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公开(公告)号：CN111512450B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201880081839.9
申请日：2018-12-05
申请人： 欧司朗OLED股份有限公司
发明人： 卢卡·海贝尔格
摘要： 提出一种用于制造转换元件(2)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有开口(9)的框架(8)；‑将牺牲层(10)至少施加到至少一个开口(9c)的侧面上；‑将反射层(5)施加到牺牲层(10)上；‑将转换材料(4)引入到至少一个开口(9)中，其中转换材料(4)覆盖反射层(5)；以及‑将牺牲层(10)和框架(8)移除。
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公开(公告)号：CN110998873B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201880044111.9
申请日：2018-06-21
申请人： 欧司朗OLED股份有限公司
发明人： 坦森·瓦尔盖斯
摘要： 提出一种半导体芯片(10)，所述半导体芯片具有辐射可穿透的载体(1)、半导体本体(2)以及透明电流扩展层(3)，其中半导体本体具有n侧半导体层(21)、p侧半导体层(22)以及处于其之间的光学有源区(23)。半导体本体借助于辐射可穿透的连接层(5)与载体固定。电流扩展层基于硒化锌并且邻接于n侧半导体层。此外，提出一种用于制造这种半导体芯片的方法。
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公开(公告)号：CN111201303B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201880064895.1
申请日：2018-09-27
申请人： 欧司朗OLED股份有限公司
IPC分类号： C09K11/64
摘要： 提出一种发光材料，所述发光材料具有通式(AB)1+2yAl11‑x‑y(AC)xLiyO17:E，其中‑0 0，‑AC＝B、Ga和/或In，‑AB＝Na、K、Rb和/或Cs并且‑E＝Eu、Ce、Yb和/或Mn。此外，本发明涉及一种用于制造发光材料的方法和一种转换型LED。
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公开(公告)号：CN110741483B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201880039087.X
申请日：2018-06-11
申请人： 欧司朗OLED股份有限公司
发明人： 延斯·埃贝克
摘要： 提出一种发光二极管芯片。该发光二极管芯片包括：‑外延的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有有源区(2)，所述有源区在运行中产生电磁辐射(S)；以及‑钝化层(3)，所述钝化层包括氧化镁和氮化镁，其中钝化层(3)施加在半导体层序列(1)的侧面(1c)上并且钝化层(3)至少覆盖有源区(2)。
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公开(公告)号：CN112771668A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980060795.6
申请日：2019-09-17
申请人： 欧司朗OLED股份有限公司
发明人： 塞巴斯蒂安·施托尔 , 亚历山大·鲍姆加特纳
摘要： 提出一种发射辐射的器件，具有：第一半导体芯片(1)，所述第一半导体芯片在运行中发射蓝光(51)；第二半导体芯片(2)，所述第二半导体芯片在运行中发射青色光(52)；和转换元件(3)，所述转换元件在运行中发射次级辐射(53)，其中转换元件(3)设置在第一半导体芯片(1)和第二半导体芯片(2)下游，其中转换元件(3)在用第一半导体芯片(1)的蓝光(51)激发下发射次级辐射(53)，并且其中次级辐射(53)与蓝光(51)混合成暖白光(54)。
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公开(公告)号：CN111868942A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980019438.5
申请日：2019-03-14
申请人： 欧司朗OLED股份有限公司
发明人： 安娜·斯特罗泽茨卡-阿西格 , 约翰尼斯·萨里奇
摘要： 在一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生具有最大强度的波长L的辐射的有源区(23)。镜(3)包括覆盖层(31)。覆盖层(31)由对于辐射可穿透的材料构成并且具有0.5L和3L之间的光学厚度，其中包含边界值。沿背离半导体层序列(2)的方向在覆盖层(31)后跟随有镜(3)的两个和十个之间的中间层(32，33，34，35)，其中包含边界值。中间层(32，33，34，35)交替地具有高折射率和低折射率。至少一个中间层(32，33，34，35)的光学厚度不等于L/4。沿背离半导体层序列(2)的方向在中间层(32，33，34，35)后跟随有镜(3)的至少一个金属层(39)作为反射层。
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公开(公告)号：CN111630670A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880077898.9
申请日：2018-11-12
申请人： 欧司朗OLED股份有限公司
发明人： 彼得鲁斯·松德格伦
摘要： 提供了一种发射辐射的半导体器件(1)，所述半导体器件具有半导体层序列(2)和载体(3)，在所述载体上设置有半导体层序列，其中，半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区(20)、n型传导的镜区域(21)和p型传导的镜区域(22)，所述有源区设置在n型传导的镜区域和p型传导的镜区域之间，并且p型传导的镜区域设置为比有源区更靠近载体。
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公开(公告)号：CN111448673A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880077776.X
申请日：2018-11-23
申请人： 欧司朗OLED股份有限公司
发明人： 托马斯·施瓦茨 , 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 约尔格·佐尔格
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/62 , H01L25/075 , H01L33/48
摘要： 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法。所述方法包括：提供金属载体，其中载体具有前侧和与前侧相反的后侧；在前侧上移除载体材料，使得载体在前侧的区域中具有突出的载体部段和在其之间设置的凹陷部；构成邻接于载体部段的塑料体；将光电子半导体芯片设置在载体部段上；在凹陷部的区域中在后侧上移除载体材料，使得载体结构化为分离的载体部段；和进行分割。在此，将塑料体在分离的载体部段之间切开并且形成具有至少一个光电子半导体芯片的分割的光电子器件。此外，本发明涉及一种光电子器件。
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公开(公告)号：CN111328431A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201880072866.X
申请日：2018-11-05
申请人： 欧司朗OLED股份有限公司
发明人： 彼得鲁斯·松德格伦
摘要： 提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有半导体层序列，所述半导体层序列具有：第一传导类型的第一和第二半导体层；适合于产生电磁辐射的有源层；第一电接合层和与所述第一电接合层横向间隔开的第二电接合层，所述第二电接合层电接触第二半导体层；以及第二传导类型的第一接触区，所述第一接触区邻接于第一电接合层并且与第一电接合层导电地连接。并且包括至少一个在第一和第二接合层之间构成的功能区域，在所述功能区域中构成有第二传导类型的第二接触区和至少一个第二传导类型的屏蔽区。此外，提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN111295745A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880070150.6
申请日：2018-10-25
申请人： 欧司朗OLED股份有限公司
发明人： 托马斯·施瓦茨 , 卢茨·赫佩尔 , 托尔斯滕·弗兰克·鲍姆海因里奇 , 延斯·里克特
摘要： 一种用于制造多个半导体芯片(100)的方法，所述方法包括步骤A)，其中提供半导体衬底(1)，所述半导体衬底具有在半导体衬底(1)的上侧(10)上的多个集成的电子电路(2)。在步骤B)中将牺牲层(3)施加到半导体衬底的一侧上。在步骤C)中将孔(30)引入到牺牲层中，使得在每个电子电路之上产生至少一个孔。在步骤D)中将具有牺牲层的半导体衬底事先粘贴到载体(5)上，其中在牺牲层和载体之间使用粘接层(4)并且其中粘接层填充孔，使得在孔中产生由粘接层构成的保持元件(40)。在步骤E)中将半导体衬底打薄。在步骤F)中在电子电路之间引入分离沟槽(6)，所述分离沟槽从电子电路的背离载体的侧延伸至牺牲层并且穿透打薄的半导体衬底。在步骤G)中在电子电路和载体之间的区域中移除牺牲层。
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