公开(公告)号：US20080014752A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11738155

申请日：2007-04-20

申请人： Ji-hoon Cha ,  Chang-ki Hong ,  Kun-tack Lee ,  Woo-gwan Shim ,  Chang-sup Mun ,  Ho-wook Choi

发明人： Ji-hoon Cha ,  Chang-ki Hong ,  Kun-tack Lee ,  Woo-gwan Shim ,  Chang-sup Mun ,  Ho-wook Choi

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139

摘要： A method of forming fine pitch hardmask patterns includes forming a hardmask layer on a substrate and forming a plurality of first mask patterns on the hardmask layer. A buffer layer is formed on the plurality of first mask patterns, and has an upper surface defining recesses between adjacent first mask patterns. Second mask patterns are formed within the recesses formed in the upper surface of the buffer layer. The buffer layer is partially removed to expose upper surfaces of the plurality of first mask patterns, and the buffer layer is then partially removed using the first mask patterns and the second mask patterns as an etch mask to expose the hardmask layer between the first mask pattern and the second mask pattern. Using the first mask patterns and the second mask patterns as an etch mask, the hardmask layer is etched to form hardmask patterns.

摘要翻译： 形成细间距硬掩模图案的方法包括在基底上形成硬掩模层并在硬掩模层上形成多个第一掩模图案。 缓冲层形成在多个第一掩模图案上，并且具有在相邻的第一掩模图案之间限定凹部的上表面。 在形成在缓冲层的上表面中的凹部内形成第二掩模图案。 部分地去除缓冲层以暴露多个第一掩模图案的上表面，然后使用第一掩模图案和第二掩模图案作为蚀刻掩模来部分地去除缓冲层，以在第一掩模图案之间暴露硬掩模层 和第二掩模图案。 使用第一掩模图案和第二掩模图案作为蚀刻掩模，硬掩模层被蚀刻以形成硬掩模图案。

公开(公告)号：US20060027252A1

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：US11193088

申请日：2005-07-29

申请人： Chang-Sup Mun ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Hyung-Ho Ko ,  Sang-Yong Kim

发明人： Chang-Sup Mun ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Hyung-Ho Ko ,  Sang-Yong Kim

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： B08B3/08 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212

摘要： The present invention provides methods of processing a substrate by contacting the substrate with an inorganic solution including an organic additive, rinsing the substrate with an organic alcohol, and rinsing the substrate with deionized water. Related substrates and devices are also disclosed.

摘要翻译： 本发明提供了通过使基材与包括有机添加剂的无机溶液接触，用有机醇漂洗该基材并用去离子水冲洗该基材来处理基材的方法。 还公开了相关的基板和装置。

公开(公告)号：US20050260830A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US11089208

申请日：2005-03-24

申请人： Doo-Won Kwon ,  Hyung-Ho Ko ,  Chang-Sup Mun ,  Woo-Gwan Shim ,  Im-Soo Park ,  Yu-Kyung Kim ,  Jeong-Nam Han

发明人： Doo-Won Kwon ,  Hyung-Ho Ko ,  Chang-Sup Mun ,  Woo-Gwan Shim ,  Im-Soo Park ,  Yu-Kyung Kim ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L21/304 ,  C30B1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02052

摘要： This invention provides methods of fabricating semiconductor devices, wherein an alloy layer is formed on a semiconductor substrate to form a substrate structure, which methods include using an aqueous solution diluted ammonia and peroxide mixture (APM) to perform cleaning and/or wet etching treatment steps on the substrate structure.

摘要翻译： 本发明提供制造半导体器件的方法，其中在半导体衬底上形成合金层以形成衬底结构，该方法包括使用稀氨水溶液和过氧化物混合物（APM）进行清洗和/或湿蚀刻处理步骤 在衬底结构上。