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公开(公告)号:CN118804996A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202380025241.9
申请日:2023-02-27
申请人: 爱恩卡夫特有限责任公司
发明人: M·亚瑞兹
IPC分类号: C23C16/40 , C23C16/511 , C23C16/515 , C23C16/04 , C23C16/02 , C08J7/04 , C08J7/048 , B05D1/00
摘要: 本发明涉及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)进行塑料涂层的领域。通过本发明,特别是用于储存侵蚀性化学品的可回收再利用的塑料容器能够被涂覆稳定的迁移屏障。本发明公开了一种工艺和一种涂层。利用该工艺,可以由至少一种前体和反应气体的工艺气体混合物沉积涂层,该反应气体被激发形成等离子体。通过调整工艺气体混合物中的反应气体含量和改变与质量相关的激发能量,可以在塑料基板上沉积梯度涂层而产生化学抗性的迁移屏障。
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公开(公告)号:CN118786508A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202380024171.5
申请日:2023-02-28
申请人: 通快许廷格有限公司
摘要: 本发明涉及一种高功率发生器(10)和一种向容性负载,特别是向等离子体过程传输具有高电压值和/或高电流值的脉冲高功率的方法,所述高功率发生器包括:若干低功率发生器(14、16、18),每个低功率发生器(14、16、18)包括储能组件(C1、L1),其中,在使用中,所述储能组件(C1、L1)被充电到与所述储能组件相关的预定值,每个低功率发生器(14、16、18)在使用中在其输出端提供低功率发生器值,所述低功率发生器值对应于包括在相应的低功率发生器(14、16、18)中的储能组件(C1、C2、Cn、L1、L2、Ln)的值,耦合器(20),其中,所述低功率发生器(14、16、18)电连接,使得能够获得对应于高功率发生器(10)的输出值的耦合器(20)输出端的耦合值,并且所述耦合值在使用中至少在高功率发生器(10)的某些状态下高于其中一个低功率发生器(14,16,18)输出端的低功率发生器值,控制单元(22),其配置成能够在所述高功率发生器(10)的功率传输期间选择低功率发生器(14、16、18)对高功率发生器(10)的输出值的贡献,以便在所述耦合器(20)的输出端产生脉冲的上升和/或衰减,其中,高功率发生器(10)至少部分地直接被液体冷却,特别是通过浸没介质冷却液,特别是所述低功率发生器(14、16、18)通过介质冷却液浸没。
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公开(公告)号:CN118422173A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410118356.9
申请日:2024-01-29
申请人: ASM IP私人控股有限公司
IPC分类号: C23C16/515 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/458
摘要: 公开了适用于气相过程的方法、系统和组件。示例性组件包括基座板和基座附件。基座附件可以包括斜坡区域和位于斜坡区域上方和外部的电导控制区域。方法、系统和组件可用于在衬底表面上获得期望的材料分布(例如成分和/或厚度)。
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公开(公告)号:CN118291946A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410728483.0
申请日:2024-06-06
申请人: 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
IPC分类号: C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/515 , C23C16/505 , C23C16/02
摘要: 本发明提供一种可改善深孔填充均匀性的薄膜沉积方法,包括步骤:S1:提供沉积腔室,进行预热;S2:通入含硅气体和氧化性气体,流量比大于2,保持沉积腔室内的压强为550torr~600torr且温度为400℃~550℃的情况下,于沉积腔室内壁表面沉积氧化硅保护膜;S3:将形成有若干开孔的衬底置于沉积腔室中,通入含硅气体和氧化性气体,氧化性气体和含硅气体的流量比大于2,于开孔内表面沉积第一氧化硅层;S4:通入第三预设时长的含硅气体和氧化性气体,对沉积腔室施加脉冲射频功率并同时对衬底施加偏压脉冲功率,以于第一氧化硅层表面沉积第二氧化硅层,其中,脉冲射频功率的高频功率为500w~700w,低频功率100w~3000w,偏压脉冲功率为200w~400w。本发明有助于提高深孔填充均匀性。
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公开(公告)号:CN115772658B
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202211073184.5
申请日:2022-09-02
申请人: 皮考逊公司
发明人: T·布隆贝格
IPC分类号: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/515 , H01J37/32
摘要: 本公开的实施例涉及一种前驱体容器,包括:第一容积,由第一腔室形成以容纳前驱体材料;第二容积,由第二腔室形成并通过分隔壁与第一容积分开;以及导管,穿过分隔壁并从第一容积延伸到第二容积,在第一容积中的压力增加之后,向被容纳在第一容积中的前驱体材料提供到第二容积的路径。分隔壁是允许气体从第一容积渗透至第二容积的透气壁。
