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公开(公告)号：CN107924744A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680044894.1
申请日：2016-05-23
Applicant: 麦格尼法恩有限公司
IPC: H01F6/00
Abstract: 我们描述一个超导电路，该电路包括：一个充磁回路和一个负载回路；负载回路包含超导体，充磁回路和超导回路由超导体桥路连接。超导体桥路由控制器控制，包含两个导电状态。在两个导电状态中，超导体电桥均处于超导态，但超导电桥的阻抗在第一个导电状态的电阻大于第二个状态的电阻。在第一个状态中充磁回路和负载回路中存在磁通流动，在第二个状态中，超导电桥阻碍两个回路中的磁通流动。在第一个状态中超导体电桥处于磁通流动态。
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公开(公告)号：CN101013851B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200610168957.2
申请日：2006-11-15
Applicant: 通用电气公司
Inventor： R·L·施泰格沃尔德 , L·J·加尔塞斯
CPC classification number: H01F6/006 , H02M3/158 , H02M3/3353 , H02M2001/007 , H02M2003/1555
Abstract: 一种用于对超导线圈(12)充电和放电的系统和方法。该系统包括耦合在低压总线(20)和高压总线(18)之间的升压变换器(16)，以及耦合在高压总线和线圈之间的反向变换器。该系统被配置为对线圈进行充电和放电，而在极性反向的同时不反向电流，并且仅在必要的时候才提供高电压。该系统还包括在放电过程中耗散过多能量的装置(42)。该方法包括脉宽调制升压变换器的固态开关，从而从低电压中获得高电压，并且然后切换反向调节器的固态开关，从而以非电流反向、极性反向方式对线圈充电或放电。
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公开(公告)号：CN105934805B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201580005423.5
申请日：2015-01-21
Applicant: 国民油井华高有限合伙公司
IPC: H01F6/00
CPC classification number: H01F6/006 , H01F6/00 , H01L39/126
Abstract: 用于在超导材料中激活俘获场磁体的系统，所述系统可以包括：超导材料元件以及被布置成接近超导材料元件的电磁源。电磁源可以被配置成产生足以激活超导材料元件的磁场脉冲。超导材料元件可以被配置成保持基本上等于由磁场脉冲生成的磁场的俘获磁场。
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公开(公告)号：CN104884967A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380066024.0
申请日：2013-09-22
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: G01R33/38 , G01R33/3815 , H01F6/00 , H01F6/04
CPC classification number: G01R33/3804 , G01R33/3815 , H01F6/006 , H01F6/04
Abstract: 一种装置包括超导材料的持续电流开关，所述超导材料在超导温度下是超导电的，而在大于所述超导温度的电阻模式温度下是阻电的。所述装置还包括第一热交换元件；对流散热回路，其将所述持续电流开关热耦合到所述第一热交换元件；第二热交换元件，其与所述第一热交换元件间隔开；以及导热链，其将所述持续电流开关热耦合到所述第二热交换元件。所述第一热交换元件被设置在所述持续电流开关上方。所述导热链可以在超导温度下比在大于所述超导温度的第二温度下具有更大的导热系数。
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公开(公告)号：CN103309253A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310078524.8
申请日：2013-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 斯蒂芬·R·密尔沃德
CPC classification number: H01F6/00 , G01R33/3815 , H01F6/006
Abstract: 本发明公开了一种永久开关控制系统、超导磁体设备及控制永久开关的方法。永久开关控制系统包括：永久开关，用于在超导线圈的断开状态和闭合状态之间切换；永久开关控制器，用于控制永久开关，其中，在充电模式下，永久开关的电阻状态被施加到永久开关的斜坡电压产生的斜坡热负荷保持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107123504B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710535226.5
申请日：2017-07-03
Applicant: 上海联影医疗科技有限公司
Inventor： 刘建锋
IPC: H01F13/00 , H01F6/00 , G01R33/381
CPC classification number: G01R33/3815 , C08G63/79 , G01R33/3804 , H01F6/006 , H01F6/008
Abstract: 本发明涉及一种磁共振系统，包括磁共振磁体及收容所述磁共振磁体的存储容器，所述存储容器能够收容吸热液体，磁共振系统还包括第一降场装置，所述第一降场装置通过在外部消耗所述磁共振磁体内的电能对所述磁共振磁体降场。本发明的磁共振磁体降场系统，通过第一降场装置在外部消耗磁共振磁体内的电能，虽然降场时间略长，但是降场成本远远低于利用液氦降场，在使用第一降场装置降场时，无需磁共振系统的维护工程师到医院现场进行磁体降场，该操作可由医院技师完成。本发明还涉及一种磁共振磁体降场系统的降场方法。
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公开(公告)号：CN104884967B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201380066024.0
申请日：2013-09-22
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: H01L39/16
CPC classification number: G01R33/3804 , G01R33/3815 , H01F6/006 , H01F6/04
Abstract: 一种装置包括超导材料的持续电流开关，所述超导材料在超导温度下是超导电的，而在大于所述超导温度的电阻模式温度下是阻电的。所述装置还包括第一热交换元件；对流散热回路，其将所述持续电流开关热耦合到所述第一热交换元件；第二热交换元件，其与所述第一热交换元件间隔开；以及导热链，其将所述持续电流开关热耦合到所述第二热交换元件。所述第一热交换元件被设置在所述持续电流开关上方。所述导热链可以在超导温度下比在大于所述超导温度的第二温度下具有更大的导热系数。
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公开(公告)号：CN102356437A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200980150585.2
申请日：2009-12-03
Applicant: 麦格尼法恩有限公司
Inventor： T·A·库姆斯
CPC classification number: H01F6/00 , G01R33/3815 , H01F6/006 , H01F13/00 , H01L39/10
Abstract: 本发明主要涉及用于对超导体进行磁化的方法和设备。描述的方法通过对磁体进行自动控制以生成通过所述超导体表面的磁通变化波来改变超导体的磁化，磁通变化波特别是磁通变化驻波。在方法的优选实施例中，超导体位于包括铁磁或亚铁磁材料的磁路中，并且方法还包括在改变超导体的磁化期间或在改变超导体的磁化后调节磁路。
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公开(公告)号：CN101292305A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200680038693.7
申请日：2006-10-20
Applicant: 麦格尼法恩有限公司
Inventor： 蒂莫西·阿瑟·库姆斯
Abstract: 本发明涉及用来磁化超导体的方法及设备，特别针对磁化超导磁通泵，以及新型的磁化超导体。本发明涉及改变超导体磁化之方法，此方法涉及自动化控制一磁场以产生通过所述超导体表面之变动行波磁通。
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公开(公告)号：CN109313245A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780035546.2
申请日：2017-06-05
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: G01R33/389 , G01R33/3815 , G01R33/421 , H01F6/00
CPC classification number: G01R33/389 , G01R33/3815 , G01R33/421 , H01F6/006
Abstract: 一种超导磁体包括：超导磁体线圈(C1、C2、C3、C4、C5、C6、S1、S2)，其被设置在磁体低温恒温器(12)内部。当电流在超导磁体线圈中流动时，超导磁体线圈生成静态(B0)磁场。超导B0补偿电路(30、60、70)也被设置在磁体低温恒温器内部，并且与超导磁体线圈耦合以被动地减少由超导磁体线圈生成的B0磁场中的时间变化。电流传感器(40)也被设置在磁体低温恒温器内部并且被连接以测量在超导B0补偿电路中流动的电流。主动B0补偿部件(50)与电流传感器可操作地连接以接收在超导B0补偿电路中流动的电流的测量结果，并且基于所测量的电流来提供主动B0磁场补偿。
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