-
公开(公告)号：CN118786508A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380024171.5
申请日：2023-02-28
Applicant: 通快许廷格有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高功率发生器(10)和一种向容性负载，特别是向等离子体过程传输具有高电压值和/或高电流值的脉冲高功率的方法，所述高功率发生器包括：若干低功率发生器(14、16、18)，每个低功率发生器(14、16、18)包括储能组件(C1、L1)，其中，在使用中，所述储能组件(C1、L1)被充电到与所述储能组件相关的预定值，每个低功率发生器(14、16、18)在使用中在其输出端提供低功率发生器值，所述低功率发生器值对应于包括在相应的低功率发生器(14、16、18)中的储能组件(C1、C2、Cn、L1、L2、Ln)的值，耦合器(20)，其中，所述低功率发生器(14、16、18)电连接，使得能够获得对应于高功率发生器(10)的输出值的耦合器(20)输出端的耦合值，并且所述耦合值在使用中至少在高功率发生器(10)的某些状态下高于其中一个低功率发生器(14，16，18)输出端的低功率发生器值,控制单元(22)，其配置成能够在所述高功率发生器(10)的功率传输期间选择低功率发生器(14、16、18)对高功率发生器(10)的输出值的贡献，以便在所述耦合器(20)的输出端产生脉冲的上升和/或衰减，其中，高功率发生器(10)至少部分地直接被液体冷却，特别是通过浸没介质冷却液，特别是所述低功率发生器(14、16、18)通过介质冷却液浸没。
-
公开(公告)号：CN116508247A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202180057276.1
申请日：2021-08-05
Applicant: 通快许廷格有限公司
IPC: H02M1/088
Abstract: 一种高压开关单元(HVU)，包括：高压开关(HVS)，其包括多个串联的半导体开关(S1、S2、Si、Sn)。一种平衡串联在高压开关(HVS)中的开关(S1、S2、Si、Sn)上的电压分布的方法，其中，缓冲器装置(10、10'、12、12'、14、14')分别与每个开关(S1、S2、Si、Sn)相关联，所述方法包括以下步骤：a.确定与第一开关(S1)的缓冲器装置(10、10'、12、12'、14、14')相关的第一量；b.确定与第二开关(S2、Si、…Sn)的缓冲器装置(12、12'、14、14')相关的第二量；c.比较所述第一量和所述第二量；d.基于比较结果，根据所述第一量调节至少第一开关(S1)的驱动信号(6)。
-
公开(公告)号：CN118805237A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380024189.5
申请日：2023-02-28
Applicant: 通快许廷格有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高功率发生器(10)和一种向容性负载，特别是向等离子体过程传输具有高电压值和/或高电流值的脉冲高功率的方法，所述高功率发生器包括：若干低功率发生器(14、16、18)，每个低功率发生器(14、16、18)包括储能组件(C1、L1)，其中，在使用中，所述储能组件(C1、L1)被充电到与所述储能组件相关的预定义值，每个低功率发生器(14、16、18)在使用中在其输出端提供低功率发生器值，所述低功率发生器值对应于包括在相应的低功率发生器(14、16、18)中的储能组件(C1、C2、Cn、L1、L2、Ln)的值，耦合器(20)，其中，低功率发生器(14、16、18)电连接，使得能够获得与高功率发生器(10)的输出值相对应的耦合器(20)输出端的耦合值，并且所述耦合值在使用中至少在高功率发生器(10)的某些状态下高于其中一个低功率发生器(14，16，18)输出端的低功率发生器值,控制单元(22)，其配置成能够在所述高功率发生器(10)的功率传输期间选择低功率发生器(14、16、18)对高功率发生器(10)的输出值的贡献，以便在所述耦合器(20)的输出端产生脉冲的上升和/或衰减，其中，其中至少一个、优选地若干、最优选所有低功率发生器(14、16、18)包括低功率发生器值限制电路(151)。
-
公开(公告)号：CN118786507A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380024099.6
申请日：2023-02-28
