陶瓷电子元件的制造方法和制造设备

    公开(公告)号:CN100358062C

    公开(公告)日:2007-12-26

    申请号:CN02803547.X

    申请日:2002-09-18

    IPC分类号: H01G4/30 H01G13/00 H01G4/12

    摘要: 在通过向陶瓷堆体施加压力以形成覆层的步骤中(在框架被刺进堆体并保持在那里的同时),堆体被位于框架内的压力施加构件施压。根据此方法,在与堆体表面平行的方向上无变形产生。因此,不会产生导电层由于应力而产生变形之类的问题,因而产生具有优良密实结构的堆体,并且当堆体被烧结时,由上述构造形成的陶瓷电子元件不会出现连接缺陷,结构缺陷和电性能失效,具有良好的成品率。另外,通过在对堆体施压时加热堆体,在降低压力的条件下形成密实堆体。此外,通过为压力施加构件提供弹性体,堆体被均匀施压。并且通过在向堆体施压时降低堆体的空气压力,堆体中的气体被排除以允许减少施压时间。

    陶瓷电子元件的制造方法和制造设备

    公开(公告)号:CN1484841A

    公开(公告)日:2004-03-24

    申请号:CN02803547.X

    申请日:2002-09-18

    IPC分类号: H01G4/30

    摘要: 在通过向陶瓷堆体施加压力以形成覆层的步骤中(在框架被刺进堆体并保持在那里的同时),堆体被位于框架内的压力施加构件施压。根据此方法,在与堆体表面平行的方向上无变形产生。因此,不会产生导电层由于应力而产生变形之类的问题,因而产生具有优良密实结构的堆体,并且当堆体被烧结时,由上述构造形成的陶瓷电子元件不会出现连接缺陷,结构缺陷和电性能失效,具有良好的成品率。另外,通过在对堆体施压时加热堆体,在降低压力的条件下形成密实堆体。此外,通过为压力施加构件提供弹性体,堆体被均匀施压。并且通过在向堆体施压时降低堆体的空气压力,堆体中的气体被排除以允许减少施压时间。