抗噪信号发生器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111917379B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN201911207258.8

    申请日:2019-11-29

    IPC分类号: H03B29/00 H03B1/00

    摘要: 本发明公开了抗噪信号发生器和生成抗噪信号的方法。该抗噪信号发生器包括用于以麦克风采样频率接收第一sigma‑delta调制信号的第一麦克风输入端。该第一麦克风输入端经由第一路径和第二路径耦接到组合器。该组合器适于组合来自该第一路径的第一滤波信号和来自该第二路径的第二滤波信号以生成该抗噪信号。该第一路径包括第一数字滤波器,该第一数字滤波器适于以等于或大于该麦克风采样频率的滤波器频率操作。该第二路径包括第二数字滤波器。该第一数字滤波器可以是包括sigma‑delta调制器的基于sigma‑delta的滤波器。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN117293132A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311319618.X

    申请日:2018-06-26

    摘要: 本发明的一方案提供的太赫兹元件具备半导体基板、第一导电层、第二导电层、能动元件。上述第一导电层以及第二导电层分别形成于上述半导体基板且相互绝缘。上述能动元件形成于上述半导体基板并与上述第一导电层以及上述第二导电层导通。上述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一天线部、在上述半导体基板的厚度方向视角上相对于上述能动元件位于第二方向侧的第一电容部、连接于上述第一电容部的第一导电部。上述第二方向与上述厚度方向和上述第一方向正交。上述第二导电层包括第二电容部。上述第二电容部层叠于上述第一电容部且从上述第一电容部绝缘。上述半导体基板包括从上述第一电容部以及上述第二电容部露出的露出部。上述第一导电部具有在上述厚度方向视角上隔着上述露出部从上述第一天线部向上述第二方向离开的部位。

    振荡器的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116915184A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310397668.3

    申请日:2023-04-13

    发明人: 山田洋平

    IPC分类号: H03B5/32 H03B1/00 H01L23/02

    摘要: 振荡器的制造方法。以低成本高效地制造容器尺寸、形状以及振荡器的输出特性互不相同的多种振荡器。振荡器的制造方法是包括第1振荡器以及第2振荡器的多种振荡器的制造方法,包括:准备振动器件,该振动器件包括振动元件、与振动元件电连接的振荡电路以及存储振荡电路的特性设定信息的存储电路;将振动器件收纳于第1容器而制造第1振荡器;将振动器件收纳于与第1容器不同种类的第2容器而制造第2振荡器;以及在存储电路中设定特性设定信息,收纳于第1容器的振动器件以及收纳于第2容器的振动器件是同一种类的振动器件。

    具有三阶谐波囚禁的集成式电感电容谐振腔

    公开(公告)号:CN116647190A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310013002.3

    申请日:2023-01-05

    发明人: 梁宝文 林嘉亮

    IPC分类号: H03B5/12 H03B1/00

    摘要: 一种具有三阶谐波囚禁的集成式电感电容谐振腔,包含初级8形电感器与串联电感电容网络,初级8形电感器与串联电感电容网络跨越第一节点与第二节点并联连接并且使用在基板上制造的多层结构布局,其中:由于布局对称,初级8形电感器与串联电感电容网络之间的磁耦合被减轻,以及串联电感电容网络的谐振频率等于电感电容谐振腔的谐振频率的三倍。

    温度补偿振荡器驱动器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115967355A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202310033968.3

    申请日:2017-03-10

    IPC分类号: H03B1/00 H03K3/011 H03K3/012

    摘要: 本申请涉及一种温度补偿振荡器驱动器。电路(100)包含具有驱动器(130)及谐振器(132)的振荡器(110)。所述驱动器(130)接收供应输入(140)处的供应电压并提供驱动输出(150)以驱动所述谐振器(132)产生振荡器输出信号(114)。电力转换器(170)接收输入电压并产生到所述驱动器(130)的所述供应输入(140)的所述供应电压。所述电力转换器(170)中的温度追踪装置(180)基于温度控制到所述驱动器(130)的所述供应输入(140)的所述供应电压的电压电平,使得所述供应电压与所述电路(100)的所述温度逆向变化。

    一种自旋纳米振荡器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113452324B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202011136345.1

