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公开(公告)号:CN118961999A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202410800750.0
申请日:2024-06-20
申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院 , 安徽相和环境检测股份有限公司
IPC分类号: G01N33/00 , C23C14/18 , C23C14/04 , C23C14/58 , G01N27/416
摘要: 本发明属于气体传感器技术领域,具体涉及一种可用于双模态检测多种VOCs的气体传感器及其制备方法。本发明通过在平片电极的非测试电极部分构筑六方密排的单层SiO2微球阵列并沉积Au膜或Ag,然后将在前体溶液中浸渍后的单层PS微球阵列转移到Au或Ag/SiO2阵列和测试电极上,退火牺牲掉单层PS微球阵列后,即制得Ni‑SnO2/Au或Ag/SiO2双层阵列电极,该双层阵列电极与加热器组装后气体传感器可用于双模态检测多种VOCs。制得的传感器中,双层阵列的Ni‑SnO2碗中产生的涡流减缓了VOCs的流动,并将其输送到下部Ni‑SnO2/Au或Ag/SiO2阵列单元之间的间隙,这些阵列单元既具有SERS活性又具有电敏感性,提高传感器对多种VOCs气体的高灵敏响应,在双模态监测传感器方面具有重要的应用价值。
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公开(公告)号:CN118951202A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411430027.4
申请日:2024-10-14
申请人: 浙江工业大学
IPC分类号: B23K1/20 , B23K1/005 , B23K3/04 , B23K3/08 , C23C14/04 , C23C14/28 , B23P23/00 , B23K103/18 , B23K103/00
摘要: 采用双层结构钎料的玻璃与金属激光焊接方法及其钎料,其方法包括:表面预处理,将金属与玻璃表面进行超声清洗,玻璃表面采用脉冲激光沉积技术在待焊接区域依次沉积纳米Si和Al双层薄膜预置钎料;装配,根据连接接头的要求进行玻璃与金属的装配,将带有预置钎料的玻璃钎料朝下放在金属上,采用夹具将两者夹紧;纳秒激光焊接,将激光的焦点处于薄膜钎料与玻璃的接触面,且焦点保持在同一平面上,开启激光在焦平面上进行扫描焊接;焊接后处理,利用高频纳秒激光进行焊后热处理,处理后接头自然冷却。本发明能精确地控制微小焊接区域内产生的热效应,提升玻璃与金属界面之间的润湿性,抑制界面脆性化合物,降低热应力与残余应力。
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公开(公告)号:CN116156863B
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202310337100.2
申请日:2023-03-31
申请人: 达运精密工业股份有限公司
IPC分类号: C23C14/04
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公开(公告)号:CN118932293A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202411004128.5
申请日:2024-07-25
申请人: 安徽熙泰智能科技有限公司
摘要: 本发明提供了一种真空镀膜系统及蒸镀方法,所述真空镀膜系统包括:真空腔体,所述真空腔体内设置有待机位置和工作位置;对位系统,用于将掩模板与待蒸镀基板进行对位,所述对位系统包括位置检测系统和可动平台;位于真空腔体底部的若干蒸镀源,用于对所述待蒸镀基板进行蒸镀,所述蒸镀源位于线盒内;驱动系统,所述驱动系统包括若干驱动装置,所述驱动装置用于牵引线盒在待机位置和工作位置之间移动,所述工作位置与待蒸镀基板的位置垂直对应;控制系统,用于获取蒸镀源的状态信息及位置信息,并向驱动系统发出控制信号。本发明通过在蒸镀过程中将蒸镀源置于待蒸镀基板正下方,可以大幅增加蒸镀角,进而降低沉积图案化薄膜的阴影。
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公开(公告)号:CN118932283A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202411004122.8
申请日:2024-07-25
申请人: 安徽熙泰智能科技有限公司
摘要: 本发明提出了一种掩模装置的基板及对位方法。所述基板包括:在基板的边缘具有至少两个对位标记;在每一个对位标记内具有至少两个不相同的对位图案。本发明通过使用多种对位图案组成对位标记,相比于常规的单个方形、圆形或十字形对位标,由于具有更高的图案复杂度及容错率,在无需升级对位系统硬件和软件的情况下,能够快速找到准确的定位点,实现精准对位,在不大幅增加成本的情况下,显著提高掩模板与基板的对位精度。
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公开(公告)号:CN115418615B
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202210075850.2
申请日:2022-01-23
申请人: 上海三菲半导体有限公司
摘要: 本发明公开一种半导体激光器件的端面制备及镀膜方法,属于半导体激光器件的制备技术领域,包括以下步骤:步骤1,采用感应耦合等离子体‑反应离子刻蚀方法形成激光器件的前端面、后端面;步骤2,通过光刻的方式露出前端面的待镀膜区域或后端面的待镀膜区域,然后对晶圆显影;步骤3,采用无机溶液对前端面的待镀膜区域或后端面的待镀膜区域进行湿法化学抛光;步骤4,以真空电子束蒸镀的方式进行镀膜,镀膜过程中以离子束轰击前端面的待镀膜区域或后端面的待镀膜区域;步骤5,将镀膜后的晶圆做快速剥离及有机溶液清洗。本发明能简化工艺流程,并极大地提升型腔面镀膜的质量,提高器件长期可靠性。
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公开(公告)号:CN115478244B
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN202110602413.7
申请日:2021-05-31
申请人: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
摘要: 本发明提供了一种张网设备,用于将目标对象固定于目标网框上,包括:至少一对运动调节机构,每对运动调节机构沿第一方向设置且并列排布于目标对象的相对两侧,运动调节机构包括夹持单元、第一移动单元和设于夹持单元上的标记单元,夹持单元用于夹持目标对象,第一移动单元用于带动夹持单元沿第一方向移动;视觉装置设置于夹持单元的上方,用于通过与标记单元对准,以获取夹持单元的当前位置坐标;控制装置用于计算当前位置坐标与目标位置坐标之间的位置偏差,并根据位置偏差控制第一移动单元移动,直至夹持单元运动至目标位置坐标。本发明使得运动调节机构的调整次数减少,提升了张网设备的调整的效率,有利于提高张网作业的效率。
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公开(公告)号:CN118829744A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202380007849.9
申请日:2023-02-21
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本公开提供一种硅基掩膜版及其制作方法、显示面板。所述硅基掩膜版包括:层叠设置的第一硅晶片和第二硅晶片,所述第一硅晶片包括第一过孔,所述第二硅晶片包括第二过孔,所述第一过孔的孔壁在所述第二硅晶片上的正投影,包围所述第二过孔,在相同的刻蚀条件下,所述第二硅晶片的刻蚀速率小于所述第一硅晶片的刻蚀速率。
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