公开(公告)号：CN118981125A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411028136.3

申请日：2024-07-30

申请人： 重庆惠科金渝光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 姚登莉 ,  刘凯军 ,  袁海江

IPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12

摘要： 本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板，涉及显示技术领域，其中，该阵列基板包括衬底基板；形成在衬底基板上的加热层；形成在加热层上的加热电极；覆盖在加热层和加热电极上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的薄膜晶体管层；加热电极在第一方向的宽度小于加热层的宽度。本申请提供的技术方案可以在低温情况下通过加热层对液晶层进行加热，以提高液晶的活性，从而可以减少液晶的偏转时间，提高显示质量。

公开(公告)号：CN118689010B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411193222.X

申请日：2024-08-28

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 龙时宇 ,  宋德伟

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1335

摘要： 本申请公开了一种显示面板及显示装置。第一绝缘层设置于第一透明电极层与第二透明电极层之间。第二绝缘层设置于第一遮光金属层与第二遮光金属层之间且与第一绝缘层接触。在显示区中第二绝缘层在基板上的正投影覆盖第一透明电极层在基板上的正投影。如此，增加第二绝缘层的覆盖面积，进而减小第二绝缘层的刻蚀面积，简化遮光叠层的制造难度。同时，改善刻蚀第二绝缘层过程中对第一透明电极层与第二透明电极层之间的第一绝缘层造成过蚀刻的问题，改善第一绝缘层减少导致第一透明电极层与第二透明电极层形成的存储电容的性能降低的问题。

公开(公告)号：CN112543907B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201980051575.7

申请日：2019-07-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  楠纮慈 ,  石谷哲二

IPC分类号： G06F3/042 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/041 ,  G09F9/00

摘要： 提供一种方便性或可靠性良好的新颖输入输出装置。本发明是一种包括显示部及输入部的输入输出装置，显示部包括液晶元件。液晶元件包括第一电极、第二电极、包含液晶材料的层、第一取向膜及第二取向膜，第二电极以对第二电极与第一电极间的包含液晶材料的层施加电场的方式配置。包含液晶材料的层在电场处于第一状态时使入射光以第一散射强度散射，包含液晶材料的层在电场处于大于第一状态的第二状态时使入射光以第二散射强度散射，第二散射强度为第一散射强度的10倍以上。包含液晶材料的层包含液晶材料及高分子材料，包含液晶材料的层由高分子材料稳定化。另外，输入部具有检测区域，输入部检测靠近检测区域的物体，检测区域具有与像素重叠的区域，检测区域包括检测器。

公开(公告)号：CN111162091B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201910964764.5

申请日：2019-10-11

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 洪基表 ,  南宫浣 ,  李胜揆 ,  姜炫丞 ,  安炳宰

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1368

摘要： 本公开涉及一种液晶显示器及用于制造液晶显示器的方法。所述液晶显示器包括：栅极线，连接到栅电极；半导体层，设置在所述栅极线上并包括硅；欧姆接触层，设置在所述半导体层上；以及数据导体，设置在所述欧姆接触层上，其中，所述半导体层包括源极区、漏极区以及设置在所述源极区和所述漏极区之间的沟道区，其中，所述数据导体包括传输数据信号的数据线、与所述源极区对应的源电极和与所述漏极区对应的漏电极，其中，所述半导体层的沟道台阶的厚度大于#imgabs0#且等于或小于#imgabs1#其中，所述沟道台阶是所述源极区或所述漏极区中的上表面与所述沟道区中的上表面之间的高度差，以及其中，所述源极区或所述漏极区中的所述上表面具有所述半导体层的最大高度。

公开(公告)号：CN118866977A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411277545.7

申请日：2019-07-24

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  中泽安孝 ,  保本清治 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/28

摘要： 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。

公开(公告)号：CN118866976A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202310464596.X

申请日：2023-04-26

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

发明人： 刘艳 ,  王小元 ,  郭晖 ,  吴忠山 ,  杨国栋 ,  蒲巡 ,  郭建东 ,  朱嫄媛

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本公开实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、基板、显示装置。薄膜晶体管包括依次层叠设置在衬底一侧的栅电极、栅绝缘层、有源层以及源漏电极层，源漏电极层包括沿第一方向间隔设置的第一极和第二极，栅电极在衬底上的正投影和第一极在衬底上的正投影相交的部分为第一交叠部分，第一交叠部分在衬底上的正投影位于有源层在衬底上的正投影内。本公开技术方案可以有效降低DGS发生率，提升产品的良率，保证产品品质的稳定性。

