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公开(公告)号：CN102459688A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200980159874.9
申请日：2009-06-18
申请人： 苏舍梅塔普拉斯有限责任公司
发明人： J·维特
CPC分类号： C23C16/26 , C23C14/0605 , Y10T428/30
摘要： 本发明涉及保护性涂层，所述保护性涂层具有化学组成CaSibBdNeOgHlMem，其中Me为至少一种选自{Al，Ti，V，Cr，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta，W，Y，Sc，La，Ce，Nd，Pm，Sm，Pr，Mg，Ni，Co，Fe，Mn}的金属，并且a+b+d+e+g+l+m＝1。根据本发明，满足以下条件：0.45≤a≤0.98，0.01≤b≤0.40，0.01≤d≤0.30，0≤e≤0.35，0≤g≤0.20，0≤l≤0.35，0≤m≤0.20。本发明还涉及具有保护性涂层的涂覆构件以及生产用于构件的保护性涂层(特别是多层薄膜)的方法。
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公开(公告)号：CN1202978A
公开(公告)日：1998-12-23
申请号：CN96198464.3
申请日：1996-09-25
申请人： 先进耐火技术公司
IPC分类号： H01G4/06
CPC分类号： H01G4/08 , Y10S427/103 , Y10T29/435
摘要： 一种制备电容器(25)的方法,包括:利用具有碳混晶原子尺度网格的类金刚石纳米复合固态材料制备介电层(27)和/或导电层(26),这些网格包括:由氢稳定的类金刚石碳网格,由氧稳定的类玻璃硅网格,及任选的至少一个掺杂元素附加网格或一个掺杂化合物附加网格,该网格包含元素周期表中第1族至第7b族以及第8族的元素。
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公开(公告)号：CN102985584B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180020230.9
申请日：2011-03-30
申请人： 苏舍梅塔普拉斯有限责任公司
CPC分类号： C23C14/325 , C23C14/0641 , C23C30/005
摘要： 本发明涉及适合沉积在用于芯片成形金属机械加工的切削工具刀片上的耐磨涂层。该涂层包含具有不同晶粒粒度但具有基本相同组成的至少两层。利用磁场经由蒸发器通过物理气相沉积法（PVD）沉积该涂层。膜可以具有(TiAlMe)(NQ)组成，其中Me=Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Y、Se、Ce、Mo、W和Si，且Q是C、B、S和O。
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公开(公告)号：CN101689468A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880012612.5
申请日：2008-03-11
申请人： 苏舍梅塔普拉斯有限责任公司
发明人： J·维特
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3266 , H01J37/3053 , H01J37/32055 , H01J37/32669 , H01J2237/3132
摘要： 本发明涉及一种真空电弧蒸发源(1)，其包括环形的磁场源(2)和阴极体(3)，该阴极体(3)带有作为阴极(32)的蒸发材料(31)以用于在阴极(32)的蒸发表面(33)上产生电弧放电。此处，阴极体(3)沿轴向方向在第一轴向方向上由阴极底部(34)所限定且在第二轴向方向上由蒸发表面(33)所限定，并且，环形的磁场源(2)相对于蒸发表面(33)的面法线(300)平行或反平行地极化并相对于蒸发表面(33)的面法线(300)同心地布置。根据本发明，在背离蒸发表面(33)的一侧以可预定的第二距离(A2)在阴极底部(34)前布置有磁场增强环(4)。本发明还涉及带有电弧蒸发源(1)的电弧蒸发室(10)。
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公开(公告)号：CN104060225A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310313395.6
申请日：2013-04-19
申请人： 苏舍梅塔普拉斯有限责任公司
CPC分类号： C23C14/3485 , C23C14/0068 , C23C14/0084 , C23C14/06 , C23C14/325 , C23C14/3471 , C23C14/3492 , C23C14/35 , Y10T428/265
