公开(公告)号：US20140367641A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：US14467497

申请日：2014-08-25

Applicant: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY

Inventor： Jun-Ying Zhang ,  Michael A. Haase ,  Todd A. Ballen ,  Terry L. Smith

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/28

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  C23C14/021 ,  C23C14/0652 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/345 ,  G02B6/4439 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/46 ,  H01L33/28 ,  H01L33/46 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/347

Abstract: Multilayer construction is disclosed. The multilayer construction includes a II-VI semiconductor layer and a Si3N4 layer disposed directly on the II-VI semiconductor layer.

Abstract translation: 公开了多层结构。 多层结构包括直接设置在II-VI半导体层上的II-VI半导体层和Si 3 N 4层。