公开(公告)号：US09111616B2

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US14198608

申请日：2014-03-06

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Ki-Tae Park ,  Ki-Nam Kim ,  Yeong-Taek Lee

IPC: G11C16/04 ,  G11C11/56 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/0408 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2211/5642

Abstract: A flash memory device includes a plurality of memory blocks. A selected memory block among the plurality of memory blocks includes 2n pages of data. The selected memory block includes different types of memory cells capable of storing different numbers of bits.

Abstract translation: 闪存器件包括多个存储器块。 多个存储块中选择的存储块包括2n页的数据。 所选存储块包括能够存储不同位数的不同类型的存储单元。