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公开(公告)号：CN100437648C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN02105318.9
申请日：1995-06-30
Applicant: 传感电子公司
CPC classification number: G08B13/2408 , G01R33/18 , G01V3/104 , G01V15/00 , G08B13/2434 , G08B13/2437 , G08B13/244 , G08B13/2442 , G08B13/2488 , H01F1/15316 , H01F1/15341 , H01L41/20 , Y10S29/025 , Y10S29/049 , Y10S29/095 , Y10S148/003
Abstract: 用于磁机械电子物品监视系统中的识别器，包括：(a)无定形磁致伸缩元件；(b)位于所述磁致伸缩元件附近的偏磁元件；以及(c)所述磁致伸缩元件具有磁滞环特性，使得当处于交变电磁场中时，不产生可被检测到的谐波频率。本发明还涉及识别器的制造方法和磁机械电子物品监视系统。
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公开(公告)号：CN100375128C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN97199062.X
申请日：1997-10-22
Applicant: 传感电子公司
Inventor： 刘嫩勤
IPC: G08B13/24
CPC classification number: G08B13/2408 , G01R33/18 , G01V15/00 , G08B13/2434 , G08B13/2437 , G08B13/244 , G08B13/2442 , G08B13/2488 , H01F1/15316 , H01F1/15341 , H01L41/20 , Y10S29/025 , Y10S29/049 , Y10S148/003
Abstract: 一种用于磁力物品监视系统标记的磁致伸缩元件，该元件是通过对非晶态金属合金(28)在饱和磁场(33)下进行第一次退火(22)，然后在没有饱和磁场的情况下进行第二次退火而形成的，其中该合金包含铁和原子百分比为约5-45%的钴。
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公开(公告)号：CN1161104A
公开(公告)日：1997-10-01
申请号：CN96190732.0
申请日：1996-07-09
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 坂本和久
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01L29/66295 , H01L21/263 , Y10S148/003 , Y10S148/004 , Y10S148/08 , Y10S148/09 , Y10S148/092
Abstract: 通过向半导体衬底上照射粒子束生成半导体晶体的晶体缺陷的半导体器件的制造方法：在进行上述粒子束的照射之前，通过例如在10分钟以内升温到550～850℃的快速加热，在该温度下进行例如1秒～60分钟之间的热处理。即使由于电子束等粒子束的照射会生成晶体缺陷，从而缩短载流子的寿命而使开关速度达到高速化，电流放大倍数等电学特性也不会降低，故可得到满足开关速度和电学特性两方面要求的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1516057A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02105318.9
申请日：1995-06-30
Applicant: 传感电子公司
CPC classification number: G08B13/2408 , G01R33/18 , G01V3/104 , G01V15/00 , G08B13/2434 , G08B13/2437 , G08B13/244 , G08B13/2442 , G08B13/2488 , H01F1/15316 , H01F1/15341 , H01L41/20 , Y10S29/025 , Y10S29/049 , Y10S29/095 , Y10S148/003
Abstract: 用于磁机械电子物品监视系统中的识别器，包括：(a)无定形磁致伸缩元件；(b)位于所述磁致伸缩元件附近的偏磁元件；以及(c)所述磁致伸缩元件具有磁滞环特性，使得当处于交变电磁场中时，不产生可被检测到的谐波频率。本发明还涉及识别器的制造方法和磁机械电子物品监视系统。
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公开(公告)号：CN1110074C
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN96190732.0
申请日：1996-07-09
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 坂本和久
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01L29/66295 , H01L21/263 , Y10S148/003 , Y10S148/004 , Y10S148/08 , Y10S148/09 , Y10S148/092
