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公开(公告)号：CN112305864B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201910683876.3
申请日：2019-07-26
Applicant: 上海禾馥电子有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装用主板的光刻装置，包括托装柜和加工盘，所述加工盘水平设置在所述托装柜上端面，其中，所述加工盘底部水平设置有托板，所述托板上方设置有光刻台，且所述托板两端边缘处均设置侧装板，两个所述侧装板底部等间距平行设置有若干个固定杆。本发明的有益效果是：通过第一液压泵带动顶夹板上下活动，调节对主板的夹接固定位置，保证该装置能对不同宽度、长度的主板进行顶夹固定，保证了适配的广泛性，且通过若干个钝角三角形结构的橡胶块与主板端部贴合，橡胶块与主板端部的接触面积更大，在使主板被光刻时更加牢固的同时，且保证主板与顶夹板不会发生擦碰损坏，提高了主板被光刻的质量以及该装置各部件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106549063A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610961637.6
申请日：2016-11-04
Applicant: 东莞市联洲知识产权运营管理有限 , 公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/0603 , H01L29/1054
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种氧化物薄膜晶体管，包括：基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、在栅绝缘层表面上的半导体层、以及设置在半导体层表面的源级和漏级，且源极与漏极相对设置，半导体层分为主半导体层与位于主半导体层上的第二半导体层，第二半导体层导电沟道部分分成两个半导体增强区和位于两个半导体增强区之间的半导体减弱区，有效减小了对导通电流与截至电流优化时的相互影响，增加导通电流，减小截止电流。
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公开(公告)号：CN112305864A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910683876.3
申请日：2019-07-26
Applicant: 东莞市知鑫科技服务有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装用主板的光刻装置，包括托装柜和加工盘，所述加工盘水平设置在所述托装柜上端面，其中，所述加工盘底部水平设置有托板，所述托板上方设置有光刻台，且所述托板两端边缘处均设置侧装板，两个所述侧装板底部等间距平行设置有若干个固定杆。本发明的有益效果是：通过第一液压泵带动顶夹板上下活动，调节对主板的夹接固定位置，保证该装置能对不同宽度、长度的主板进行顶夹固定，保证了适配的广泛性，且通过若干个钝角三角形结构的橡胶块与主板端部贴合，橡胶块与主板端部的接触面积更大，在使主板被光刻时更加牢固的同时，且保证主板与顶夹板不会发生擦碰损坏，提高了主板被光刻的质量以及该装置各部件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106549041B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201610961648.4
申请日：2016-11-04
Applicant: 上海禾馥电子有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉公开了一种有效功率高的薄膜晶体管，包括：基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、在栅绝缘层表面上的半导体层、以及设置在半导体层上的源级和漏级，且源极与漏极相对设置，半导体层上表面在源极以及漏极投影处形成若干第一凹槽，欧姆接触层形成在半导体层上表面的源极以及漏极投影处，欧姆接触层形状随半导体层上表面形状变化而变化，源极和漏极形成在欧姆接触层上，当所述第一凹槽在栅极处形成投影时，栅极上表面在相应的投影区形成第二凹槽，所述第二凹槽形状尺寸与相应第一凹槽相同。本发明进一步降低半导体与源极以及漏极金属接触引起的功率消耗，提高薄膜晶体管有效功率。
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公开(公告)号：CN106549041A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610961648.4
申请日：2016-11-04
Applicant: 东莞市联洲知识产权运营管理有限 , 公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/42384
Abstract: 本发明涉公开了一种有效功率高的薄膜晶体管，包括：基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、在栅绝缘层表面上的半导体层、以及设置在半导体层上的源级和漏级，且源极与漏极相对设置，半导体层上表面在源极以及漏极投影处形成若干第一凹槽，欧姆接触层形成在半导体层上表面的源极以及漏极投影处，欧姆接触层形状随半导体层上表面形状变化而变化，源极和漏极形成在欧姆接触层上，当所述第一凹槽在栅极处形成投影时，栅极上表面在相应的投影区形成第二凹槽，所述第二凹槽形状尺寸与相应第一凹槽相同。本发明进一步降低半导体与源极以及漏极金属接触引起的功率消耗，提高薄膜晶体管有效功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112054655B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010991348.7