    申请日:2020-10-22

    IPC分类号: H03B15/00 H03B1/00

    摘要: 本发明提供一种自旋纳米振荡器,依次包括:强自旋轨道耦合层、第一自由层、探测器的第一势垒层以及探测器的参考层,自旋轨道矩电流通过所述强自旋轨道耦合层输入,在所述强自旋轨道耦合层与所述第一自由层之间的界面交互作用的辅助下,诱导所述第一自由层磁矩发生进动,引发磁畴壁周期性振荡,所述探测器检测磁矩变化并通过所述探测器输出周期性信号,读写路径分离,防止击穿。

    一种大功率射频谐振发生装置

    公开(公告)号:CN114614769A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202210236172.3

    申请日:2022-03-10

    摘要: 一种大功率射频谐振发生装置,属于射频发生器技术领域,解决传统的微波电路输出功率小、能耗高、输出频率不稳定的问题,通过调节极板空气电容的极板之间间距的大小,使得谐振变压器电路一次侧和二次侧的谐振频率保持一致使得输出的功率更大,在输入端设计了输入滤波电路改善了高频谐波对电路的影响,真空电子管电路的栅极输入电流更加稳定,使得输出的功率更加稳定;补偿电路提高了电路的功率因数,减小了功率消耗;具有结构紧凑、输出射频频率稳定、功率大、能量的转换效率高的优点;应用于食品杀菌杀虫,鲜果钝酶及快速解冻等大型工业化场景。

    一种基于滤波器的自旋纳米振荡器同步方法

    公开(公告)号:CN111969954A

    公开(公告)日:2020-11-20

    申请号:CN202010804256.3

    申请日:2020-08-12

    IPC分类号: H03B15/00 H03B1/00

    摘要: 本发明公开了一种基于滤波器的自旋纳米振荡器同步方法,包括磁性薄膜组成的耦合薄膜和位于耦合薄膜之上的非磁性重金属薄膜,至少两组以上所述自旋纳米振荡器以并联的形式连接并在所述自旋纳米振荡器的信号输出端设置带通滤波器,将多个所述自旋纳米振荡器发射出的信号进行滤波,所述带通滤波器的输出端通过电磁线圈产生平行于自旋纳米振荡器固定层磁矩的磁场,通过该磁场对分别对所述自旋纳米振荡器产生反馈作用,实现多个自旋纳米振荡器的同步。本发明通过设置滤波器可以对不同频率的信号产生稳定的相移,不需要产生很强的反馈磁场即可使自旋纳米振荡器同步,由于相移对于同步的影响较大,产生稳定的相移可以极大的降低热噪声的影响。

    双极栅极驱动器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105940453A

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201480074338.X

    申请日:2014-01-28

    IPC分类号: G11C7/00 H03B1/00

    摘要: 根据一个方面,本发明的实施例提供栅极驱动器,该栅极驱动器包括电平移位器电路,其被配置为耦合至控制器以用于接收来自控制器的控制信号,每个控制信号具有相对于控制接地的电压,以及用于相对于芯片接地重新定义每个控制信号的电压以生成重新定义的控制信号;栅极驱动器芯片,其耦合至电平移位器电路并被配置为耦合至至少一个半导体器件,该栅极驱动器芯片进一步被配置为基于重新定义的控制信号向至少一个半导体器件提供双极控制信号;以及至少一个电源,其被配置为向栅极驱动器芯片提供至少一个正供应电压以及向栅极驱动器芯片和向芯片接地提供至少一个负供应电压。

    绝缘单极性晶体管栅极驱动器

    公开(公告)号:CN105493398A

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201380079227.3

    申请日:2013-07-31

    IPC分类号: H03B1/00

    摘要: 根据一方面,晶体管栅极驱动器包含被配置为耦合到DC电压源的第一输入端;被配置为接收控制信号的第二输入端;被配置为耦合到接地连接部的第三输入端;变压器;第一开关,其被配置为将第一输入端耦合到变压器的初级绕组的第一端以响应接收到控制信号,以及从初级绕组的第一端去耦合第一输入端以响应于接收到控制信号;第二开关,其被配置为将初级绕组的第二端耦合到第三输入端以响应接收到控制信号,以及从第三输入端去耦合初级绕组的第二端以响应接收到控制信号。