Applicant: 通快许廷格有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高功率发生器(10)和一种向容性负载，特别是向等离子体过程传输具有高电压值和/或高电流值的脉冲高功率的方法，所述高功率发生器包括：若干低功率发生器(14、16、18)，每个低功率发生器(14、16、18)包括储能组件(C1、L1)，其中，在使用中，所述储能组件(C1、L1)被充电到与所述储能组件相关的预定值，每个低功率发生器(14、16、18)在使用中在其输出端提供低功率发生器值，所述低功率发生器值对应于包括在相应的低功率发生器(14、16、18)中的储能组件(C1、C2、Cn、L1、L2、Ln)的值，耦合器(20)，其中，低功率发生器(14、16、18)电连接，使得能够获得对应于高功率发生器(10)的输出值的耦合器(20)输出端的耦合值，并且所述耦合值在使用中至少在高功率发生器(10)的某些状态下高于其中一个低功率发生器(14、16、18)输出端的低功率发生器值,控制单元(22)，其配置成能够在所述高功率发生器(10)的功率传输期间选择低功率发生器(14、16、18)对高功率发生器(10)的输出值的贡献，以便在所述耦合器(20)的输出端产生脉冲的上升和/或衰减，其中，低功率发生器(14、16、18)的充电能量通过变压器(T1、T2、..Tn)提供，所述变压器(T1、T2、..Tn)具有初级绕组(P1、P2、..Pn)和用于每个低功率发生器(14、16、18)的次级绕组(SW1、W2、..SWn)。
-
公开(公告)号：CN103765552B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201280037426.3
申请日：2012-06-26
Applicant: 通快许廷格有限公司
CPC classification number: C23C14/46 , H01J37/3405
Abstract: 一种生成等离子体腔（2）内的高度电离的等离子体的方法，其包括如下步骤：a.在低于50Pa的压强下提供将在等离子体腔（2）内被电离的中性气体；b.向与所述等离子体腔（2）内的靶连接的至少一个磁控管阴极提供至少一个高能、高功率电脉冲，所述电脉冲具有大于或等于100kW的功率，和大于或等于10J的能量，c.直接由等离子体体积内的所述中性气体生成高度电离的等离子体，从而使等离子体体积截面在电流增大时间段期间增大，d.利用所述高度电离的等离子体从靶溅射原子，e.使所溅射的原子的至少一部分电离。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118843920A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380024185.7
申请日：2023-02-28
Applicant: 通快许廷格有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高功率发生器(10)和一种向容性负载，特别是向等离子体过程提供具有高电压值和/或高电流值的脉冲高功率的方法，所述高功率发生器包括：若干低功率发生器(14、16、18)，每个低功率发生器(14、16、18)包括储能组件(C1、L1)，其中，在使用中，所述储能组件(C1、L1)被充电到与所述储能组件相关的预定值，每个低功率发生器(14、16、18)在使用中在其输出端提供低功率发生器值，所述低功率发生器值对应于包括在相应的低功率发生器(14、16、18)中的储能组件(C1、C2、Cn、L1、L2、Ln)的值，耦合器(20)，其中，所述低功率发生器(14、16、18)电连接，使得能够获得对应于高功率发生器(10)的输出值的耦合器(20)输出端的耦合值，并且所述耦合值在使用中至少在高功率发生器(10)的某些状态下高于其中一个低功率发生器(14，16，18)输出端的低功率发生器值,控制单元(22)，其配置成能够在所述高功率发生器(10)的功率传输期间选择低功率发生器(14、16、18)对高功率发生器(10)的输出值的贡献，以便在所述耦合器(20)的输出端产生脉冲的上升和/或衰减，所述控制单元(22)还被配置成能够通过低功率发生器(14、16、18)按顺序选择低功率发生器(14、16、18)的贡献，特别是每个脉冲序列都从不同的低功率发生器(14、16、18)开始。
-
