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公开(公告)号：CN118984519A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411061957.7
申请日：2024-08-05
申请人： 上海硬石科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于辅助等离子体激发电路装置，属于放电等离子体技术领域，包括交流溅射镀膜电源U1、辅助起辉电源U3、等离子体负载U2、二极管D1、开关S1以及连接导线，等离子体负载U2由真空腔体、电极和工艺气体组成，真空腔体接保护地GND；通过交流溅射镀膜电源U1的电流检测器判断等离子体状态，通过开关S1和辅助起辉电源U3辅助交流溅射镀膜电源U1激发等离子体；实现了对等离子体激发的实时需求的快速响应，适应不同激发条件下对电源输出的不同要求。
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公开(公告)号：CN118980442A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411072904.5
申请日：2024-08-06
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种光纤黑体腔温度传感系统的制作方法，属于光纤黑体腔温度传感技术领域。本方法包括以下步骤：使用化学镀膜法制作光纤黑体探头，将所述光纤黑体探头的探头端采用3D打印埋入涡轮定子中；构建与所述光纤黑体探头的光纤端连接的微弱光信号处理一体化集成电路并将其整体封装；所述微弱光信号处理一体化集成电路将电信号传输至单片机，得到光纤黑体腔温度传感系统。本发明攻克了国外对极端环境传感领域的技术封锁，为严苛工况下的无扰流温度监测带来了新的方案和尝试。为航空发动机的研制节约仿真、试验等成本，提升发动机研制速率，促进发动机技术发展。
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公开(公告)号：CN118979274A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411056537.X
申请日：2024-08-02
申请人： 青岛大学
IPC分类号： C25B11/091 , C25B1/04 , C25B11/057 , C02F1/467 , C02F1/72 , C23C18/50 , C23C18/18 , C02F101/38 , C02F101/34 , C02F103/08
摘要： 一种用于海水中电解尿素的木基纳米材料的制备方法和应用，它属于电氧化领域。方法：一、活化木材；二、制备NiCoP@PW；三、制备用于海水中电解尿素的木基纳米材料，其为制氢和尿素废水处理的优异UOR催化剂提供了光明的前景。本发明制备的用于海水中电解尿素的木基纳米材料优异的活性和稳定性归因于多个活性中心的协同作用和掺杂引起的电荷重新分布；木材骨架中这些排列整齐的微通道和分级多孔结构不仅可以提高整个电极的亲水性和疏气性，有利于电解液的渗透和气泡的释放，还可以缩短离子和中间产物的传输距离，加速动力学过程，展现出高的催化活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN118979251A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411013004.3
申请日：2024-07-26
申请人： 西南大学
摘要： 本发明涉及了一种微弧氧化钛表面光热抗菌微米级花状聚合物涂层及其制备方法。该微米级花状聚合物涂层由单宁酸与硝酸铜前驱体经水热处理后再次接枝并均匀生长于经过微弧氧化钛植入体表面的多孔二氧化钛结构之上，所述微米级花状聚合物涂层可赋予微弧氧化钛植入体优异的广谱抗菌能力和良好的生物相容性。常温常态下，能够灭杀60%以上粘附细菌。近红外光下，可进一步增强抗菌性能，清除95%以上粘附细菌。其制备方法为：首先，通过水热处理单宁酸与硝酸铜共混悬浊液合成掺铜单宁酸粉末，然后，利用掺铜单宁酸粉末与多巴胺的聚合反应在微弧氧化处理钛基底上生成接枝中间层，进而原位生长微米级花状结构，最终赋予植入体表面近红外光响应增强抗菌性能。
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公开(公告)号：CN118979239A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411074861.4
申请日：2024-08-06
申请人： 江苏微导纳米科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及镀膜技术设备领域，具体而言，涉及一种传送装置和镀膜设备。该传送装置包括承载件、非接触式支撑组件以及驱动组件；承载件用于承载基片；非接触式支撑组件用于以非接触式方式支撑承载件，并使其相对于竖直方向倾斜；驱动组件与承载件传动连接，驱动组件用于传送承载件。该传送装置能够在传动的过程中，避免基片出现倾倒，同时减小传动过程中的摩擦振动，从而提高传动的平稳性，由此，能够提高镀膜质以及提高膜层的均匀性。
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公开(公告)号：CN118979234A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411334812.X
申请日：2024-09-24
申请人： 湖南艾科威半导体装备有限公司
摘要： 本申请涉及一种真空设备用多工位多功能旋转工件台，属于磁控溅射镀膜设备领域，其包括机架、公转台和主驱动源，公转台转动设置在机架上，主驱动源位于机架上，主驱动源控制公转台的转动，公转台上设置有多个工位座，单个工位座供一个工件放置，工位座相对公转台转动，工位座的转动轴线和公转台的转动轴线垂直，还包括传动机构，传动机构用于将公转台相对机架转动时产生的相对运动趋势向工位座传递。本申请利用公转台相对机架转动时产生的相对运动趋势，在传动机构的作用下将此趋势传向工位座，避免了额外的单独的驱动源的设置，简化了设备整体的电气化结构。
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公开(公告)号：CN118979231A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411067847.1
申请日：2024-08-06
申请人： 浙江求阙智能科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及光学元件技术领域，公开了一种红外窄带滤光片制造方法，包括以下操作步骤：S1、将基底材料放置于真空溅射镀膜设备中；S2、使用预先处理后的氮化硅作为高折射率材料的靶材，将其安装在溅射设备中的靶枪上；S3、通过中频溅射技术，在基底材料表面逐层沉积高折射率材料，并在溅射过程中引入硅源气体。本发明通过使用氮化硅作为高折射率材料的靶材，并引入硅源气体进行溅射处理，通过对硅源气体的气体流量、靶材与基板的距离进行精准控制，可以在基底上沉积出多层复合的红外窄带滤光片，该多层复合的红外窄带滤光具有高折射率和优异的光学性能，解决了成膜变形量大，造成不同滤光片之间的均匀性差异非常大的问题。
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公开(公告)号：CN118979230A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411042058.2
申请日：2024-07-31
申请人： 先导薄膜材料(安徽)有限公司
摘要： 本公开提供了一种铜靶及其晶粒取向的控制方法，属于靶材制备技术领域。本公开将第一铜铸件依次通过冷锻、第一热处理、静压处理、冷轧和第二热处理，并通过对静压处理和冷轧的形变量进行控制，实现对铜靶的晶粒尺寸和晶粒取向的控制，使得铜靶的晶粒尺寸≤20μm，晶面指数为 的晶粒占比>45％，满足12寸以上半导体集成电路对于晶粒尺寸和晶粒取向的双重要求。本公开所述晶粒取向的控制方法操作简单，制作成本低，适合工业化应用。
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