Abstract: 通过向半导体衬底上照射粒子束生成半导体晶体的晶体缺陷的半导体器件的制造方法：在进行上述粒子束的照射之前，通过例如在10分钟以内升温到550～850℃的快速加热，在该温度下进行例如1秒～60分钟之间的热处理。即使由于电子束等粒子束的照射会生成晶体缺陷，从而缩短载流子的寿命而使开关速度达到高速化，电流放大倍数等电学特性也不会降低，故可得到满足开关速度和电学特性两方面要求的半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1277235C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN02105317.0
申请日：1995-06-30
Applicant: 传感电子公司
CPC classification number: G08B13/2408 , G01R33/18 , G01V3/104 , G01V15/00 , G08B13/2434 , G08B13/2437 , G08B13/244 , G08B13/2442 , G08B13/2488 , H01F1/15316 , H01F1/15341 , H01L41/20 , Y10S29/025 , Y10S29/049 , Y10S29/095 , Y10S148/003
Abstract: 用于制造在磁机械电子物品监视系统中使用的识别器的方法和其产品，该方法包括步骤：对一种无定形磁元件加以饱和磁场；在加有所述磁场的期间内，在460℃至540℃的温度范围内对所述元件进行至少5分钟时间的加热；以及使退火的元件冷却到室温。本发明还涉及磁机械电子物品监视系统。
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公开(公告)号：CN1516056A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02105317.0
申请日：1995-06-30
Applicant: 传感电子公司
CPC classification number: G08B13/2408 , G01R33/18 , G01V3/104 , G01V15/00 , G08B13/2434 , G08B13/2437 , G08B13/244 , G08B13/2442 , G08B13/2488 , H01F1/15316 , H01F1/15341 , H01L41/20 , Y10S29/025 , Y10S29/049 , Y10S29/095 , Y10S148/003
Abstract: 用于制造在磁机械电子物品监视系统中使用的识别器的方法和其产品，该方法包括步骤：对一种无定形磁元件加以饱和磁场；在加有所述磁场的期间内，在460℃至540℃的温度范围内对所述元件进行至少5分钟时间的加热；以及使退火的元件冷却到室温。本发明还涉及磁机械电子物品监视系统。
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公开(公告)号：CN1123413A
公开(公告)日：1996-05-29
申请号：CN95107764.3
申请日：1995-06-30
Applicant: 传感电子公司
CPC classification number: G08B13/2408 , G01R33/18 , G01V3/104 , G01V15/00 , G08B13/2434 , G08B13/2437 , G08B13/244 , G08B13/2442 , G08B13/2488 , H01F1/15316 , H01F1/15341 , H01L41/20 , Y10S29/025 , Y10S29/049 , Y10S29/095 , Y10S148/003
Abstract: 在施加横向饱和磁场的同时对一种无定型磁合金条进行热处理。处理过的条用在脉冲查讯电子物品监视系统的识别器中。条的成分包括铁、钴、硅和硼，其中钴的含量大于30％的原子百分比。
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公开(公告)号：CN1641189A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200510004449.6
申请日：2005-01-13
Applicant: 光洋精工株式会社
Inventor： 本桥信纲
IPC: F01L1/18
CPC classification number: F01L1/185 , C21D2211/001 , F01L3/04 , F01L2101/00 , F01L2103/00 , F01L2105/02 , Y10S148/003 , Y10T29/49295 , Y10T74/20882 , Y10T74/2107
Abstract: 将阀杆承受部(9)的表层部位(9a)的硬度设定为Hv650～800，将残余奥氏体量γR设定为25～35vol％的板金制摇臂(1)。
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公开(公告)号：CN1093300C
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN95107764.3
申请日：1995-06-30
Applicant: 传感电子公司
IPC: G08B13/24
CPC classification number: G08B13/2408 , G01R33/18 , G01V3/104 , G01V15/00 , G08B13/2434 , G08B13/2437 , G08B13/244 , G08B13/2442 , G08B13/2488 , H01F1/15316 , H01F1/15341 , H01L41/20 , Y10S29/025 , Y10S29/049 , Y10S29/095 , Y10S148/003
Abstract: 在施加横向饱和磁场的同时对一种无定形磁合金条进行热处理。处理过的条用在脉冲查讯电子物品监视系统的识别器中。条的成分包括铁、钴、硅和硼，其中钴的含量大于30%的原子百分比。
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