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公开(公告)号：CN117393198A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311088833.3
申请日：2023-08-28
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： G21K1/16
摘要： 一种极化3He玻璃气室及其灌制封装方法和应用，该种极化3He玻璃气室的灌制封装方法主要包括玻璃管路准备步骤、碱金属装填步骤、碱金属热驱灌装步骤、N2灌装步骤、3He灌装步骤、玻璃气室降压步骤以及玻璃气室封口步骤。碱金属热驱灌装步骤包括将碱金属驱至碱金属贮存管中装步骤包括将N2和3He灌入玻璃气室中，再热驱至玻璃气室中；玻璃气室降，N压步骤包2和3He灌括对充气后的玻璃气室进行降压降温，最后通过玻璃气室封口步骤将玻璃气室从玻璃管路中卸下并降至室温，至此得到极化3He玻璃气室，通过该方法获得的极化3He玻璃气室所依托的自旋交换光泵浦技术可实现谱仪线在线极化的目的，节约了中子束流资源并缩短了实验时间。
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公开(公告)号：CN115831432A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211528470.6
申请日：2022-11-30
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
摘要： 一种中子极化翻转装置，包括：导向磁体用于在预设区域内产生导向磁场；翻转组件包括翻转支架、第一线圈和第二线圈，第一线圈和第二线圈通过缠绕在翻转支架上以设于预设区域内，驱动装置用于接收到加速器的打靶控制信号后输出电流至所述第一线圈，以产生与导向磁场相反的补偿磁场，并使得导向磁场与补偿磁场在相交的区域内形成去磁场区域，还用于输出电流至所述第二线圈，以使得在去磁场区域产生与导向磁场、补偿磁场正交的进动磁场。基于中子的拉莫尔进动实现中子的极化翻转，使得中子极化翻转器结构简单，实现方便，翻转速度快，且可以接收加速器的打靶控制信号后，并随着打靶控制信号进行中子翻转。本发明还提供了一种中子极化翻转器。
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公开(公告)号：CN110164583A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810152333.4
申请日：2018-02-14
申请人： 首都师范大学
IPC分类号： G21K1/16
摘要： 本发明公开了一种有效调控强耦合劈裂能的方法。包括如下步骤：将PS溶于甲苯溶剂中，其次将不同质量的有机分子溶于PS甲苯溶液中，加热使其全部溶解，形成不同掺杂比例的混合溶液；再将配制好的混合溶液旋涂于80nm银膜上，通过控制甩膜仪转速恒定，从而得到不同掺杂比例、相同厚度的薄膜，再在有机薄膜上蒸镀上50nm银膜从而构成平板微腔，将制备好的微腔结构置于显微角分辨装置上通过测试反射率来拟合计算在不同掺杂溶度，相同厚度条件时的劈裂能。在该方法中，所用设备简单，快速方便，操作便捷，成本低，可重复性高，并且通过PS掺杂的薄膜粗糙度小，整个微腔的品质因子高，对实现全金属微腔中强耦合作用下大的劈裂能具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN101937730A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010232543.8
申请日：2010-07-15
申请人： 北京工商大学
发明人： 赵佳
IPC分类号： G21K1/16
摘要： 本发明公开了一种用于提高软X射线线偏振度的反射式偏振元件及方法，其偏振元件为人工晶体制成的反射式偏振晶片，该反射式偏振晶片具有被抛光处理的反射镜面。一种提高软X射线线偏振度的方法，其是通过人工晶体晶片来获取高线偏振度的软X射线，软X射线选取在50-180eV能区范围。其可以省去现有技术中的设计和复杂工艺制备过程的麻烦；利用新的反射式偏振元件来实现获取高线偏振度的软X射线。
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公开(公告)号：CN118983125A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410921616.6
申请日：2024-07-10
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
摘要： 一种极化中子射频翻转器，涉及极化中子散射技术领域。极化中子射频翻转器包括壳体，壳体沿长度方向上相对设置有第一开口和第二开口，壳体内设置有磁场产生装置，磁场产生装置包括用于产生射频交变磁场的射频磁场产生装置和用于产生梯度磁场的梯度磁场产生装置。射频磁场产生装置包括螺线圈，螺线圈的轴线与第一开口和第二开口的连接线共线设置；梯度磁场产生装置包括第一金属板和第二金属板，第一金属板和第二金属板设置于螺线圈的两侧，且沿螺线圈的轴线对称设置；第一金属板和第二金属距螺线圈的轴线的距离沿第一开口至第二开口的方向逐渐减小。
