一种内置弹射机构的避雷绝缘子

    公开(公告)号:CN109036740A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810979350.5

    申请日:2018-08-27

    Inventor: 汤亮

    CPC classification number: H01B17/38 H01B17/42

    Abstract: 本发明公开了一种内置弹射机构的防雷绝缘子,属于绝缘子技术领域。本发明的种防雷绝缘子,包括绝缘子本体、夹线金具、绝缘底座和接地金具,所述绝缘子本体顶端设有夹线金具,所述绝缘子本体底端通过绝缘底座连接接地金具,所述绝缘底座的一侧开设有空腔,所述空腔内设有弹射机构;所述弹射机构包括气囊、弹射板、弹射筒以及弹射杆。本发明用于在绝缘子上做出明显标示,便于巡检人员快速的发现被雷击的绝缘子,保障线路的正常运行。

    基于电荷调控及主动消散的新型盆式绝缘子

    公开(公告)号:CN108364731A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201810105314.6

    申请日:2018-02-01

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: H01B17/42 H01B17/50

    Abstract: 一种基于电荷调控及主动消散的新型盆式绝缘子,包括绝缘电阻区和电荷消散区,所述电荷消散区表面涂覆有防静电涂层。其有益效果是:通过改变现有绝缘子的外形,使电荷在直流电场作用下积聚在电荷积聚区的侧壁,通过侧壁涂覆防静电涂层,使侧壁表面电阻率降低,这样能够使吸附在侧壁表面的电荷更容易消散,从而起到电荷主动调控及消散的目的。

    一种叠层钢化玻璃绝缘子及制备方法

    公开(公告)号:CN108305729A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201810280228.9

    申请日:2018-04-03

    Inventor: 郑金 肖金林

    CPC classification number: H01B17/32 H01B17/38 H01B17/42 H01B17/525 H01B19/00

    Abstract: 本发明公开了一种叠层钢化玻璃绝缘子及制备方法,这种绝缘子包括玻璃体、铁帽、水泥胶合剂。玻璃体以直流型钢化玻璃为中心、外包裹铝硅玻璃或低硼硅玻璃。直流型钢化玻璃包括以下原料:石英、氧化铝、氧化铁、氧化钙、氧化镁、氧化钾、氧化钠、氧化锂、氧化硼、二氧化钛,玻璃体外表面上涂覆二氧化钛膜层;本发明叠层钢化玻璃绝缘子具有高机械强度,钢化的均匀性很好,耐外力撞击,不易造成缺角、破裂等现象,不产生龟裂;耐温差,可避免玻璃绝缘子自爆现象,表面坚硬细致无毛细孔,易自洁,强度高,抗污闪能力强并且适用于直流电中,对保证电力系统的正常运行具有重要意义。

    一种具有VFTO抑制功能的锥形绝缘子

    公开(公告)号:CN107393662A

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201710778508.8

    申请日:2017-09-01

    CPC classification number: H01B17/42 H01B17/38

    Abstract: 本申请涉及电力设备技术领域,尤其涉及一种具有VFTO抑制功能的锥形绝缘子。该锥形绝缘子包括:中心嵌件、绝缘区、爬电区和固定法兰,其中,所述中心嵌件设置于一空心锥体的顶端,所述锥体靠近所述中心嵌件的一端为所述绝缘区,其余部分为所述爬电区,所述爬电区的底部与所述固定法兰相连接。当有外加的VFTO作用于绝缘子表面时,在VFTO提供的瞬态高电压的作用下,爬电区内局部区域的非线性填料的电阻率快速下降,使绝缘子表面聚集的电荷沿爬电区、固定法兰的传播方向消散,可抑制VFTO在锥形绝缘子表面形成电荷积聚,保持绝缘子的可靠性,减小绝缘子表面的电场畸变,提高GIS设备运行的稳定性。

