一种电磁设备、电磁辐射控制方法及可读存储介质

    公开(公告)号:CN119455266A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411701808.2

    申请日:2024-11-26

    Inventor: 周洪伟

    Abstract: 本申请公开了一种辐射设备、电磁辐射控制方法及可读存储介质,该辐射设备包括:显示器、单片机、电路板、温度传感器、继电器、接收板和电极片;其中,电路板包括若干个低频信号电路和若干个高频信号电路;低频信号电路和高频信号电路的输入端均与单片机连接,输出端均通过继电器与接收板连接;显示器和温度传感器分别与单片机相连接,接收板与电极片相连接;继电器的控制端与单片机相连接。本申请不仅可以实现频率调节,时间调节,还可以基于辐射目标的实时温度中断辐射。如此,便能够有效发挥电磁波的好处,降低危害。

    一种代替信号模拟开关芯片的方法

    公开(公告)号:CN111969988B

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202010846117.7

    申请日:2020-08-20

    Abstract: 本发明公开了一种代替信号模拟开关芯片的方法,包括:采用多个继电器以级联方式构成多路信号通道;采用解码器芯片将输入的使能信号和地址信号译码后输出通道选择信号;采用场效应管接收通道选择信号,并根据接收到的通道选择信号控制继电器线圈的供电,将继电器切换至常闭触点或常开触点,从而完成信号通道切换,实现信号模拟开关功能。本发明将继电器触点以物理连接方式构成信号通道,对信号没有插入损耗、隔离度以及幅度和极性要求等问题,特别适合于高频、大幅度和负极性信号切换/开关/多路复用的应用场合,可以避免设计信号功率分配和功率放大电路,同时对供电也没有特殊要求,降低了硬件成本和电路复杂性。

    一种DCS信号供电方式快速切换装置及系统

    公开(公告)号:CN117013681B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202310838744.X

    申请日:2023-07-10

    Inventor: 何磊 刘东亮

    Abstract: 本发明涉及一种DCS信号供电方式快速切换装置及系统。该装置包括电源模块、模拟量信号隔离模块、开关量信号隔离模块。电源模块连接模拟量信号隔离模块的供电端。电源模块用于为同时无源的信号传输通道供电,以使该通道有效。模拟量信号隔离模块用于将同时有源的模拟量信号传输通道其中一端的有源信号转换为无源信号,以使该通道有效。开关量信号隔离模块用于将同时有源的开关量信号传输通道导通,以使该通道有效。实施本发明为调试人员能够监测各系统状态、试验准备执行以及排查问题提供了重要保障,提高排查效率,且能够满足核电现场多情况多场合的低压供电需求。

    一种直流三线制接近开关信号转换电路

    公开(公告)号:CN118826724A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202411026716.9

    申请日:2024-07-29

    Inventor: 谢风波 倪坤 贺雷

    Abstract: 本发明公开了工程机械传感器技术领域的一种直流三线制接近开关信号转换电路,旨在解决现有技术不同类型的接近开关不能直接替换使用,当接近开关故障后,需要用同类型接近开关替换时,若要将不同型号的接近开关替代使用,需要对控制逻辑做相应调整,增加日常备货负担,影响应急维修效率的问题。其包括转换模块、接近开关、系统供电电源和负载,负载用于接收接近开关的输出信号,转换模块上设有第一开关和第二开关,第一开关和第二开关均包括多个档位;本发明可以将任意一种类型的直流三线制接近开关信号转换为使用所需的信号类型,从而将不同类型的接近开关进行替换使用,减轻日常备货压力,提高接近开关损坏后的应急维修效率。

    双刀双掷开关电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118826718A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410761469.0

    申请日:2024-06-13

    Abstract: 本发明公开一种双刀双掷开关电路,包括按序并联的第一谐振支路、第二谐振支路、第三谐振支路和第四谐振支路,各路谐振支路连接有相应的控制端口,第一谐振支路的两端和第四谐振支路的两端均分别接入第三开关支路和第四开关支路,第二谐振支路的两端和第三谐振支路的两端均分别接入第一开关支路和第二开关支路,第一开关支路与第三开关支路并联,第二开关支路与第四开关支路并联;各路谐振支路均包括第一电容、第一二极管、第一电感、第二电感、第二二极管和第二电容,第一电容的一端与第一二极管的正端之间、第二二极管的负端与第二电容的一端之间以及第一电感与第二电感之间均并接有控制端口;具有更高的隔离度性能。

    电子装置及切换电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118740131A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202310387183.6

