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公开(公告)号：CN109713103B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201811626985.3
申请日：2018-12-28
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
发明人： 沈铭
摘要： 本发明公开了一种LED芯片，包括：依次堆叠的N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层；反射层，形成于所述P‑GaN层上；阻挡层，形成于所述反射层上，所述阻挡层覆盖所述反射层；所述阻挡层与所述P‑GaN层相接触的部分的材料层的材料为Al、Ag、Zn、AlCu合金中的一种或多种。本发明将阻挡层中与P‑GaN层表面和反射层表面相接触的材料层替换成具有高反射率的金属层，使阻挡层即能减少吸光，又保持原有的保护反射层的作用，实现提高LED芯片的出光率，进而提高所述LED芯片亮度的目的。
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公开(公告)号：CN111293050A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010098120.5
申请日：2020-02-17
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明涉及一种芯片亮度值测试的方法及系统。该方法包括：分别B个芯片在第一圆片和方片上的亮度得到第一组亮度值和第二组亮度值；根据第二组亮度值和第一组亮度值中各个芯片对应的测试值的比值得到测试差值；对第一组亮度值和测试差值进行二次拟合获取芯片在第一圆片上的亮度值和测试差值之间的第一曲线；根据第一曲线和方片上的芯片M在圆片上的第一亮度值获取方片上的芯片M的第二亮度值；方片上排列的芯片的结构相同且相邻芯片之间的间距相同，圆片上芯片的结构和排布与第一圆片相同。通过第一曲线和芯片在圆片上亮度值获得芯片放置在方片上的亮度值后将圆片上的芯片贴在不同方片上，消除了圆片与方片上芯片之间的距离差异芯片亮度值的影响。
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公开(公告)号：CN110581204A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910801128.0
申请日：2019-08-28
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
摘要： 本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；发光层，位于N型外延层上；电子阻挡层，位于发光层上；及P型外延层，包括依次叠设于电子阻挡层上的第一P型层、第二P型层和第三P型层，第三P型层用于引出金属电极，各P型层的禁带宽度关系为：第二P型层＞第一P型层＞第三P型层，各P型层的掺杂浓度关系为：第二P型层＜第一P型层＜第三P型层。本申请形成具有三层结构的P型外延层，通过调节各层结构的禁带宽度和掺杂浓度，使得P型外延层能够兼顾进一步阻挡电子、提高空穴的浓度和迁移率、降低P型外延层和金属电极之间接触电阻的问题。
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公开(公告)号：CN106783528B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510830804.9
申请日：2015-11-25
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种蓝宝石衬底回收再使用的方法，包括以下步骤：提供待回收再使用的蓝宝石衬底；使用盐酸溶液去除所述蓝宝石衬底表面残留的Ga；使用王水去除所述蓝宝石衬底表面残留的金属；使用ITO刻蚀液去除所述蓝宝石衬底表面残留的ITO；使用磷酸去除所述蓝宝石衬底表面残留的GaN。通过本发明的蓝宝石衬底回收再使用的方法步骤简单，易于操作，成本较低，可以将剥离完的蓝宝石衬底处理后回收再使用，重新进行外延生长，大大降低了垂直结构GaN基LED芯片的生产成本。
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公开(公告)号：CN109817773A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811629280.7
申请日：2018-12-28
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，LED外延结构包括：子外延结构，位于一衬底上；P型掺杂结构，位于子外延结构上，P型掺杂结构包括N个周期交叠的P型Ala1Inb1Ga1-a1-b1N层、P型Ala2Inb2Ga1-a2-b2N层和P型Ala3Inb3Ga1-a3-b3N层，且每个周期由下至上依次为P型Ala1Inb1Ga1-a1-b1N层、Ala2Inb2Ga1-a2-b2N层和Ala3Inb3Ga1-a3-b3N层，能够提高P型掺杂结构的空穴注入效率，从而提升电子和空穴在多量子阱区域中分布的均衡性，有效提高电子和空穴的复合几率，使LED的发光效率得到提升。
