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公开(公告)号：CN118974935A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031723.5
申请日：2023-03-28
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 显示装置包括：数据线，设置在第一电压布线和第二电压布线之间并且在第一方向上延伸；第一电极，布置成在第一方向上延伸并且电连接到第一电压布线；第二电极，在第二方向上与第一电极间隔开，在第一方向上延伸，并且电连接到第二电压布线；多个发光元件，设置在第一电极和第二电极上；以及第一连接图案和第二连接图案，第一连接图案电连接到第一电压布线，第二连接图案电连接到数据线，第一连接图案和第二连接图案布置成与第一电极和第二电极间隔开，其中，第一连接图案和第二连接图案与第一电极和第二电极设置在相同的层中，并且第一连接图案和第二连接图案布置成彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN118969927A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411105399.X
申请日：2019-03-07
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 发光二极管包括：第一半导体层；活性层，设置在第一半导体层的一个表面上；第二半导体层设置在活性层上；绝缘膜围绕第一半导体层、活性层和第二半导体层中的每个的外周表面；以及电极层设置在第二半导体层上。第一半导体层包括其外周表面覆盖有绝缘膜的第一区域和未覆盖有绝缘膜的第二区域。第一半导体层的在第一区域中的外周表面和第一半导体层的在第二区域中的外周表面具有不同的周长。
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公开(公告)号：CN118969812A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410911169.6
申请日：2024-07-08
申请人： 厦门三安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管及其制造方法及显示装置，本发明的发光二极管中，发光外延结构包括上下叠置的蓝光外延结构和绿光外延结构，以及与绿光外延结构间隔排布的红光外延结构。外延结构的上述设置方式，可以分别对红光外延结构和蓝光及绿光外延结构进行转移并键合，降低了外延结构转移的难度，提高转移良率以及产品的可靠性。各个外延结构均具有单独控制的电极结构，能够实现各色芯片独立控制，实现全色域显示。
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公开(公告)号：CN118943159A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410998141.0
申请日：2024-07-24
申请人： 天津工业大学
IPC分类号： H01L27/15 , G03B21/20 , G03B21/14 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/06 , H01L33/44 , H01L33/42 , H01L33/38 , H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种Micro LED微显示阵列芯片及微型投影系统，属于半导体微显示技术领域，包括由四块独立的三棱镜拼接而成的正方体合色棱镜组，分别为绿光入射棱镜、红光入射棱镜、蓝光入射棱镜和出光棱镜；贴装在合色棱镜组入光面的Micro LED微显示阵列芯片，包括绿色Micro LED微显示阵列芯片、红色Micro LED微显示阵列芯片和蓝色Micro LED微显示阵列芯片；位于合色棱镜组出光面外侧且与出光棱镜光轴重合的光投影部；本发明解决了Micro LED微显示芯片的三基色图像合成的全彩图像模糊、像素间光串扰过大、巨量转移成品率较低和电极占用面积过大的技术问题。
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公开(公告)号：CN107507896B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201710873379.0
申请日：2017-09-25
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种紫外LED光源倒装结构，包括：衬底，在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层。贯穿金属反射层以及部分电流扩展层的第一电极凹槽；贯穿n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层的第二电极凹槽；与第一电极凹槽接触连接的p电极，与第二电极凹槽接触连接的n电极；设置于外延层结构背离衬底一侧的环形金属条结构，环形金属条结构对p电极以及n电极进行环形包裹，且与p电极连接，与n电极不连接。该紫外LED光源倒装结构具有发光效率高、防静电释放危害、散热快、抗老化及可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN118867082A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411242494.4
申请日：2024-09-05
申请人： 江西乾照光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法、照明设备，涉及半导体技术领域。电极焊盘和电极手指均由反射电极层和电极层两层膜层组成，第一反射电极层可以提高电极手指处的光反射率，第二反射电极层可以提高电极焊盘处的光反射率，进而达到提高LED芯片发光效率的目的。第一电极层和第二电极层可以理解为常规LED芯片的电极层，第一电极层覆盖第一反射电极层，第二电极层覆盖第二反射电极层，可避免反射电极层与外延层发生剥落；并且第二电极层还与外延层自身的凸起结构接触，这一部分的接触稳定性相对来说会高于第二电极层与第二反射电极层的接触稳定性，可避免第二电极层和第二反射电极层之间发生剥落，以此综合提高电极结构的稳定性。
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公开(公告)号：CN113594306B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110703955.3
申请日：2021-06-24
申请人： 纳微朗科技(深圳)有限公司
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种微型半导体发光器件及其制造方法。该微型半导体发光器件包括：转移衬底、第一功能层、第二功能层以及垂直型发光二极管；第一子部与第四子部组成支撑部，二者依次层叠设置在转移衬底的一侧；第二子部与第五子部组成悬空薄壁部，二者依次层叠设置且与转移衬底无接触；第三子部、第六子部以及垂直型发光二极管组成悬空发光部且与转移衬底无接触；其中，支撑部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度，且悬空薄壁部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度。通过上述方式，能够提高悬空发光部转移的成功率。
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公开(公告)号：CN112582513B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202011465318.9
申请日：2019-08-28
申请人： 首尔伟傲世有限公司
摘要： 本发明揭示一种发光二极管芯片，包括：基板；发光构造体，配置于基板上，包括第一导电型半导体层及配置到第一导电型半导体层的一部分区域上的台面；透明电极，配置于台面上；接触电极，配置第一导电型半导体层上；第一绝缘反射层，覆盖发光构造体、透明电极及接触电极的至少一部分；第一焊垫电极，配置于透明电极的上部区域及位于第一绝缘反射层上，并电连接到接触电极；第二焊垫电极，配置于透明电极的上部区域及电连接到接触电极；以及第二绝缘反射层，配置到基板的下部，其中第一及第二绝缘反射层的至少一者具有至少两个区域具有不同反射率的特性。本发明可利用第一绝缘反射层反射朝向焊垫电极侧行进的光，从而可减少因金属层产生的光损耗。
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公开(公告)号：CN118805260A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202280092651.0
申请日：2022-11-18
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L25/075
摘要： 该发光元件包括：第一半导体层；发光层，布置在第一半导体层上；第二半导体层，布置在发光层上；电极层，布置在第二半导体层上；以及绝缘涂膜。绝缘涂膜围绕第一半导体层、发光层和第二半导体层的侧表面，并且在其上布置有电极层的第一端部处围绕电极层的一部分。电极层包括与第二半导体层相邻的第一表面和面对第一表面的第二表面，并且第二表面具有比第一表面的宽度大的宽度。
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