换元件和所述绝热体上并具有透水性和导热性的第二基板。