摘要： 本发明涉及在基底(1)上沉积由硬质材料层形成的层体系(S)的涂布方法，其包括下列方法步骤：提供可抽空的工艺室(2)，该工艺室具有含蒸发材料(M1)的阴极真空电弧蒸发源(Q1)和具有含放电材料(M2)的磁控放电源(Q2)，其中所述磁控放电源(Q2)可在HIPIMS模式下操作。随后仅利用阴极真空电弧蒸发源(Q1)在阴极真空电弧蒸发工艺中在基底(1)的表面上沉积至少一个包含所述蒸发材料(M1)的接触层(S1)。根据本发明，在沉积该接触层(S1)后，通过阴极真空电弧蒸发源(Q1)和磁控放电源(Q2)的平行操作，以纳米结构混合层形式，特别地以混合相中的纳米层中间层(S2)形式或以纳米复合层形式，沉积至少一个包含所述蒸发材料(MI)和所述放电材料(M2)的中间层(S2)。在此方面，所述磁控放电源(Q2)在HIPIMS模式下操作，和随后，仅利用磁控放电源(Q2)沉积至少一个包含所述材料(M2)的顶层(S3)，其中所述磁控放电源(Q2)在HIPIMS模式下操作。此外，本发明涉及具有层体系的基底。
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公开(公告)号：CN102459688B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980159874.9
申请日：2009-06-18
申请人： 苏舍梅塔普拉斯有限责任公司
发明人： J·维特
CPC分类号： C23C16/26 , C23C14/0605 , Y10T428/30
摘要： 本发明涉及保护性涂层，所述保护性涂层具有化学组成CaSibBdNeOgHlMem，其中Me为至少一种选自{Al，Ti，V，Cr，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta，W，Y，Sc，La，Ce，Nd，Pm，Sm，Pr，Mg，Ni，Co，Fe，Mn}的金属，并且a+b+d+e+g+l+m＝1。根据本发明，满足以下条件：0.45≤a≤0.98，0.01≤b≤0.40，0.01≤d≤0.30，0≤e≤0.35，0≤g≤0.20，0≤l≤0.35，0≤m≤0.20。本发明还涉及具有保护性涂层的涂覆构件以及生产用于构件的保护性涂层(特别是多层薄膜)的方法。
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公开(公告)号：CN102985584A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180020230.9
申请日：2011-03-30
申请人： 苏舍梅塔普拉斯有限责任公司
CPC分类号： C23C14/325 , C23C14/0641 , C23C30/005
摘要： 本发明涉及适合沉积在用于芯片成形金属机械加工的切削工具刀片上的耐磨涂层。该涂层包含具有不同晶粒粒度但具有基本相同组成的至少两层。利用磁场经由蒸发器通过物理气相沉积法（PVD）沉积该涂层。膜可以具有(TiAlMe)(NQ)组成，其中Me=Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Y、Se、Ce、Mo、W和Si，且Q是C、B、S和O。
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公开(公告)号：CN102333907A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200980157517.9
申请日：2009-07-02
申请人： 苏舍梅塔普拉斯有限责任公司
CPC分类号： C23C14/0641 , C22C14/00 , C22C27/025 , C22C27/06 , C23C28/044 , C23C28/048 , Y10T428/265
摘要： 本发明涉及一种用于在基材（100）表面，特别是工具表面、尤其是成形工具表面上形成表面层的层体系，其中所述层体系包括至少一个组成为(VaMebMcXd)α(NuCvOw)β的第一表面层，其中对于层中存在的N、C、O原子，(a+b+c+d)=α，α=100%，层中所有原子的总和(α+β)=100at%，其中适用40≤α ≤ 80at%，且其中Meb为选自由化学元素周期表中的Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、W、Ni、Cu、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm组成的化学元素组的至少一种元素，Mc为选自由Ti、Cr组成的化学元素组的至少一种元素，Xd为选自由元素周期表中的S、Se、Si、B组成的化学元素组的至少一种元素，且0≤u≤100，0≤v≤100和0≤w≤80。根据本发明，50 ≤ a ≤ 99,1 ≤ b ≤ 50,0 ≤ c ≤ 50且0 ≤ d ≤ 20。
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公开(公告)号：CN1111882C
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN96198464.3
申请日：1996-09-25
申请人： 贝克特股份有限公司
IPC分类号： H01G4/06
CPC分类号： H01G4/08 , Y10S427/103 , Y10T29/435
摘要： 一种制备电容器(25)的方法，包括：利用具有碳混晶原子尺度网格的类金刚石纳米复合固态材料制备介电层(27)和/或导电层(26)，这些网格包括：由氢稳定的类金刚石碳网格，由氧稳定的类玻璃硅网格，及任选的至少一个掺杂元素附加网格或一个掺杂化合物附加网格，该网格包含元素周期表中第1族至第7b族以及第8族的元素。
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