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公开(公告)号：CN116469600A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310290702.7
申请日：2023-03-22
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： G21K1/16
摘要： 一种广角氦三中子极化装置的磁场系统及磁场控制方法，涉及极化氦三技术领域。系统包括四套亥姆霍兹线圈；第一套亥姆霍兹线圈套设于第二套亥姆霍兹线圈；第一套亥姆霍兹线圈所处平面与第二套亥姆霍兹线圈所处平面相交，其相交线通过第一套亥姆霍兹线圈和第二套亥姆霍兹线圈所处圆的圆心；第二套亥姆霍兹线圈套设于第三套亥姆霍兹线圈；第三套亥姆霍兹线圈套设于第四套亥姆霍兹线圈；第三套亥姆霍兹线圈所处平面与第四套亥姆霍兹线圈所处平面相交，其相交线通过第三套亥姆霍兹线圈和第四套亥姆霍兹线圈所处圆的圆心；第三套亥姆霍兹线圈所处平面与第一套亥姆霍兹线圈所处平面垂直；第四套亥姆霍兹线圈所处平面与第二套亥姆霍兹线圈所处平面垂直。
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公开(公告)号：CN116344094A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310555600.3
申请日：2023-05-16
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明涉及散裂中子源技术领域，公开了一种用于中子散射谱仪的旋转切换机构，包括主体座、旋转筒体和驱动组件，旋转筒体可转动地设置于主体座的安装腔内，旋转筒体上开设有三个沿其轴向完全贯穿的通孔，三个通孔分别能使中子束具有不同的特征，其中一个通孔能使中子束正常通过，第二个通孔能使中子束极化，第三个通孔内设有多狭缝光阑板，以使中子束发生衍射。驱动组件用于驱动旋转筒体转动，以使其中一个通孔转动至预设位置，当该通孔转动至预设位置时，中子束能够从该通孔内通过并具有特定的特征。该旋转切换机构通过旋转动作，即可实现不同工作模式的切换，相对于现有技术中的水平移动切换，该方式减小了设备的整体体积和重量，节省成本。
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公开(公告)号：CN108682471A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810351644.3
申请日：2018-04-19
申请人： 杭州三得农业科技有限公司
IPC分类号： G21K1/16
CPC分类号： G21K1/16
摘要： 本发明公开了一种通过式有机小分子整极装置，包括一磁场发生装置、一磁场主机，磁场发生装置包括一安装有隔离变压器的磁场发生电源柜；所述磁场主机的中间设有横向空腔，横向空腔的左侧和右侧分别设有进料口和出料口，横向空腔的上下端分别设有上励磁线圈和下励磁线圈，且位于下励磁线圈的上端以及横向空腔底面的位置设有可使物料从进料口进去、从出料口出来的动力输送系统；本发明采用磁场发生装置、磁场主机以及使物料通过的动力输送系统相结合，利用一定范围内的电控磁场将有机小分子呈弥散分布的电荷集中于两极，使有机小分子的极特性明显，以增强有机小分子的物理健活性与振动电动力。
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公开(公告)号：CN1163463A
公开(公告)日：1997-10-29
申请号：CN96123453.9
申请日：1996-12-21
申请人： 特克特朗尼克公司
IPC分类号： G21K1/16
摘要： 一种采用可电离气体混合物的导址结构和方法，该混合物包含至少两种可电离成分，所提供的气体混合物使对数据存储元件的寻址降低了衰变时间，该元件是由第一基片上的多个列电极和第二基片上的多个沟道的重叠区所限定的。可电离气体混合物包含第一和第二可电离成分，它们的粒子在预定电压下可电离，不会在形成可断开电连接的导体之间引起不可控的击穿。由于可电离气体混合物的衰变时间降低，所以使提供的寻址结构具有高速寻址的能力。
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公开(公告)号：CN118841201A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411083752.9
申请日：2024-08-08
申请人： 横店集团得邦照明股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种利用任意偏振光束实现椭球粒子取向控制的方法，包括以下步骤，样品配置、光场调控、椭球粒子取向观察以及椭球粒子取向控制；本发明还公开了一种利用任意偏振光束实现椭球粒子取向控制的方法所使用到的装置；本发明可以精确控制椭球形纳米粒子的位置和旋转角度，通过创新的光学设计和控制策略，能够克服椭球形纳米粒子的复杂性和非对称性，实现在三维空间中的精确定向操控，从而拓展了光学镊技术的应用范围和精度；本发明由于能够精确操控椭球形纳米粒子的位置和旋转角度，特别适用于多种复杂的纳米尺度应用场景。
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