    一种用于抑制VFTO的纳米氧化硅绝缘子

    公开(公告)号:CN107359028A

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201710778629.2

    申请日:2017-09-01

    CPC classification number: H01B17/42

    Abstract: 本申请涉及电力设备技术领域,尤其涉及一种用于抑制VFTO的纳米氧化硅绝缘子。该绝缘子包括:中心嵌件、绝缘区、纳米氧化硅爬电区和固定法兰,其中,所述中心嵌件设置于一空心锥体的顶端,所述锥体靠近所述中心嵌件的一端为所述绝缘区,其余部分为所述纳米氧化硅爬电区,所述纳米氧化硅爬电区的底部与所述固定法兰相连接。该爬电区中的纳米氧化硅和基体之间形成了大量的接触界面,当有外加的VFTO作用于绝缘子表面时,该接触界面可以提高VFTO的折返次数,限制VFTO在盆式绝缘子中的传播,抑制其在盆式绝缘子表面形成法向电场分布。从而当VFTO波出现时,大大降低绝缘子侧壁上的电荷积聚,保持绝缘子的可靠性。

    一种带顶环屏蔽结构的800kV套管

    公开(公告)号:CN107170539A

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201710173701.9

    申请日:2017-03-22

    CPC classification number: H01B17/583 H01B17/42

    Abstract: 本发明公开了一种带顶环屏蔽结构800kV套管,其特征在于,包括设于空心复合绝缘筒内的导电管,导电管顶端与接线板连接;空心复合绝缘筒内设有带顶环接地屏蔽罩,其包括屏蔽罩主体,屏蔽罩主体顶部通过多根支撑杆连接多个上下重叠的顶环,导电管穿设于顶环内。本发明在屏蔽罩主体顶部增加顶环,显著改善在带顶环接地屏蔽罩上端对应的套管空心复合绝缘筒内壁及外壁电位线过于密集的问题,优化并降低该处电场强度值,将电位线整体向套管上部推移,达到充分利用套管绝缘距离和提高套管整体绝缘性能的目的的同时,在保证绝缘性能基本持平的情况下,使套管的结构简单、制造和安装方便、快捷、生产成本得到显著降低。

    复合横担及复合杆塔
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106894670A

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:CN201611240700.3

    申请日:2016-12-29

    CPC classification number: E04H12/24 H01B17/42

    Abstract: 本发明公开一种复合横担,包括横担绝缘子、两列水平斜拉绝缘子和一列上斜拉绝缘子。两列水平斜拉绝缘子与横担绝缘子在同一水平面上且分别位于其两侧,两列水平斜拉绝缘子相对彼此呈V字型,其V字型开口处的一端均连接在复合杆塔塔身上,其V字型顶点处的一端连接在横担绝缘子远离塔身的一端。上斜拉绝缘子的一端连接至塔身,另一端连接在横担绝缘子远离塔身的一端。横担绝缘子远离塔身的一端配置一个主均压环、两列水平斜拉绝缘子的V字型顶点处的一端分别配置两个辅均压环和上斜拉绝缘子远离塔身的一端配置一个辅均压环。各均压环均设置在远离塔身的一端,且分别配置于横担绝缘子、两列水平斜拉绝缘子和上斜拉绝缘子上,能够有效均匀电场。

    一种新型绝缘子
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106847438A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710223848.4

    申请日:2017-04-07

    Inventor: 韩念龙

    CPC classification number: H01B17/38 H01B17/42

    Abstract: 一种新型绝缘子,包括绝缘伞套,所述的绝缘子底部设置有连接板,所述的连接板上设置有连接孔,所述的连接板上部设置有绝缘外套,所述的绝缘外套上设置有绝缘伞套,所述的绝缘外套表面设置有一层防污闪涂漆,所述的绝缘外套上部设置有基座,所述的连接板和基座由水泥制作而成,进一步讲,所述的连接板为椭圆形,进一步讲,所述的连接孔设置为两个,进一步讲,所述的连接板和基座通过粘接剂与绝缘外套粘结在一块,本发明与现有技术比较的优点是:本发明设置有绝缘伞套,具有良好的防污闪性能,方便日常的维护与清洁,具有良好的绝缘性能。

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