公开(公告)号：US08541869B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US12030099

申请日：2008-02-12

申请人： Shuji Nakamura ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Anurag Tyagi

发明人： Shuji Nakamura ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Anurag Tyagi

IPC分类号： H01L33/16

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3216

摘要： A III-nitride edge-emitting laser diode is formed on a surface of a III-nitride substrate having a semipolar orientation, wherein the III-nitride substrate is cleaved by creating a cleavage line along a direction substantially perpendicular to a nonpolar orientation of the III-nitride substrate, and then applying force along the cleavage line to create one or more cleaved facets of the III-nitride substrate, wherein the cleaved facets have an m-plane or a-plane orientation.

摘要翻译： 在具有半极性取向的III族氮化物衬底的表面上形成III族氮化物边缘发射激光二极管，其中通过沿着基本上垂直于III的非极性取向的方向产生裂解线来切割III族氮化物衬底 氮化物衬底，然后沿着切割线施加力以产生III族氮化物衬底的一个或多个切割面，其中所述切割面具有m面或平面取向。

公开(公告)号：US20130075770A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13431834

申请日：2012-03-27

申请人： Arpan Chakraborty ,  Michael Grundmann ,  Anurag Tyagi

发明人： Arpan Chakraborty ,  Michael Grundmann ,  Anurag Tyagi

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

摘要： A method for providing (Al,Ga,In)N thin films on Ga-face c-plane (Al,Ga,In)N substrates using c-plane surfaces with a miscut greater than at least 0.35 degrees toward the m-direction. Light emitting devices are formed on the smooth (Al,Ga,In)N thin films. Devices fabricated on the smooth surfaces exhibit improved performance.

摘要翻译： 一种在Ga面c面（Al，Ga，In）N基板上使用具有大于至少0.35度朝向m方向的晶面的c面表面提供（Al，Ga，In）N薄膜的方法。 发光器件形成在光滑（Al，Ga，In）N薄膜上。 在光滑表面上制造的器件表现出改进的性能。

公开(公告)号：US08044383B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12611063

申请日：2009-11-02

申请人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L33/18 ,  H01L33/02

摘要： A light emitting diode (LED) having a p-type layer having a thickness of 100 nm or less, an n-type layer, and an active layer, positioned between the p-type layer and the n-type layer, for emitting light, wherein the LED does not include a separate electron blocking layer.

摘要翻译： 具有厚度为100nm以下的p型层的发光二极管（LED），位于p型层和n型层之间的n型层和有源层，用于发光 ，其中LED不包括单独的电子阻挡层。