公开(公告)号：CN109390195A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201811441984.1

申请日：2018-11-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘伟 ,  吴浩 ,  王金淑 ,  周帆 ,  杨韵斐 ,  李俊辉 ,  潘兆柳 ,  骆凯捷 ,  梁轩铭

IPC: H01J1/144 ,  H01J1/146 ,  H01J1/16 ,  H01J9/04 ,  B22F3/11

CPC classification number: H01J1/144 ,  B22F3/11 ,  H01J1/146 ,  H01J1/16 ,  H01J9/045

Abstract: 一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属热阴极材料技术领域。采用溶胶凝胶加氢气还原的方法制备亚微米级氧化钪掺杂难熔金属粉末，经过压制微波烧结得到亚微米结构顶层含钪难熔金属基体；对难熔金属粉末进行压制烧结制得难熔金属阴极基体，将阴极基体浸渍阴极发射活性盐并进行退火处理得到基底难熔金属阴极，最后通过焊接的方式如激光焊、钎焊等制备亚微米结构顶层含钪阴极。本发明制得的亚微米结构顶层含钪阴极具有发射电流密度大，发射均匀性好的特点，经充分激活后，在950℃工作温度下，最高发射电流密度可达100A/cm2，发射斜率达1.41以上。

公开(公告)号：CN102113084B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200980130732.X

申请日：2009-05-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： I·德默 ,  A·苏奇 ,  Z·内梅特

IPC: H01J61/067 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J61/0675 ,  H01J1/144 ,  H01J61/0737 ,  H01J61/12

Abstract: 本发明描述了包含氧化钕钡的电子发射组合物。可将这些组合物施用于电极，以便利于电子发射。本发明还描述了制造包含氧化钕钡的发射电极的方法。本发明还描述了采用此类电极的各种放电灯。

公开(公告)号：CN102113084A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130732.X

申请日：2009-05-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： I·德默 ,  A·苏奇 ,  Z·内梅特

IPC: H01J61/067 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J61/0675 ,  H01J1/144 ,  H01J61/0737 ,  H01J61/12

Abstract: 本发明描述了包含氧化钕钡的电子发射组合物。可将这些组合物施用于电极，以便利于电子发射。本发明还描述了制造包含氧化钕钡的发射电极的方法。本发明还描述了采用此类电极的各种放电灯。

公开(公告)号：CN100550249C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200410046481.6

申请日：2004-05-31

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·M·维努戈帕尔 ,  A·M·斯里瓦斯塔瓦 ,  H·A·科曼佐 ,  V·米哈 ,  W·W·贝尔斯 ,  G·C·拉马钱德兰 ,  M·S·阿亚姆

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/144 ,  H01J9/02 ,  H01J61/06

CPC classification number: H01J1/144 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/0737

Abstract: 一种电子发射复合物，包括一个数量为约50到约95wt%的钽酸钡复合物，和一个占约5到约50wt%的铁电氧化物复合物，其中重量百分比是基于钽酸钡复合物和铁电氧化物复合物的总重量的。一种生产一个电子发射复合物的方法，包括混合一个数量为约50到约95wt%的钽酸钡复合物和一个数量为约5到约50wt%的铁电氧化物复合物来形成一个电子发射母体复合物，其中重量百分比是基于钽酸钡复合物和铁电氧化物复合物的总重量的；且在大约1000℃到大约1700℃温度下烧结复合物。

公开(公告)号：CN1574153A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410046481.6

申请日：2004-05-31

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·M·维努戈帕尔 ,  A·M·斯里瓦斯塔瓦 ,  H·A·科曼佐 ,  V·米哈 ,  W·W·贝尔斯 ,  G·C·拉马钱德兰 ,  M·S·阿亚姆

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/144 ,  H01J9/02 ,  H01J61/06

CPC classification number: H01J1/144 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/0737

