公开(公告)号：CN104169285B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201380013022.5

申请日：2013-04-04

申请人： DIC株式会社

发明人： 饵取秀树 ,  村田秀之 ,  稻垣翔 ,  E·迈克尔

IPC分类号： C07D487/22 ,  B82Y30/00 ,  C09B47/20 ,  C09D11/037 ,  C09D11/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/42

CPC分类号： H01L51/0078 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C07D487/22 ,  C09B47/065 ,  C09B47/0678 ,  C09B47/24 ,  C09B67/0019 ,  C09B67/0023 ,  C09B67/0026 ,  C09B67/0035 ,  C09D11/322 ,  C09D11/52 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/4206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明试图提供能够利用低成本的湿法制造电子元件的有机半导体材料。进而，课题在于提供不易破坏、轻量、廉价、且高特性的有机半导体电子元件。发现根据本发明，通过优化构成酞菁纳米尺寸结构体的酞菁衍生物，可以提供性能得到提高的适合于湿法的有机半导体材料，从而完成了本发明。进而，通过将该有机半导体材料用于电子元件活性部(半导体层)，从而可以提供富于耐久性、且不易破坏、轻量、廉价、且高特性的电子元件。

公开(公告)号：CN103130813B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210500589.2

申请日：2012-11-29

申请人： 佳能株式会社

发明人： 田中正人 ,  川原正隆 ,  渡口要 ,  村上健 ,  吉田晃

IPC分类号： C07D487/22 ,  G03G5/06

CPC分类号： C09B67/0026 ,  C09B67/0002 ,  C09B67/0016 ,  G03G5/0542 ,  G03G5/0564 ,  G03G5/0614 ,  G03G5/0696 ,  G03G5/14756

摘要： 本发明涉及镓酞菁晶体的生产方法和使用镓酞菁晶体的生产方法生产电子照相感光构件的方法。提供电子照相感光构件的生产方法，所述电子照相感光构件具有改进的感光度和不仅在常温常湿环境下而且在作为特别苛刻的条件的低温低湿环境下均能够输出具有较少的由于重影现象引起的图像缺陷的图像。镓酞菁晶体的生产方法包括将添加至溶剂的镓酞菁和特定胺化合物进行研磨处理，从而进行镓酞菁的晶体变换。此外，将镓酞菁晶体用于电子照相感光构件的感光层中。

公开(公告)号：CN104169285A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380013022.5

申请日：2013-04-04

申请人： DIC株式会社

发明人： 饵取秀树 ,  村田秀之 ,  稻垣翔 ,  E·迈克尔

IPC分类号： C07D487/22 ,  B82Y30/00 ,  C09B47/20 ,  C09D11/037 ,  C09D11/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/42

CPC分类号： H01L51/0078 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C07D487/22 ,  C09B47/065 ,  C09B47/0678 ,  C09B47/24 ,  C09B67/0019 ,  C09B67/0023 ,  C09B67/0026 ,  C09B67/0035 ,  C09D11/322 ,  C09D11/52 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/4206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明试图提供能够利用低成本的湿法制造电子元件的有机半导体材料。进而，课题在于提供不易破坏、轻量、廉价、且高特性的有机半导体电子元件。发现根据本发明，通过优化构成酞菁纳米尺寸结构体的酞菁衍生物，可以提供性能得到提高的适合于湿法的有机半导体材料，从而完成了本发明。进而，通过将该有机半导体材料用于电子元件活性部(半导体层)，从而可以提供富于耐久性、且不易破坏、轻量、廉价、且高特性的电子元件。

公开(公告)号：CN103249781A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180056526.6

申请日：2011-11-22

申请人： M技术株式会社

发明人： 前川昌辉 ,  本田大介 ,  榎村真一

IPC分类号： C09B67/02 ,  B82Y30/00 ,  C09B67/12 ,  C09B67/20 ,  C09B67/22 ,  C09B67/42

CPC分类号： C07F3/06 ,  B01D11/0269 ,  B01F3/0861 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/82 ,  C07F1/08 ,  C09B67/0017 ,  C09B67/0019 ,  C09B67/0026 ,  C09B67/0035 ,  C09B67/0092 ,  C09C1/0081 ,  C09C1/04 ,  C09C1/627

摘要： 本发明的课题为提供高耐热性酞菁。其特征在于，其为将在溶剂中溶解了酞菁原料的酞菁溶液与酞菁析出溶剂混合而析出了的酞菁，该析出了的酞菁的分解温度比上述酞菁原料的分解温度高10℃以上，具有高耐热性。另外，其特征在于，上述酞菁溶液也可以在溶剂中溶解了2种以上的酞菁原料，上述析出了的酞菁含有上述2种以上的酞菁原料的固溶体，上述析出了的酞菁的分解温度，比将上述2种以上的酞菁原料分别在溶剂中溶解了2种以上的酞菁溶液分别与酞菁析出溶剂混合而析出了的2种以上的酞菁的混合物的分解温度高10℃以上。

公开(公告)号：CN102822286A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180016024.0

