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公开(公告)号：CN107359028B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710778629.2
申请日：2017-09-01
Applicant: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: H01B17/42
Abstract: 本申请涉及电力设备技术领域，尤其涉及一种用于抑制VFTO的纳米氧化硅绝缘子。该绝缘子包括：中心嵌件、绝缘区、纳米氧化硅爬电区和固定法兰，其中，所述中心嵌件设置于一空心锥体的的顶端，所述锥体靠近所述中心嵌件的一端为所述绝缘区，其余部分为所述纳米氧化硅爬电区，所述纳米氧化硅爬电区的底部与所述固定法兰相连接。该爬电区中的纳米氧化硅和基体之间形成了大量的接触界面，当有外加的VFTO作用于绝缘子表面时，该接触界面可以提高VFTO的折返次数，限制VFTO在盆式绝缘子中的传播，抑制其在盆式绝缘子表面形成法向电场分布。从而当VFTO波出现时，大大降低绝缘子侧壁上的电荷积聚，保持绝缘子的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107359029A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710778636.2
申请日：2017-09-01
Applicant: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: H01B17/42
CPC classification number: H01B17/42
Abstract: 本申请涉及电力设备技术领域，尤其涉及一种用于抑制VFTO的氧化铝晶须绝缘子。该绝缘子包括：中心嵌件、氧化铝晶须绝缘区、爬电区和固定法兰，其中，所述中心嵌件设置于一空心锥体的顶端，所述锥体靠近所述中心嵌件的一端为所述氧化铝晶须绝缘区，其余部分为所述爬电区，所述爬电区的底部与所述固定法兰相连接。该氧化铝晶须绝缘区中的氧化铝晶须和基体之间形成了大量的接触界面，当有外加的VFTO作用于绝缘子表面时，该接触界面可以提高VFTO的折返次数，限制VFTO在盆式绝缘子中的传播，抑制其在盆式绝缘子表面形成法向电场分布。从而当VFTO波出现时，大大降低绝缘子侧壁上的电荷积聚，保持绝缘子的可靠性。
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公开(公告)号：CN107393662A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710778508.8
申请日：2017-09-01
Applicant: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
Abstract: 本申请涉及电力设备技术领域，尤其涉及一种具有VFTO抑制功能的锥形绝缘子。该锥形绝缘子包括：中心嵌件、绝缘区、爬电区和固定法兰，其中，所述中心嵌件设置于一空心锥体的顶端，所述锥体靠近所述中心嵌件的一端为所述绝缘区，其余部分为所述爬电区，所述爬电区的底部与所述固定法兰相连接。当有外加的VFTO作用于绝缘子表面时，在VFTO提供的瞬态高电压的作用下，爬电区内局部区域的非线性填料的电阻率快速下降，使绝缘子表面聚集的电荷沿爬电区、固定法兰的传播方向消散，可抑制VFTO在锥形绝缘子表面形成电荷积聚，保持绝缘子的可靠性，减小绝缘子表面的电场畸变，提高GIS设备运行的稳定性。
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公开(公告)号：CN107359028A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710778629.2
申请日：2017-09-01
Applicant: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: H01B17/42
CPC classification number: H01B17/42
Abstract: 本申请涉及电力设备技术领域，尤其涉及一种用于抑制VFTO的纳米氧化硅绝缘子。该绝缘子包括：中心嵌件、绝缘区、纳米氧化硅爬电区和固定法兰，其中，所述中心嵌件设置于一空心锥体的顶端，所述锥体靠近所述中心嵌件的一端为所述绝缘区，其余部分为所述纳米氧化硅爬电区，所述纳米氧化硅爬电区的底部与所述固定法兰相连接。该爬电区中的纳米氧化硅和基体之间形成了大量的接触界面，当有外加的VFTO作用于绝缘子表面时，该接触界面可以提高VFTO的折返次数，限制VFTO在盆式绝缘子中的传播，抑制其在盆式绝缘子表面形成法向电场分布。从而当VFTO波出现时，大大降低绝缘子侧壁上的电荷积聚，保持绝缘子的可靠性。
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公开(公告)号：CN107359029B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710778636.2
申请日：2017-09-01
Applicant: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: H01B17/42
Abstract: 本申请涉及电力设备技术领域，尤其涉及一种用于抑制VFTO的氧化铝晶须绝缘子。该绝缘子包括：中心嵌件、氧化铝晶须绝缘区、爬电区和固定法兰，其中，所述中心嵌件设置于一空心锥体的的顶端，所述锥体靠近所述中心嵌件的一端为所述氧化铝晶须绝缘区，其余部分为所述爬电区，所述爬电区的底部与所述固定法兰相连接。该氧化铝晶须绝缘区中的氧化铝晶须和基体之间形成了大量的接触界面，当有外加的VFTO作用于绝缘子表面时，该接触界面可以提高VFTO的折返次数，限制VFTO在盆式绝缘子中的传播，抑制其在盆式绝缘子表面形成法向电场分布。从而当VFTO波出现时，大大降低绝缘子侧壁上的电荷积聚，保持绝缘子的可靠性。
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公开(公告)号：CN207116135U
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201721114114.4
申请日：2017-09-01
Applicant: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
Abstract: 本申请涉及电力设备技术领域，尤其涉及一种具有VFTO抑制功能的锥形绝缘子。该锥形绝缘子包括：中心嵌件、绝缘区、爬电区和固定法兰，其中，所述中心嵌件设置于一空心锥体的顶端，所述锥体靠近所述中心嵌件的一端为所述绝缘区，其余部分为所述爬电区，所述爬电区的底部与所述固定法兰相连接。当有外加的VFTO作用于绝缘子表面时，在VFTO提供的瞬态高电压的作用下，该爬电区内的电阻率快速下降，使绝缘子表面聚集的电荷沿爬电区、固定法兰的传播方向消散，可抑制VFTO在锥形绝缘子表面形成电荷积聚，保持绝缘子的可靠性，减小绝缘子表面的电场畸变，提高GIS设备运行的稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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