公开(公告)号：US20070097403A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11544551

申请日：2006-10-10

申请人： Toshio Miyazawa ,  Fumihiro Hasegawa ,  Hitoshi Itoh ,  Hiroaki Nagatsuka

发明人： Toshio Miyazawa ,  Fumihiro Hasegawa ,  Hitoshi Itoh ,  Hiroaki Nagatsuka

IPC分类号： G06F3/12

CPC分类号： H04N1/3871

摘要： An image processing system is disclosed that is able to provide an image suitable for a specified application. The image processing system includes a first image processing device for separating an input image into plural divisional images, which are processed by different image processing methods, in accordance with the output device of the input image; and a second image processing device for producing an output image suitable for a specified application from the divisional images. The first image processing device includes an image area division section for determining which of a first area and a second area, sub image areas of the input image belong to, and a selection section which uses the sub areas of the input image as the divisional images according to the determination results of the image area division section.

摘要翻译： 公开了能够提供适合于特定应用的图像的图像处理系统。 图像处理系统包括：第一图像处理装置，用于根据输入图像的输出装置，将输入图像分离为由不同的图像处理方法处理的多个分割图像; 以及第二图像处理装置，用于从分割图像产生适合于特定应用的输出图像。 第一图像处理装置包括图像区域划分部分，用于确定输入图像所属的子图像区域的第一区域和第二区域中的哪一个以及使用输入图像的子区域作为分割图像的选择部分 根据图像区域划分部分的确定结果。

公开(公告)号：US5580615A

公开(公告)日：1996-12-03

申请号：US224179

申请日：1994-04-07

申请人： Hitoshi Itoh ,  Takahiko Moriya

发明人： Hitoshi Itoh ,  Takahiko Moriya

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  B05D3/00

CPC分类号： H01L21/32051 ,  H01L21/76879

摘要： A method of forming a conductive film on an insulating region of a substrate wherein a surface of the insulating region formed on the substrate is activated by irradiating the surface with electrons, ions or light. Next, a metal film pattern constituting, for example, an electrical interconnection, is deposited on the surface by applying a selective chemical vapor deposition process using a metal halide gas.

摘要翻译： 在基板的绝缘区域上形成导电膜的方法，其中通过用电子，离子或光照射表面来激活形成在基板上的绝缘区域的表面。 接下来，通过使用金属卤化物气体的选择性化学气相沉积工艺，在表面上沉积构成例如电互连的金属膜图案。

公开(公告)号：US5223455A

公开(公告)日：1993-06-29

申请号：US885901

申请日：1992-05-18

申请人： Hitoshi Itoh ,  Takahiko Moriya

发明人： Hitoshi Itoh ,  Takahiko Moriya

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/28562 ,  H01L21/76879

摘要： A method for forming a refractory metal film on a substrate utilizes a reduction reaction of the halides of the refractory metal with respect to monosilane, disilane, or the halides of monosilane and disilane to form the refractory metal film while suppressing the reaction by adding a hydrogen gas. As a result, the refractory metal film is formed with good quality at a high speed, or deposited selectively on the nitrides, etc., of metal.

摘要翻译： 在基板上形成难熔金属膜的方法利用难熔金属的卤化物相对于甲硅烷，乙硅烷或甲硅烷和乙硅烷的卤化物的还原反应，形成难熔金属膜，同时通过加入氢来抑制反应 加油站。 结果，难熔金属膜以高速高质量地形成，或者选择性地沉积在金属的氮化物等上。