申请日：2011-03-04

申请人： M技术株式会社

发明人： 前川昌辉 ,  本田大介 ,  榎村真一

IPC分类号： C09B67/50 ,  C09B67/12 ,  C09B67/20

CPC分类号： C09B67/0026 ,  C09B67/0019 ,  Y10T428/2982

摘要： 本发明的课题为提供含有至少一种具有高分光特性、且为与α型不同的结晶型的铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料及上述铜酞菁微粒的制造方法。提供含有至少一种为与α型不同的结晶型、且在380～780nm中的吸收光谱为α型吸收光谱的形状的铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料及上述铜酞菁颜料的制造方法。另外，提供含有至少一种与α型及ε型的2种型不同的结晶型、且在380～780nm中的透射光谱中透射率达到最大的波长(λmax)低于478nm的铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料及上述铜酞菁微粒的制造方法。

公开(公告)号：CN102443008A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110432638.9

申请日：2011-12-21

申请人： 运城学院

发明人： 夏道成

IPC分类号： C07D487/22

CPC分类号： C09B47/073 ,  C09B67/0026

摘要： 本发明公开了一种酞菁铜的水热合成法，属于有机合成技术领域，涉及酞菁铜的合同方法。包括以下步骤：（1）以0.1mmol铜盐和0.4mmol吲哚为起始原料，把起始原料放到带有聚四氟乙烯内衬的钢弹中，加入4mmL水；（2）把钢弹拧紧；（3）把钢弹放在烘箱里，控制温度在60-90℃，反应50-70min后，冷却至室温；（4）冷却后过滤，然后用甲醇冲洗，即得紫色针状的酞菁铜。本发明方法大大缩短了单晶生长时间，成功率非常高；用很短时间就可以生长出10.0mm左右的单晶，同时成功率100%，设备简单，成本低。

公开(公告)号：CN1864106B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200480029411.8

申请日：2004-10-07

申请人： 菲萨络斯有限公司

发明人： 权鐘浩 ,  郑起硕 ,  孙佑镐 ,  朴圣秀 ,  高秦必 ,  郑铉锡

IPC分类号： G03G5/04

CPC分类号： C09B67/0026 ,  C07D487/22 ,  G03G5/051 ,  G03G5/0525 ,  G03G5/0696 ,  H05B6/74

摘要： 本文公开了用于制备作为电荷产生材料的酞菁氧钛的方法和装置。该方法包括下列步骤：将粗制酞菁氧钛与有机溶剂均匀混合，同时对其施加具有0.1～100GHz频率和10～3000W功率的微波能量以及1～1000kHz频率和10～5000W功率的超声波能量，在30℃～100℃下使混合物反应0.5～5小时。所述装置包括：能够产生0.1～100GHz频率和10～3000W功率的磁控管1；用于使微波容器2中的微波波长均匀的模式搅拌器3；用于精确测量和控制反应物温度的PID型温度控制器8；屏蔽微波的K型热电偶4；冷凝器5；搅拌器6；超声头7；派热克斯玻璃容器9和溶剂槽10，其中热电偶4、冷凝器5和搅拌器6插入在微波容器2顶部形成的三个开口中，超声头7插入在微波容器2底部形成的开口中，反应物被引入到派热克斯玻璃容器9中。根据本发明的方法和装置，可以以有效的方式来制备具有优异热稳定性和晶体稳定性的酞菁氧钛电荷产生材料。

公开(公告)号：CN101627089A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200880001447.3

申请日：2008-01-28

申请人： 西巴控股有限公司

发明人： H·李 ,  J·钟 ,  T·德诺 ,  M·奥华

IPC分类号： C09B67/04 ,  C09B67/22 ,  G03F7/00 ,  C09B67/50

CPC分类号： C09B67/0002 ,  C09B67/0023 ,  C09B67/0026 ,  C09B67/0035 ,  G03F7/0007 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/1086

摘要： 本发明涉及一种颜料组合物，包括70至93％，优选81至93％的ε型铜酞菁，5至18％的氨甲基取代的酞菁，2至15％的磺基酞菁铵，以及少于2％的其它酞菁化合物，优选在有机液体中将α型铜酞菁和ε型铜酞菁的混合物与氨甲基取代的酞菁以及研磨助剂一起湿磨，以及在研磨助剂和有机液体从湿磨混合物中分离之前，加入磺基酞菁铵而制造。

公开(公告)号：CN1371408A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN00812263.6

申请日：2000-05-04

申请人： 莱克斯马克国际公司

发明人： D·G·布莱克 ,  L·L·科尔斯特恩 ,  R·H·勒温

IPC分类号： C09B67/04 ,  G03G5/06 ,  G03G5/047

CPC分类号： G03G5/0696 ,  C09B67/0016 ,  C09B67/0026 ,  G03G5/0542

摘要： 电荷生成层,其包括在介质研磨机中经预研磨IV型多晶型物制备的I型钛氧基酞菁多晶型物。双层光电导体包括与基底和电荷传输层结合的电荷生成层。

公开(公告)号：CN1074437C

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN97113455.3

申请日：1997-04-25

申请人： 东洋油墨制造株式会社

发明人： 富谷信之 ,  林三树夫

IPC分类号： C09B67/08

CPC分类号： C09B67/0026 ,  C09B67/0016

摘要： 本发明是一种制造β-型酞菁铜颜料的方法，它包括下列步骤：在110-200℃之间的温度下干研磨粗酞菁铜，并在有机溶剂或水与有机溶剂的液体混合物中处理所得酞菁铜的α-β混合物，使α型晶体转变为β-型晶体。本发明的制法以低成本提供β-型酞菁铜颜料，此颜料与用通常的盐研磨法制得的颜料相比，其在颜色强度，清晰度，流动性及色彩方面的质量相等或更优越。