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公开(公告)号：CN117133701A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311133254.6
申请日：2023-09-04
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种载台装置及晶圆减薄机，载台装置包括基座及吸盘。基座形成有相互独立的第一气道及第二气道，基座的安装面上开设有与第一气道连通的第一气孔。通过第二气道对吸附孔抽真空，能够在吸盘的吸附面上形成负压以吸附工件；而通过第二气道对吸附孔破真空，便能够释放所吸附的工件。在上述载台装置工作的过程中，无论是通过第二气道进行抽真空还是破真空，均可通过第一气道对第一气孔抽真空，从而使吸盘与基座的安装面保持吸附。如此，吸盘与基座之间的安装强度得到加强，且微粒物将不易进入吸盘与安装面之间。因此，可使上述载台装置的吸附面具有较高的平面度，以确保吸附面上工件也具有较高的平面度，从而改善加工精度。
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公开(公告)号：CN116913806A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310724323.4
申请日：2023-06-19
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种去胶装置，尤其是一种用于晶圆去胶的气体分配盘，包括气体分配盘，所述气体分配盘从一端到另一端依次设有大孔组和小孔组，所述大孔组包括若干大通孔，所述小孔组包括若干小通孔，所述大通孔的孔径大于所述小通孔的孔径。本发明提供的一种用于晶圆去胶的气体分配盘通过设置直径依次减小的大孔组和小孔组来提高均匀性。
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公开(公告)号：CN116779516A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310852291.6
申请日：2023-07-12
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司
摘要： 本发明公开了半导体定位校准系统、半导体工艺设备及定位校准方法。其中定位校准系统包括：设置于转运腔中的第一传感器、第二传感器、第一接收器、第二接收器和定位校准控制器。当所述衬底位于定位位置时，第一传感器与第一反射器的信号传递路线与衬底相切，第二传感器与第二反射器的信号传递路线与衬底相切。定位校准控制器将第一传感器的第一信号信息与第二传感器的第二信号信息进行对比，根据对比结果判定衬底在运送路线中位置是否偏离。本发明实施例提供的技术方案可以实现在衬底运送的途中对衬底进行自动校准定位，能够保证校准的准确性。
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公开(公告)号：CN116065217A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211670118.6
申请日：2022-12-26
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司
IPC分类号： C25D15/00 , B24B53/017
摘要： 本发明涉及一种用于CMP的研磨垫整理器的制备方法及研磨垫整理器。一种用于CMP的研磨垫整理器的制备方法，包括以下步骤：步骤一、在基板上设置可去除的定位层，定位层上设有若干个固定孔；步骤二、将金刚砂转移到固定孔内；步骤三、第一次电镀镍，在固定孔内形成第一镍层，第一镍层将金刚砂固定在基板上；步骤四、去除定位层；步骤五、第二次电镀镍，在基板和第一镍层上形成第二镍层，第二镍层用于固定金刚砂。本发明提供的一种用于CMP的研磨垫整理器的制备方法通过两步电镀镍就可以实现金刚砂的固定，工艺步骤少，不需要粘合剂，降低了生产成本，提高了生产效率；并且金刚砂固定牢固、不易脱落、使用寿命长。
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公开(公告)号：CN113481575A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110879481.8
申请日：2021-08-02
申请人： 无锡吉智芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明是晶圆电镀设备自动上下料装置，其结构是机架上的上下料机构与定圆心及检测机构相邻设置，上下料机构与中转定位机构相邻设置，中转定位机构两侧设导轨，导轨由中转定位机构两侧延伸至中转定位机构另一端两侧后部，挂具移动开合机构包括挂具移动机构和挂具开合机构，挂具移动机构滑动连接在导轨上，挂具开合机构安装在中转定位机构与导轨远离中转定位机构的一端之间的机架上的顶安装架上。本发明的优点：实现了晶圆电镀前后的自动上下料和输送，有效提高了生产效率，防止破损。
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公开(公告)号：CN112174254A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011210015.2
申请日：2020-11-03