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公开(公告)号:CN118028771A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202410307942.8
申请日:2024-03-18
申请人: 北方工业大学
IPC分类号: C23C16/27 , C23C16/515 , C23C16/54
摘要: 本发明提供一种调控等离子体制备高强韧性孪晶金刚石环的方法,涉及化学气相沉积技术领域。所述方法包括以下步骤:步骤S1、制备圆环状衬底;步骤S2、采用旋转脉冲法进行初次沉积,得到初加工孪晶金刚石环;步骤S3、采用旋转脉冲法进行二次沉积,得到再加工孪晶金刚石环;步骤S4、孪晶金刚石环表面处理。本发明通过旋转脉冲法调控等离子体源的相对旋转速度的大小,产生脉冲式能量波动。所述方法具有设备操作简单,制备难度低等优点,所得孪晶金刚石环具有高强硬度及韧性,可用于纯金刚石砂轮等生产实际应用。
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公开(公告)号:CN117904607A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202211246102.2
申请日:2022-10-12
申请人: 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
发明人: 宗坚
IPC分类号: C23C16/515 , C23C16/24
摘要: 本发明的具体实施方式提供一种有机硅纳米疏水膜层及其制备方法,所述有机硅纳米疏水膜层由硅氧烷类单体等离子体聚合沉积形成,制备过程中,通入气态的硅氧烷类单体,开启双电极向等离子体反应腔室内放电,所述硅氧烷类单体在所述基材表面等离子体化学气相沉积形成有机硅纳米疏水膜层。采用本发明的具体实施方式所述的制备方法,有效克服硅氧烷类单体进入等离子腔室沉积引起的基材表面不同位置的膜层厚度差异较大的问题,且有助于提升镀膜速度和膜层的耐磨性。
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公开(公告)号:CN117721447A
公开(公告)日:2024-03-19
申请号:CN202311748955.0
申请日:2023-12-19
申请人: 福州欧凯医疗科技有限公司
发明人: 谢珍玲
IPC分类号: C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/18 , C23C16/458 , B05D1/00
摘要: 本发明公开了利用气相沉积法使角膜塑形镜表面形成抗菌层的方法,其特征在于,包括以下步骤:使用化学气相沉积法在角膜塑形镜表面先后沉积聚二甲基硅氧烷(PDMS)、银纳米粒子和纳米级二氧化钛(TiO₂);其中,PDMS沉积过程的温度控制在150°C至200°C,压力为1至2 Torr,沉积时间为10至20分钟;银纳米粒子沉积过程的温度控制在200°C至250°C,压力为0.5至1.5 Torr,沉积时间为15至30分钟;TiO₂纳米粒子沉积过程的温度控制在250°C至300°C,压力为0.8至1.5 Torr,沉积时间为20至40分钟;该方法不仅提高了角膜塑形镜的安全性和舒适性,还显著增强了其抗菌能力,从而在保护佩戴者眼部健康的同时,延长了镜片的使用寿命。
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公开(公告)号:CN117721439A
公开(公告)日:2024-03-19
申请号:CN202311789206.2
申请日:2023-12-22
申请人: 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号: C23C16/24 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/02 , C23C16/56
摘要: 本发明提供一种基于乙硼烷气体进行PECVD沉积P‑poly硅的方法及硅片与装置系统,所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空、PECVD沉积和热退火处理;其中,所述升温的目标温度为250‑420℃;所述PECVD沉积的压力为1000‑3000mTorr,工艺气体包括SiH4和B2H6,稀释气体包括H2和/或Ar。本发明提供的方法克服了传统LPCVD沉积存在的诸多问题,缩短了耗时及制程,降低了能耗,提升了转换效率,有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号:CN117721438A
公开(公告)日:2024-03-19
申请号:CN202311783520.X
申请日:2023-12-22
申请人: 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号: C23C16/24 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/02
摘要: 本发明提供一种PECVD沉积P‑poly硅的方法及硅片与装置系统,所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空和PECVD沉积;其中,所述升温的目标温度≤500℃;所述PECVD沉积的压力≤5000mTorr,功率≤18kW,脉冲开关比≥1/25,工艺气体包括SiH4和B2H6,稀释气体包括H2和/或Ar。本发明提供的方法在PECVD沉积P‑poly硅的过程中,解决了爆膜和粉尘等问题的同时避免了石墨舟炉口烧焦,提升了膜色均匀性,有利于大规模推广应用。
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