公开(公告)号：CN104779400A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510149504.4

申请日：2015-03-31

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 林俊 ,  史珍珍 ,  何少剑 ,  李春雷 ,  胡冶 ,  刘鑫 ,  郏慧娜 ,  林彦楷

IPC: H01M4/88 ,  H01M4/94 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01M4/94 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B32/166

Abstract: 本发明公开了一种用于质子交换膜的改性碳纳米管的制备方法。所述的方法首先配制多巴胺盐酸盐的乙醇溶液，通入保护气体，滴加氨水，加入1,3-丙基磺酸内酯进行回流反应，然后依次经过滤、乙醇清洗和干燥，得到磺酸化多巴胺；将碳纳米管分散到三(羟甲基)氨基甲烷盐酸盐的缓冲液中，加入磺酸化多巴胺进行反应，然后离心取下层沉淀，干燥，得到改性碳纳米管。本发明将碳纳米管表面包裹一层磺酸化多巴胺，提高了碳纳米管与质子交换膜基质间的界面结合力，磺酸化的碳纳米管形成的质子传导通道提高膜的质子电导率，同时纳米粒子在基体中的良好分散使膜的甲醇渗透性能得到改善。

公开(公告)号：CN107001046A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580067615.9

申请日：2015-12-24

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 山岸智子 ,  上岛贡

IPC: C01B32/168 ,  H01B5/02 ,  H01B13/00 ,  H01B1/04

CPC classification number: C01B32/166 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/05 ,  C01B2202/32 ,  H01B1/04 ,  H01B5/02 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管膜，其是由多根碳纳米管的聚集体形成的，上述多根碳纳米管包含具有至少一部分塌陷的结构的碳纳米管。此外，还涉及一种碳纳米管膜的制造方法，其包含从含有多根碳纳米管、分散剂及溶剂的碳纳米管分散液中除去溶剂而将碳纳米管膜成膜的工序，上述多根碳纳米管包含具有至少一部分塌陷的结构的碳纳米管。

公开(公告)号：CN104787748B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201510209568.9

申请日：2015-04-28

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 仲兆祥 ,  赵阳 ,  姚忠

IPC: C01B31/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B32/166 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/17 ,  C01B32/178 ,  C01B2202/08 ,  H01J2237/334 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明公开了一种垂直生长的开口碳纳米管薄膜的制备方法。以金相砂纸磨平陶瓷膜表面，经丙酮超声清洗、水煮，干燥得到陶瓷膜基体；将催化剂二茂铁超声溶于碳源二甲苯中，并加入碳纳米管促生长剂噻吩形成混合溶液。将陶瓷膜基体置于管式炉反应器中，通入氮气并缓慢匀速注入混合溶液进行高温气相沉积反应；再经等离子体刻蚀、硝酸回流加热处理，使碳纳米管的封闭端开口，并去除碳纳米管薄膜上的催化剂颗粒，得到高垂直取向的开口碳纳米管薄膜。本发明工艺简单实用、成本低，通过改变条件参数可实现对碳纳米管薄膜的密度、形态的控制。所制备的碳纳米管薄膜可广泛应用于气体净化与储存、导热导电、催化剂载体等领域，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN1768002A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480008689.7

申请日：2004-03-31

Applicant: 韩国化学研究院

Inventor： 柳炳焕 ,  孔基正 ,  张贤珠 ,  崔荣珉 ,  李载道 ,  郑河均 ,  金唱均 ,  朴汉性

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  D01F9/12

CPC classification number: B01J23/74 ,  B01J23/755 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/166 ,  C01B2202/36 ,  D01F9/12 ,  Y02P20/544

Abstract: 本发明涉及一种利用液相烃基材料在平衡于液相和气相之间的临界范围内诱导碳纳米管生长的方法，由此可容易地处理所需的碳源。本发明还涉及一种便于容易产生碳纳米管的碳骨架的方法，这是因为所述反应是在能够自发地产生种子催化剂的金属纳米颗粒或者金属化合物的存在下进行的，其中所述种子催化剂能够刺激碳纳米管的生长，并且通过在临界范围内利用温和的反应条件确保工业应用足够安全。因此，本发明能够在不使用昂贵的设备的前提下，采用与传统的气相方法相比较低的温度和压力的温和条件以高的转化率来生产碳纳米管，因此以节约成本的方式大量生产碳纳米管。

公开(公告)号：CN105611986B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201480055827.0

申请日：2014-08-18

Applicant: 加拿大国家研究委员会

Inventor： 丁建夫 ,  P·马朗方 ,  李兆 ,  J·莱夫布尔 ,  程福永 ,  B·西马德

IPC: B01D11/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01B32/166 ,  B01D11/0257 ,  B01D11/0265 ,  B01D11/0288 ,  B01D21/262 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/159 ,  C01B32/172 ,  C01B32/174

Abstract: 一种两步sc‑SWCNT富集方法涉及基于使用共轭聚合物对半导体SWCNT进行选择性分散和提取的第一步骤，继而是基于吸附过程的第二步骤，其中使所述第一步骤的产物暴露于无机吸收介质以主要选择性地结合金属SWCNT，以使得仍分散在溶液中之物进一步富集半导体SWCNT。所述方法可容易按比例缩放用于具有在例如约0.6nm至2.2nm范围的平均直径的大直径半导体单壁碳纳米管(sc‑SWCNT)的富集。所述第一步骤以高产率产生具有中等sc纯度(98％)的富集的sc‑SWCNT分散液，或以低产率产生具有高纯度(99％和更高)的富集的sc‑SWCNT分散液。所述第二步骤不仅可以提高所述具有中等纯度的由聚合物富集的sc‑SWCNT的纯度，而且还可以将所述高度纯化的样品进一步提升到超纯的水平。因此，这种两步混合方法提供了具有超高纯度的sc‑SWCNT材料以及高sc纯度(例如大于99％)和高产率(高达约20％或更高)这两者。