公开(公告)号：CN118786511A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380024191.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 通快许廷格有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高功率发生器(10)和一种向容性负载，特别是向等离子体过程传输具有高电压值和/或高电流值的脉冲高功率的方法，所述高功率发生器包括：若干低功率发生器(14、16、18)，每个低功率发生器(14、16、18)包括储能组件(C1、L1)，其中，在使用中，所述储能组件(C1、L1)被充电到与所述储能组件相关的预定值，每个低功率发生器(14、16、18)在使用中在其输出端提供低功率发生器值，所述低功率发生器值对应于包括在相应的低功率发生器(14、16、18)中的储能组件(C1、C2、Cn、L1、L2、Ln)的值，耦合器(20)，其中，所述低功率发生器(14、16、18)电连接，使得能够获得对应于高功率发生器(10)的输出值的耦合器(20)输出端的耦合值，并且所述耦合值在使用中至少在高功率发生器(10)的某些状态下高于其中一个低功率发生器(14，16，18)输出端的低功率发生器值,控制单元(22)，其配置成能够在所述高功率发生器(10)的功率传输期间选择低功率发生器(14、16、18)对高功率发生器(10)的输出值的贡献，以便在所述耦合器(20)的输出端产生脉冲的上升和/或衰减，所述控制单元(22)还被配置成能够以减少在高功率发生器(10)的输出端和/或负载上的专用位置处，特别是在等离子体过程的基板处的电压过冲的方式来选择低功率发生器(14、16、18)的贡献。
-
公开(公告)号：CN104641448B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380040017.3
申请日：2013-07-24
Applicant: 通快许廷格有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供了一种装置，用于使用感应耦合RF功率来为等离子体处理产生并维持等离子体。所述装置包括：谐振电路，所述谐振电路具有谐振电容和谐振电感；激励电路，所述激励电路用于激励所述谐振电路；耦合元件，所述耦合元件用于将来自电感的RF功率耦合到等离子体腔室中。
-
公开(公告)号：CN104641448A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380040017.3
申请日：2013-07-24
Applicant: 通快许廷格有限公司(波兰)
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供了一种装置，用于使用感应耦合RF功率来为等离子体处理产生并维持等离子体。所述装置包括：谐振电路，所述谐振电路具有谐振电容和谐振电感；激励电路，所述激励电路用于激励所述谐振电路；耦合元件，所述耦合元件用于将来自电感的RF功率耦合到等离子体腔室中。
-
公开(公告)号：CN118786510A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380024184.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 通快许廷格有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高功率发生器(10)和一种向容性负载，特别是向等离子体过程传输具有高电压值和/或高电流值的脉冲高功率的方法，所述高功率发生器包括：若干低功率发生器(14、16、18)，每个低功率发生器(14、16、18)包括储能组件(C1、L1)，其中，在使用中，所述储能组件(C1、L1)被充电到与所述储能组件相关的预定值，每个低功率发生器(14、16、18)在使用中在其输出端提供低功率发生器值，所述低功率发生器值对应于包括在相应的低功率发生器(14、16、18)中的储能组件(C1、C2、Cn、L1、L2、Ln)的值，耦合器(20)，其中，所述低功率发生器(14、16、18)电连接，使得能够获得对应于高功率发生器(10)的输出值的耦合器(20)输出端的耦合值，并且所述耦合值在使用中至少在高功率发生器(10)的某些状态下高于其中一个低功率发生器(14，16，18)输出端的低功率发生器值,‑控制单元(22)，其配置成能够在所述高功率发生器(10)的功率传输期间选择低功率发生器(14、16、18)对高功率发生器(10)的输出值的贡献，以便在所述耦合器(20)的输出端产生脉冲的上升和/或衰减，所述开关单元进一步包括开关单元(24、26、28),具有至少为10A/μs的电流上升能力，具有承受约0.5kV或更高电压以及15kV/μs或更高的电压上升和下降率的能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.028 seconds)
