公开(公告)号：US20050127409A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US11042536

申请日：2005-01-25

申请人： Henry Edwards ,  Sameer Pendharkar ,  Joe Trogolo ,  Tathagata Chatterjee ,  Taylor Efland

发明人： Henry Edwards ,  Sameer Pendharkar ,  Joe Trogolo ,  Tathagata Chatterjee ,  Taylor Efland

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/76 ,  H01L21/336 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7801

摘要： The present invention provides a system for efficiently producing versatile, high-precision MOS device structures in which straight regions dominate the device's behavior, providing minimum geometry devices that precisely match large devices, in an easy, efficient and cost-effective manner. The present invention provides methods and apparatus for producing double diffused semiconductor devices that minimize performance impacts of end cap regions. The present invention provides a MOS structure having a moat region (404, 516, 616), and an oxide region (414, 512, 608) overlapping the moat region. A double-diffusion region (402, 504, 618) is formed within the oxide region, having end cap regions (406, 502, 620) that are effectively deactivated utilizing geometric and implant manipulations.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于有效地生产多功能，高精度的MOS器件结构的系统，其中直线区域主导器件的行为，以简单，高效和成本有效的方式提供精确匹配大型器件的最小几何器件。 本发明提供了用于生产双扩散半导体器件的方法和装置，其最小化端帽区域的性能影响。 本发明提供一种MOS结构，其具有护城河区域（404,516,616）和与护城河区域重叠的氧化物区域（414,512,608）。 在氧化物区域内形成双扩散区域（402,504,618），具有端盖区域（406,502,620），其可以利用几何和植入操作被有效地去激活。

公开(公告)号：US06867100B2

公开(公告)日：2005-03-15

申请号：US10326214

申请日：2002-12-19

申请人： Henry L. Edwards ,  Sameer Pendharkar ,  Joe Trogolo ,  Tathagata Chatterjee ,  Taylor Efland

发明人： Henry L. Edwards ,  Sameer Pendharkar ,  Joe Trogolo ,  Tathagata Chatterjee ,  Taylor Efland

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7801

摘要： The present invention provides a system for efficiently producing versatile, high-precision MOS device structures in which straight regions dominate the device's behavior, providing minimum geometry devices that precisely match large devices, in an easy, efficient and cost-effective manner. The present invention provides methods and apparatus for producing double diffused semiconductor devices that minimize performance impacts of end cap regions. The present invention provides a MOS structure having a moat region (404, 516, 616), and an oxide region (414, 512, 608) overlapping the moat region. A double-diffusion region (402, 504, 618) is formed within the oxide region, having end cap regions (406, 502, 620) that are effectively deactivated utilizing geometric and implant manipulations.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于有效地生产多功能，高精度的MOS器件结构的系统，其中直线区域主导器件的行为，以简单，高效和成本有效的方式提供精确匹配大型器件的最小几何器件。 本发明提供了用于生产双扩散半导体器件的方法和装置，其最小化端帽区域的性能影响。 本发明提供一种MOS结构，其具有护城河区域（404,516,616）和与护城河区域重叠的氧化物区域（414,512,608）。 在氧化物区域内形成双扩散区域（402,504,618），具有端盖区域（406,502,620），其可以利用几何和植入操作被有效地去激活。