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公开(公告)号：CN118957747A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411071501.9
申请日：2024-08-06
申请人： 武汉工程大学
摘要： 本发明公开了一种杂化钙钛矿单晶微米片材料的制备方法。其步骤为：1)以PbI2粉末作为反应源，采用化学气相沉积(CVD)系统，在衬底上真空加热生长得到含有六边形和梯形形状的PbI2微米片；2)以FAI粉末作为反应源，采用化学气相沉积(CVD)系统，在步骤1)所得表面具有六边形和梯形形状PbI2微米片的衬底上继续真空加热生长得到含有六边形和梯形形状的FAPbI3单晶微米片，其中梯形垂直于衬底生长，六边形平行于衬底生长，即得杂化钙钛矿单晶微米片材料。该方法制备过程简单，所得FAPbI3单晶质量高，杂质少，具有更大的激子结合能，有利于光吸收效率和载流子寿命，具有重要的应用前景，有利于工业化推广。
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公开(公告)号：CN114606570B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202210076428.9
申请日：2022-01-24
申请人： 科晶瑞思(苏州)科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种铯铪氯闪烁晶体的制备方法，涉及闪烁晶体材料技术领域。所述Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法，包括以下步骤，S1先将CsCl和HfCl4加入到酸性溶液中搅拌加热，得到前驱体溶液；所述酸性溶液为盐酸溶液；S2将所述前驱体溶液加热，后进行分步骤降温、生长，得到所述Cs2HfCl6闪烁晶体。本发明所述的Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法相较于常规布里奇曼生长方法而言成本低廉无需真空石英坩埚等设备，无需高温、操作简易、原料成本低廉、原料利用率高，且溶液可回收利用。
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公开(公告)号：CN116377593B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310329642.5
申请日：2023-03-30
申请人： 河南驭波科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种降低氟化镁晶体空位缺陷的方法，采用真空炉，真空炉内设置有支撑杆和加热器，所述支撑杆顶部设置有石墨托盘，所述支撑杆用于调节石墨托盘在真空炉内的高度，先切割清洗去除氟化镁晶体毛坯表面的杂质，随后在真空炉内的石墨托盘上用高纯度的氟化铅粉末包裹氟化镁晶体毛坯，随后通过真空和充入99.9999％的高纯氩气配合去除炉内杂质，接着向真空炉内充入CF4气体，进行补偿氟化镁晶体毛坯中的F‑离子空位；扩散过程结束后抽去炉内残余气体后取出氟化镁晶体。本发明处理成本低，在不会影响晶体的光学质量前提下，还能有效提高透过率和抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN118501922A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410575639.6
申请日：2024-05-10
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请涉及复合晶体材料技术领域，尤其涉及一种超快辐射探测用复合晶体及其制备方法；所述复合晶体包括基底晶体，以及覆盖在基底晶体表面的表层晶体，基底晶体为闪烁体材料，表层晶体包括二维钙钛矿单晶材料；通过以传统闪烁体作为基底，再在基底上通过原位生长覆盖上一层二维钙钛矿单晶材料，可以通过二维钙钛矿单晶材料改善传统闪烁体材料的缺陷，避免载流子输运过程中的缺陷俘获，实现复合晶体的高效率发光且较短的发光寿命，同时由于闪烁体的有效原子序数较高，因此可以提高复合晶体对辐射粒子的阻挡能力，因此该复合晶体可以实现高辐射粒子阻挡能力的同时兼具发光效率高和发光寿命短的优点。
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公开(公告)号：CN118422331A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410607800.3
申请日：2024-05-16
申请人： 北京理工大学
摘要： 本发明属于纳米材料制备与多晶薄膜制备技术领域，旨在解决现有技术中采用两步沉积方式制备多晶薄膜对于制备环境敏感、不利于工业化和以及多晶薄膜完整度欠佳的问题。本发明提供一种采用两步沉积方式制备多晶薄膜的方法，该方法包括：将预先制备完成的卤化铅前驱液涂布在基底上；将具有设定溶剂的溶液涂布在具有卤化铅前驱液的基底上；对经过两步涂布后的薄膜进行退火处理，以得到多晶薄膜；其中，设定溶剂包括异丁醇、异戊醇、碳酸丙烯酯和碳酸亚乙酯中的至少一种。本发明能够实现在低水氧值和高湿度环境下均能够制备出高质量的多晶薄膜，降低对制备环境的依赖性，制备方式简单，实验重复性高，利于工业化，薄膜质量一致性好且具有环境普适性。
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公开(公告)号：CN115404546B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211064541.1
申请日：2022-09-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明提供了一种锂铊共掺碘化钠闪烁晶体制备方法，该方法包括如下步骤：按照组成配比称量各种原料，各种原料至少包括碘化钠和碘化锂(6LiI)；将称量的原料放入石英坩埚，石英坩埚的内壁附有碳膜，所述碳膜的厚度为1～100μm；将密封好的坩埚竖直放置于生长炉中，坩埚升温至原料熔化后坩埚在生长炉内下降；获得锂铊共掺碘化钠闪烁晶体。本发明的方法采用内壁附着碳膜的石英坩埚制备锂铊共掺碘化钠闪烁晶体，通过内壁附着的碳膜防止碘化钠在高温下与石英坩埚反应，从而提高锂铊共掺杂碘化钠闪烁晶体的光输出、高能量分辨率、中子/伽马射线甄别能力，同时，该制备方法可制备大尺寸、无色透明、无开裂的锂铊共掺杂碘化钠闪烁晶体，使之更适用于实际应用。
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公开(公告)号：CN114775052B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210220717.1
申请日：2022-03-08
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 本发明公开了一种面向4～5微米全固态激光器的铥镝共掺低声子能量溴化物激光晶体及其制备方法，涉及中红外激光材料与器件领域。该晶体分子式为M(TmxDyyPb1‑x‑y)2Br5，其中M为金属元素K、Rb、Tl，x取值范围为：0.01≤x≤0.1，y取值范围为：0.001≤y≤0.05。该激光晶体中，铥离子作为敏化离子，吸收近红外波段商业半导体激光器能量并传递给镝离子。镝离子作为激活离子，通过Dy3+:6H11/2→6H13/2跃迁获得4～5微米波段高效激光输出。低声子能量的M(TmxDyyPb1‑x‑y)2Br5晶体具备优异的激光特性且能通过商业LD直接泵浦，能够推动镝激活中红外激光器的小型化发展。
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公开(公告)号：CN118186566A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410297042.X
申请日：2024-03-15
申请人： 暨南大学
摘要： 本发明涉及钙钛矿单晶材料技术领域，特别是涉及全无机ABX结构的大尺寸钙钛矿单晶材料及其制备方法。本发明方法包括以下步骤：按所述全无机ABX结构的大尺寸钙钛矿单晶材料的原子配比选取原料混合溶解于酸中，加热挥发溶液，之后降温结晶，得到钙钛矿单晶；将所述钙钛矿单晶利用布里奇曼法制备出所述全无机ABX结构的大尺寸钙钛矿单晶材料。本发明通过将降温结晶所得的钙钛矿单晶采取布里奇曼法制备出大尺寸单晶；本发明方法简单，利用本发明方法制备得到的全无机ABX结构的大尺寸钙钛矿单晶材料对于波长小于400nm的紫外光和X射线有较好的反应，在X射线探测领域有很好的应用潜力，可以用于X射线探测器件制备。
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