申请日：2020-09-20
Applicant: 上海禾馥电子有限公司
Inventor： 杨国丽
Abstract: 本发明涉及整流器领域，具体涉及一种用于机车的整流器，通过设置穿线孔、绕线杆、绕线螺槽、圆环槽、内螺纹、保护筒、外螺纹、方环槽、连接件、汇集框、汇集套筒和半封闭件，可以将连接线缠绕在绕线杆上的绕线螺槽上，可以根据具体需要，调整缠绕的长度，利用内螺纹和外螺纹的配合，可以将保护筒安装在圆环槽内，对缠绕在绕线杆上的连接线部分进行保护，连接线端部通过通孔穿出，经过汇集框四组连接线进入汇集套筒内，与外部设备相连，汇集框通过连接件和方环槽的磁性配合与保护筒相连，便于其的安装和拆卸，同时利用半封闭板对汇集框进行封闭，避免连接线裸露在外部，提高装置使用的安全性。
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公开(公告)号：CN108677244A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810568518.3
申请日：2018-06-05
Applicant: 陈涛
Inventor： 陈涛
IPC: C25D17/18 , C25D7/12 , C25D5/20 , H01L21/329
CPC classification number: C25D17/18 , C25D5/20 , C25D7/12 , H01L29/6609
Abstract: 本发明属于半导体二极管制造技术领域，具体的说是一种半导体二极管生产工艺，该工艺采用电镀机，该电镀机包括顶板、电镀槽、支柱、电镀箱、驱动模块和搅拌模块；所述驱动模块包括第一电机、一号凸轮、一号滑动伸缩杆、一号滑块和二号滑块；通过一号凸轮、一号滑块和一号滑动伸缩杆间的相互配合，电镀箱在下降的同时进行摆动，使得电镀液充分的与半导体二极管进行接触；三号滑块将右侧的一号进液口堵住，电镀液从箱体底板左侧的一号进液口进入并冲击四号板，使得四号板上设置的支撑盘晃动；电镀液进入电镀箱后，通过振动架的振动，使得半导体二极管进行振动，加大了电镀液与半导体二极管的接触面积，从而提高了半导体二极管的电镀效率和品质。
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公开(公告)号：CN106549063B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610961637.6
申请日：2016-11-04
Applicant: 上海禾馥电子有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种氧化物薄膜晶体管，包括：基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、在栅绝缘层表面上的半导体层、以及设置在半导体层表面的源级和漏级，且源极与漏极相对设置，半导体层分为主半导体层与位于主半导体层上的第二半导体层，第二半导体层导电沟道部分分成两个半导体增强区和位于两个半导体增强区之间的半导体减弱区，有效减小了对导通电流与截至电流优化时的相互影响，增加导通电流，减小截止电流。
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公开(公告)号：CN108677244B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201810568518.3
申请日：2018-06-05
Applicant: 上海禾馥电子有限公司
Inventor： 陈涛
IPC: C25D17/18 , C25D7/12 , C25D5/20 , H01L21/329
Abstract: 本发明属于半导体二极管制造技术领域，具体的说是一种半导体二极管生产工艺，该工艺采用电镀机，该电镀机包括顶板、电镀槽、支柱、电镀箱、驱动模块和搅拌模块；所述驱动模块包括第一电机、一号凸轮、一号滑动伸缩杆、一号滑块和二号滑块；通过一号凸轮、一号滑块和一号滑动伸缩杆间的相互配合，电镀箱在下降的同时进行摆动，使得电镀液充分的与半导体二极管进行接触；三号滑块将右侧的一号进液口堵住，电镀液从箱体底板左侧的一号进液口进入并冲击四号板，使得四号板上设置的支撑盘晃动；电镀液进入电镀箱后，通过振动架的振动，使得半导体二极管进行振动，加大了电镀液与半导体二极管的接触面积，从而提高了半导体二极管的电镀效率和品质。
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公开(公告)号：CN213162122U
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202021581026.7
申请日：2020-08-03
Applicant: 上海禾馥电子有限公司
Inventor： 郑刚
Abstract: 本实用新型提供一种集成电路板的清洗装置，包括：清洗箱、夹持组件、清洗组件和喷水组件，清洗箱内侧壁对称设置有夹持组件；清洗箱内设置有喷水组件，喷水组件包括安装块、储水箱、水泵、导水板和支撑板；清洗组件包括毛刷板、第二电机、第三电机和第二电动伸缩杆。如上所述，本实用新型的一种集成电路板的清洗装置，解决现有技术中通过人工对集成电路板进行清洗，费时费力，且清洗的不够全面的问题，设计合理，适于生产和推广应用。
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