Abstract: 一种电子发射复合物，包括一个数量为约50到约95wt％的钽酸钡复合物，和一个占约5到约50wt％的铁电氧化物复合物，其中重量百分比是基于钽酸钡复合物和铁电氧化物复合物的总重量的。一种生产一个电子发射复合物的方法，包括混合一个数量为约50到约95wt％的钽酸钡复合物和一个数量为约5到约50wt％的铁电氧化物复合物来形成一个电子发射母体复合物，其中重量百分比是基于钽酸钡复合物和铁电氧化物复合物的总重量的；且在大约1000℃到大约1700℃温度下烧结复合物。

公开(公告)号：CN1042871C

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN93120838.6

申请日：1993-12-15

Applicant: 三星电管株式会社

Inventor： 崔龟锡 ,  崔钟书 ,  孙景千 ,  朱圭楠 ,  李相沅

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/20 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J1/144

Abstract: 一种氧化物阴极包括一个金属基座(2)，一个在所述金属基座上形成的含有钡作为主要成分的电子发射材料层(1)，以及一个用于加热电子发射材料层(1)的加热器(4)。在所述的电子发射材料层(1)上形成有含钛的Ba蒸发限制层(5)。因此，阴极的电子发射特性和寿命得以改善。

公开(公告)号：CN103998634B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201280060611.4

申请日：2012-12-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 山本慎一 ,  中野佳代 ,  堀江宏道

IPC: C22C1/04 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  C22C27/04 ,  B22F3/14 ,  B22F3/24 ,  H01J1/14

CPC classification number: H01J1/144 ,  B22F5/12 ,  C22C1/045 ,  C22C1/1078 ,  C22C27/04 ,  C22C32/0052 ,  H01J23/05 ,  H01J61/0735 ,  H01J2201/30449

Abstract: 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上5wt％以下的范围内含有以ZrC换算计的Zr成分。

公开(公告)号：CN103998634A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280060611.4

申请日：2012-12-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 山本慎一 ,  中野佳代 ,  堀江宏道

IPC: C22C1/04 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  C22C27/04 ,  B22F3/14 ,  B22F3/24 ,  H01J1/14

CPC classification number: H01J1/144 ,  B22F5/12 ,  C22C1/045 ,  C22C1/1078 ,  C22C27/04 ,  C22C32/0052 ,  H01J23/05 ,  H01J61/0735 ,  H01J2201/30449

Abstract: 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上5wt％以下的范围内含有以ZrC换算计的Zr成分。

公开(公告)号：CN102394208A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110341108.3

申请日：2011-11-02

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王金淑 ,  刘伟 ,  杨帆 ,  刘祥 ,  杨韵斐 ,  赵雪薇 ,  周美玲 ,  左铁镛

IPC: H01J23/04 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/142 ,  H01J1/13 ,  H01J1/14 ,  H01J1/144 ,  H01J9/047 ,  H01J23/05

Abstract: 浸渍型氧化钇-钨基钇、钪酸盐阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中稀土氧化物为3-10％wt，其余为钨；对其浸渍的阴极发射活性盐中Sc2O3重量含量为2-6％，Y2O3重量含量为3-5％，其余为铝酸钡钙，铝酸钡钙中元素Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1。制备方法为：将钨粉和稀土氧化物Y2O3机械混合、压制、烧结得到基体；以硝酸钇、硝酸钪、硝酸钡、硝酸钙、硝酸铝和碳酸铵为原料，焙烧制备出浸渍用活性盐；在氢气气氛下对阴极基体进行浸渍以获得阴极材料。测试其二次电子发射系数明显高于钡钨阴极的二次电子发射系数，且热发射电流密度可以达到20.99A/cm2。

公开(公告)号：CN1041870C

公开(公告)日：1999-01-27

申请号：CN90102401.5

申请日：1990-04-25

Applicant: 皇家菲利浦电子有限公司

Inventor： 皮特勒斯·雅各布斯·安东尼厄斯· ,  玛丽亚·德克斯 ,  卡罗勒斯·安东尼厄斯·斯密斯

IPC: H01J1/14

CPC classification number: H01J1/144

Abstract: 一种在阴极电子发射材料中添加有氧化钇或氧化钪或碱土金属氧化物的氧化物阴极，其电子发射性能由于用细粉粒的氧化钇或氧化钪或碱土金属氧化物代替粗粉粒的氧化物而得到提高。