一种花瓣球状氧化镁及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118908247A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411007702.2

    申请日:2024-07-25

    IPC分类号: C01F5/02 C01F5/06 C09D11/03

    摘要: 本发明公开了一种花瓣球状氧化镁及其制备方法和应用。本发明的花瓣球状氧化镁的制备方法,包括如下步骤:将硫酸镁水溶液和碳酸氢钠水溶液混合,然后加入氨水调节pH值至碱性;将混合溶液放入水热反应釜中进行高温水热反应得到碱式碳酸镁;在大气氛围下经650~750℃煅烧,得到花瓣球状氧化镁。本发明的花瓣球状氧化镁由于纯度高,粒径小,最小可达到500nm,具有更大的比表面积,在制备导热油墨时作为导热填料使用,导热效果更好。

    一种含镁废液的处理方法

    公开(公告)号:CN115385366B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202211062554.5

    申请日:2022-09-01

    摘要: 本发明公开了一种含镁废液的处理方法,包括如下步骤:S1:将沉镁剂和含镁废水混合,固液分离,收集固相渣;所述混合的温度为95~100℃;所述含镁废水中含有Mg2+和SO42‑;S2:将步骤S1所得固相渣进行打浆、一次碳化,对碳化产物进行固液分离,收集液相组分;S3:将步骤S2所得液相组分进行热解,并对热解产物进行固液分离,收集固相产物;S4:将步骤S3所得固相产物进行二次碳化,收集碳化产物的液相组分,制得碳酸氢镁精制液;所述沉镁剂包括氧化钙和氢氧化钙中的至少一种;所述一次碳化和二次碳化均为反应物和二氧化碳接触。本发明的一种含镁废水的处理方法能有效回收及生产高纯镁盐。

    一种高等级硅钢专用氧化镁的制备方法

    公开(公告)号:CN117486245A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311428533.5

    申请日:2023-10-31

    IPC分类号: C01F5/06

    摘要: 本发明涉及高等级硅钢技术领域,且公开了一种高等级硅钢专用氧化镁的制备方法,将白云石经高温煅烧得到氧化镁及氧化钙混合物,将氧化镁与氧化钙与水消化水合得到氢氧化镁、氢氧化钙,将二氧化碳与氢氧化镁、氢氧化钙进行碳化,产物分别为碳酸钙与碳酸氢镁,过滤后得到碳酸氢镁水溶液,将碳酸氢镁水溶液加热,得到碳酸镁产物,将热解后的碳酸镁进行过滤,得到碳酸镁固体,在进行一次煅烧、二次煅烧得到不同柠檬酸活性的氧化镁,粉碎混合,将不同特性的氧化镁粉碎后,按照比例混合,产物为高等级硅钢专用氧化镁。

    一种低泄漏电流稀土高熵纳米的复合绝缘材料制备方法

    公开(公告)号:CN117352243A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311102164.0

    申请日:2023-08-30

    摘要: 一种低泄漏电流稀土高熵纳米的复合绝缘材料制备方法,涉及一种绝缘材料制备方法,本发明以Y(NO3)3、La(NO3)3、Ce(NO3)3、Gd(NO3)3、Mg(NO3)2、甘氨酸及乙二醇为主要原料,按最终产物(Y0.25La0.25Yb0.25Lu0.25)2O3与MgO体积比15:85、25:75、35:65、45:55、50:50,将上述溶液混合,然后对其加热搅拌、烘干、煅烧、球磨、干燥及过筛得到目标纳米复合绝缘粉体。高熵纳米复合绝缘材料在1050℃下进行电气性能测试,测试电压155 V、测试功率860 W,测试时间为15分钟,结果表明:该材料的泄漏电流仅为0.056 mA,高温过炉后10分钟绝缘为80 MΩ,潮态绝缘5.5 MΩ,热态绝缘3.5 MΩ,具有优异的电绝缘性能,提高电绝缘材料的使用安全性。

    一种二维非层状金属氧化物多孔纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN114702011B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202210264103.3

    申请日:2022-03-17

    发明人: 黄亮 刘凯思

    摘要: 本发明公开了一种二维非层状金属氧化物多孔纳米片的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明将葡萄糖,硝酸铵以及金属盐均匀混合,之后将混合物在一定的温度下进行煅烧,即可获得相应的二维金属氧化物多孔纳米片。利用该方法可以制备多种非层状结构的金属氧化物多孔纳米片,其中包括稀土金属氧化物、过渡金属氧化物、Ⅲ主族金属氧化物、Ⅱ主族金属氧化物、高熵金属氧化物以及多种钙钛矿氧化物等。所制备的多种大尺寸二维金属氧化物多孔纳米片在催化、储能、传感等方面具有广阔的应用前景。