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公开(公告)号：CN109728148A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811629278.X
申请日：2018-12-28
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
发明人： 阮义康
摘要： 本发明提供一种LED芯片结构及其形成方法，所述LED芯片结构包括mesa结构、第一电流阻挡层、第二电流阻挡层、第一接触电极和第二接触电极，mesa结构包括N电极和P电极，第一电流阻挡层位于N电极上，第二电流阻挡层位于P电极上，第一接触电极位于N电极上，第一接触电极围绕第一电流阻挡层或第一电流阻挡层围绕第一接触电极，第二接触电极位于P电极上。在本发明提供的LED芯片结构中，使第一接触电极围绕第一电流阻挡层或使第一电流阻挡层围绕所述第一接触电极，可在N电极上形成大或者小的电流阻挡层，造成较大的电阻，从而将电流更好地从电极处扩展出去，形成不同折射率提高亮度，有效提高LED芯片可靠性，提高了LED芯片的性能。
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公开(公告)号：CN109560174A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811452808.8
申请日：2018-11-30
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下到上包含：衬底、缓冲层、非掺杂层、N型层、多周期应力调节结构(GaN/InxGa1-xN)n1、发光层多周期量子阱结构(GaN/InaGa1-aN)n2、P型电子阻挡层、p-GaN层；所述非掺杂层包含有多周期结构，每个周期进一步包含低温生长的LTGaN层，以及高温生长的第一HTGaN层、AlGaN层、第二HTGaN层。本发明可以有效提高LED外延片的晶体质量，提升LED的发光效率、抗静电能力以及抗老化能力。
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公开(公告)号：CN109326699A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811452243.3
申请日：2018-11-30
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
摘要： 本发明公开一种发光二极管P型层结构及其外延结构及制备方法，P型层结构是包含本征GaN、MgN和PGaN的多周期结构，本征GaN、MgN和PGaN从下到上依次生成，本征GaN为非掺杂GaN，P型层的周期n大于或等于3。二极管外延结构从下到上依次包含衬底、缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、多周期应力调节层、多周期量子阱发光区、P型电子阻挡层和P型层结构。本发明P型层结构是一种P型区域新结构，有效提高P型层的空穴浓度和迁移效率，能够加强空穴的注入效率，提升电子和空穴在MQW区域分布的均衡性，提高电子和空穴的复合几率，从而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN105702814B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610177681.8
申请日：2016-03-25
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供一种光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法，包括如下步骤：提供一光电参数测试不合格的白光LED芯片，所述芯片包括设有电极的第一表面和第二表面，所述第一表面为出光面，所述第二表面为与第一表面相对的另一表面；采用湿法腐蚀或干法刻蚀去除第一表面的荧光粉混合层；在去除荧光粉混合层后的第一表面的电极上涂覆光刻胶；在第一表面涂覆荧光粉混合层，并固化；对所述荧光粉混合层表面进行研磨抛光；去除电极上面的光刻胶，并对所述芯片进行光电参数测试。通过本发明提供的一种光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法，解决了现有技术中对于测试不合格产品直接报废，大大降低了芯片的成本。
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公开(公告)号：CN104617194B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201510056832.X
申请日：2015-02-03
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种GaN基LED外延结构的制备方法，所述制备方法包括制作依次层叠的成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN超晶格量子阱结构、由高温到低温逐渐变温生长的InGaN/GaN前置量子阱结构、多量子阱发光层结构、AlGaN层，低温P型层、P型电子阻挡层、以及P型GaN层。本发明采用变温的方式来生长InGaN/GaN前置量子阱结构，该前置量子阱结构可以通过缓冲电子向P端的流动来调制电子在发光量子阱中的分布，从而可以使电子在发光量子阱中分布更加均匀，增强了内量子效率，提高外延结构的发光效率。
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