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司
IPC分类号： C02F1/42 , C02F9/04 , B01D29/31 , B01D29/96 , C02F103/04
摘要： 本发明属于纯水比阻值提升技术领域，具体的说是一种纯水比阻值提升装置的树脂过滤网形状及其设置方法，其中纯水提升维持装置的过滤网形状整体呈锥形，过滤网的下端为封闭端，过滤网的下端圆滑过渡，过滤网的上端为开放端，过滤网的上端为平口状，过滤网的锥度为5‑30度之间，过滤网的上端设有环形状的限位板；本发明的纯水比阻值提升装置，使用在液体循环系统的主循环回路的旁路上，纯水比阻值提升装置的过滤网可以简单的取出便于树脂更换，在纯水比阻值提升装置的纯水出口和纯水入口均设置此过滤网，避免了由于人为操作出入口接反而导致树脂从提升装置流出进入主循环回路现象的发生。
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公开(公告)号：CN112129154A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011122354.5
申请日：2020-10-20
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司
摘要： 本发明涉及热交换设备技术领域，具体涉及一种多腔室半导体处理装置用热交换系统，旨在解决现有技术中多腔室半导体处理装置成本高且占地面积大形成的问题，其技术要点在于包括循环水箱、循环水管、冷却水管、热交换器及机箱，所述循环水箱、所述循环水管、所述冷却水管及所述热交换器均设置在所述机箱内，所述循环水管一端插设在所述循环水箱上，另外一端向外延伸设置固定在所述机箱侧壁上，所述循环水管分为输出水管及回液水管，所述输出水管设置为一根，所述输出水管上设置有出液口，所述回液水管至少两根，用于所述循环液的回液。本申请通过一台热交换系统，解决了多腔室半导体处理装置的热交换问题，减少了设备的占地面积，同时节约了成本。
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公开(公告)号：CN110676200A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911058856.3
申请日：2019-11-01
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明是湿法清洗设备烘干机构，其结构是槽体主体后侧面下部设气缸固定座、上部设模组固定板，气缸固定座上固定有气缸，气缸上固定有热风升降装置，热风升降装置上固定有热风管，热风管内设感温机构，气缸、热风升降装置和热风管组成上下升降热风烘干机构；模组固定板上固定有吹干模组和感应器，吹干模组上固定有冷风管，模组、感应器和冷风管组成左右摆动吹干机构。本发明的优点：烘干机构采用升降带动热风管，有效的覆盖了整个Cassette及其内部的产品，能充分的烘干；吹干模组带动冷风管左右移动，也充分覆盖，从而达到吹干水分；标准件保证了机构整体稳定性，达到设备产品干进干出的目的，提高了质量，且提高了效率。
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公开(公告)号：CN110170916A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910554631.0
申请日：2019-06-25
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司
IPC分类号： B24B37/07 , H01L21/304
摘要： 本发明是晶圆平坦化设备研磨头旋转机构，其结构包括研磨头旋转机构本体，研磨头旋转机构本体连接研磨头组件，研磨头旋转机构设置在研磨盘侧面，研磨盘侧面还设有晶圆装载卸载平台，研磨头旋转机构旋转轨迹经过晶圆装载卸载平台和研磨盘中心。本发明的优点：旋转平台整体可旋转，研磨头组件可水平运动，可实现在不同工位的灵活移动，进行晶圆的转移，有效简化了结构，减小了体积，降低了生产成本，故障率得到大大减小，保证了生产效率，装载了本研磨头旋转机构的晶圆平坦化设备提高了晶圆加工质量稳定性,适合4寸、6寸晶元及3～5族类产品的平坦化加工。
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公开(公告)号：CN112435953B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202011243069.9
申请日：2020-11-09
申请人： 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明属于晶圆刻蚀技术领域，尤其是晶圆刻蚀转动机构，针对现有的晶圆刻蚀转动机构一般都只能朝着一个方向进行转动，但是晶圆在刻蚀过程中如果只朝着一个方向转动很容易导致晶圆的刻蚀槽出现深度不够均匀，并且精度不够等缺点的问题，现提出以下方案，包括工作台，所述工作台的底部外壁通过螺栓固定有连接板，所述连接板的顶部外壁通过螺栓固定有电机，所述电机的输出轴通过联轴器连接有转杆，所述转杆的一端通过螺栓固定有转板。本发明伸缩弹簧拉动收卷橡胶布向回收缩，直到下一次拉动电机反转开关，周而复始，从而可以控制转板转动几圈后再反转几圈，从而可以保证晶圆在刻蚀过程中保持较好的刻蚀效果。
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