公开(公告)号：CN118866909A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410501977.5

申请日：2024-04-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

发明人： 刘威 ,  刘凤娟 ,  胡合合

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H10K59/12 ,  H10K59/122 ,  H10K59/131 ,  H10K71/00 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1362

摘要： 本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。显示基板包括：设置在衬底上的氧化物半导体层、预制绝缘层、第一导电材料层和预制膜层，氧化物半导体层包括第一有源层，第一有源层包括第一沟道区域以及位于两侧的第一导体化区域和第二导体化区域，预制绝缘层开设有预制过孔；第一导电材料层位于预制绝缘层上侧，包括第一导电电极和第一极，第一极与预制过孔至少部分交叠，第一极与第一导体化区域连接；预制膜层位于第一导电材料层的上侧，并与第一极至少部分交叠，数据线通过第一极与第一导体化区域连接。本公开的技术方案，可以降低显示基板中数据线与薄膜晶体管之间的连接电阻，提升了产品性能。

公开(公告)号：CN118859594A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411103296.X

申请日：2024-08-12

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 龙时宇 ,  艾飞 ,  宋德伟

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1335

摘要： 本申请公开了一种显示面板及显示装置，显示面板具有显示区以及位于显示区外围的边框区，显示面板包括第一基板和第二基板；第一基板包括第一衬底、薄膜晶体管层、色阻层、像素电极层、介电层以及金属遮光层，薄膜晶体管层设置于第一衬底朝向第二基板的一侧；色阻层设置于薄膜晶体管层远离第一衬底的一侧；像素电极层设置于色阻层远离第一衬底的一侧；介电层设置于像素电极层与薄膜晶体管层之间，介电层设置有第一过孔，像素电极层通过第一过孔与薄膜晶体管层电性连接；金属遮光层包括位于显示区的第一遮光部；其中，第一遮光部设置于像素电极层远离色阻层的一侧，第一遮光部在第一衬底上的正投影与第一过孔在第一衬底上的正投影相离设置。

公开(公告)号：CN111948860B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202010264139.2

申请日：2020-04-07

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 全映宰 ,  姜信宅 ,  金秀仁 ,  朴周用 ,  李基郑 ,  郑松叶

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 公开了一种液晶显示器。该液晶显示器包括：栅极线；数据线，与栅极线交叉；第一电压线，与栅极线分隔开；第二电压线；第一晶体管，包括连接到栅极线的第一栅电极、连接到数据线的第一源电极以及第一漏电极；第二晶体管，包括连接到栅极线的第二栅电极、连接到数据线的第二源电极以及第二漏电极；第三晶体管，包括连接到第一电压线的第三栅电极、连接到第二漏电极的第三源电极以及连接到第二电压线的第三漏电极；第一液晶电容器，连接到第一晶体管的第一漏电极；以及第二液晶电容器，连接到第二晶体管的第二漏电极。

公开(公告)号：CN118660523A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410874245.0

申请日：2024-07-01

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 李壮 ,  熊文慧 ,  艾飞 ,  宋德伟

IPC分类号： H10K59/121 ,  H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  G02F1/1368

摘要： 本申请公开了显示面板及显示终端。显示面板包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源部、功能层、栅绝缘层和栅极，有源部包括沟道部，沟道部包括主体部和边缘部，边缘部包括第一侧壁；功能层覆盖至少部分第一侧壁；栅极在基板上的正投影与沟道部在基板上的正投影重叠；其中，功能层与第一侧壁接触设置，功能层与第一侧壁的界面缺陷态密度大于主体部与栅绝缘层的界面缺陷态密度。本申请通过在至少部分第一侧壁覆盖功能层，且功能层与第一侧壁的界面缺陷态密度大于主体部与栅绝缘层的界面缺陷态密度，从而使功能层与第一侧壁的界面恶化，抑制边缘部对应的晶体管的开启，从而降低驼峰效应的影响，提升电路的充电能力。