    申请日:2023-04-12

    Inventor: 郭信志

    Abstract: 一种电子装置,包括:第一切换电路、第二切换电路,以及机械式开关。第一切换电路耦接至控制节点,其中第一切换电路用于产生第一控制电位。第二切换电路耦接至控制节点,其中第二切换电路用于产生第二控制电位。机械式开关可选择性地将控制节点耦接至接地电位。当第一切换电路进行切换时,第二控制电位不会受到影响,而当第二切换电路进行切换时,第一控制电位亦不会受到影响。

    驱动电路和隔离电路
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118740128A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410826056.6

    申请日:2024-06-24

    Inventor: 蒯琴 陈奇辉

    Abstract: 本发明的实施例公开了一种驱动电路和隔离电路,驱动电路包括:第一晶体管,第一晶体管的栅端接收第一控制信号,第一晶体管的源端接收第一输入信号,第一晶体管的漏端输出第一驱动信号;第二晶体管,第二晶体管的栅端接收第二控制信号,第二晶体管的漏端耦接于第一晶体管的漏端,第二晶体管的源端耦接于参考地;第三晶体管,第三晶体管的栅端接收第三控制信号,第三晶体管的源端接收第一输入信号,第三晶体管的漏端输出第二驱动信号;以及第四晶体管,第四晶体管的栅端接收第四控制信号,第四晶体管的漏端耦接于第三晶体管的漏端,第四晶体管的源端耦接于参考地。驱动电路在互补信号的控制下产生了差分信号,用以驱动后级电路,降低了电磁干扰。

    一种比较器短路保护电路及控制方法

    公开(公告)号:CN118473386A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410504057.9

    申请日:2024-04-25

    Abstract: 本发明涉及比较器实现负载保护电路的技术领域,具体为一种比较器短路保护电路及控制方法,克服了现有技术需要外挂负载保护增加成本的缺点,也克服了现有技术负载保护延时的缺点;包括内置有PWM模块的MCU控制器,MCU控制器的P01输出端输出PWM波形与PMOS1管的栅极连接,PMOS1管的源极分别接电压VBAT和PMOS2管的源极,PMOS1管的漏极通过负载R1与比较器CMP的正输入端连接,PMOS1管的漏极接被保护电路,PMOS1管的漏极还通过负载R2与PMOS2管的漏极连接,PMOS2管的栅极与MCU控制器的P00输出端连接;所述比较器CMP的负输入端连接MCU内部产生的参考电压,所述比较器CMP的输出端与MCU控制器的PWM模块连接。

    延时控制电路、控制装置、方法及车辆

    公开(公告)号:CN118282376A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202211716844.7

    申请日:2022-12-29

    Inventor: 贾重阳

    Abstract: 本公开涉及一种延时控制电路、控制装置、方法及车辆,该延时控制电路包括放电单元、单向导通单元和储能单元;放电单元连接在储能单元和第一预设电平之间,单向导通单元的第一端连接预设的控制组件,单向导通单元的第二端连接继电器和储能单元的第一端,储能单元的第一端还连接继电器,储能单元的第二端连接至第二预设电平;储能单元用于基于控制组件输出的使能电平储存电能,以及用于在控制组件停止输出使能电平后,基于储存的电能继续向继电器输出使能电平;放电单元用于在控制组件停止输出使能电平后,释放储能单元储存的电能;单向导通单元用于控制由第一端口至继电器之间的单向导通。基于上述装置,可以实现对于继电器的延时控制。

    一种砷化镓超宽带双刀双掷开关

    公开(公告)号:CN118264232A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410349374.8

    申请日:2024-03-26

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明涉及一种砷化镓超宽带双刀双掷开关,工作范围为1GHz~17GHz,包括接收端RX、发射端TX、天线端ANT1、天线端ANT2、输入电感、输出电感、4条支路和连接各个器件的微带线;4条支路的元件和结构相同,每个支路包括:串联连接的第一砷化镓pHEMT和第二砷化镓pHEMT,与第一砷化镓pHEMT并联连接的第三砷化镓pHEMT,与第三砷化镓pHEMT串接的接地隔直电容C0,以及2个控制电压信号端。本发明的双刀双掷开关插入损耗小于2.15dB;隔离状态下,隔离度大于22.08dB;具有导通状态下插入损耗小、工作频段宽的特点。此外,本发明的双刀双掷开关可以与WiFi‑FEM或雷达系统中的低噪声放大器、功率放大器、天线等模块单片集成,可以进一步减小整个系统的体积与功耗,并提高系统的可靠性。

Patent Agency Ranking