公开(公告)号：CN105611986A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480055827.0

申请日：2014-08-18

Applicant: 加拿大国家研究委员会

Inventor： 丁建夫 ,  P·马朗方 ,  李兆 ,  J·莱夫布尔 ,  程福永 ,  B·西马德

IPC: B01D11/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01B32/166 ,  B01D11/0257 ,  B01D11/0265 ,  B01D11/0288 ,  B01D21/262 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/159 ,  C01B32/172 ,  C01B32/174

Abstract: 一种两步sc-SWCNT富集方法涉及基于使用共轭聚合物对半导体SWCNT进行选择性分散和提取的第一步骤，继而是基于吸附过程的第二步骤，其中使所述第一步骤的产物暴露于无机吸收介质以主要选择性地结合金属SWCNT，以使得仍分散在溶液中之物进一步富集半导体SWCNT。所述方法可容易按比例缩放用于具有在例如约0.6nm至2.2nm范围的平均直径的大直径半导体单壁碳纳米管(sc-SWCNT)的富集。所述第一步骤以高产率产生具有中等sc纯度(98％)的富集的sc-SWCNT分散液，或以低产率产生具有高纯度(99％和更高)的富集的sc-SWCNT分散液。所述第二步骤不仅可以提高所述具有中等纯度的由聚合物富集的sc-SWCNT的纯度，而且还可以将所述高度纯化的样品进一步提升到超纯的水平。因此，这种两步混合方法提供了具有超高纯度的sc-SWCNT材料以及高sc纯度(例如大于99％)和高产率(高达约20％或更高)这两者。

公开(公告)号：CN102026917B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN200980114494.3

申请日：2009-02-17

Applicant: 原子能与替代能源委员会

Inventor： 马修·皮诺尔特 ,  马修·德尔马斯 ,  马蒂内·梅内尔赫米特

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/166 ,  C01B2202/08 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明涉及碳纳米管在基底上的生长，尤其是碳或者金属这些纳米管生长通常十分困难的基底。相应地，本发明包括具有沉积陶瓷底层的第一个阶段，随后是具有在所述底层上沉积碳纳米管的第二个阶段，这两个阶段是在同一个生长反应器中以单一的步骤完成的。碳纳米管的生长可以优选地通过化学气相沉积法实现。

公开(公告)号：CN102171139A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138611.X

申请日：2009-09-30

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 蒲生秀典 ,  儿玉贤洋 ,  田村章

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/166 ,  C09K11/65 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明的纳米碳材料复合基板的特征在于，具备：基板、形成在所述基板上的三维结构图案、和形成在所述基板表面的纳米碳材料，所述纳米碳材料至少存在于所述三维结构图案的侧面部。

公开(公告)号：CN106660808A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580029899.2

申请日：2015-05-29

Applicant: 剑桥企业有限公司

Inventor： D·J·弗里 ,  A·R·卡迈利

IPC: C01B32/26 ,  C01B32/15 ,  C01B32/158

CPC classification number: B01J3/062 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/166 ,  C01B32/22 ,  C01B32/25

Abstract: 本发明涉及一种制备钻石的方法，该方法包括：制备含有纳米结构碳质材料和过渡金属的含碳粉末和热处理该粉末的步骤。所述含碳粉末是通过在熔盐中电化学腐蚀石墨制得的，在所述电化学腐蚀期间所述过渡金属被并入至所述含碳粉末中。热处理含碳粉末的步骤是在350‑300℃的温度和1GPa以下的压力下的非氧化气氛中进行的。该方法使得钻石可以在低压和低温下制得。

公开(公告)号：CN106660799A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580030524.8

申请日：2015-06-08

Applicant: 卡纳图有限公司

Inventor： 大卫·P·布朗 ,  O·雷诺 ,  A·S·阿尼西莫夫 ,  A·G·纳西布林

IPC: C01B32/162 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B01J35/02 ,  B01J21/18 ,  B01J27/043 ,  B01J23/745

CPC classification number: B01J31/0215 ,  B01J13/0095 ,  B01J19/06 ,  B01J21/185 ,  B01J23/48 ,  B01J23/70 ,  B01J23/745 ,  B01J27/02 ,  B01J35/0013 ,  B01J35/026 ,  B01J35/12 ,  B01J37/0045 ,  B01J37/0054 ,  B01J37/0072 ,  B01J37/04 ,  B01J37/086 ,  B01J37/343 ,  B01J37/344 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/166 ,  F26B3/12 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明公开了一种用于生产催化剂颗粒的方法。该方法包括：形成包含溶剂和含催化剂物质的材料的溶液，其中使含催化剂物质的材料溶解或乳化在溶剂中，雾化所形成的溶液以产生包含含催化剂物质的材料的液滴，和处理该液滴，以从该包含在液滴中的含催化剂物质的材料产生催化剂颗粒或中间体催化剂颗粒。本发明还公开了用于生产纳米材料的方法，用于生产催化剂颗粒的设备、催化剂颗粒和溶液液滴。