公开(公告)号：CN104952779A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510105529.4

申请日：2015-03-11

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 山口康介 ,  穴田和辉 ,  古贺达也 ,  松井宏树

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，其能够降低等离子对粘接剂的损伤。具体而言，其特征为，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、第1主面相反侧的第2主面、从第2主面设置到第1主面的穿通孔；金属制基座板，支撑陶瓷电介体基板且具有与穿通孔连通的气体导入路；及接合层，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间且包含树脂材料，接合层具有设置在第2主面上的穿通孔的开口部与气体导入路之间的与开口部相比水平方向上更大的空间，空间侧的接合层的端面与第2主面相交的第1区域比不同于第1区域的端面的另外的第2区域还要从开口部后退。

公开(公告)号：CN115223836A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210355466.8

申请日：2022-04-06

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 中川龙之介 ,  古贺达也

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用构件及半导体制造装置，能够减少粒子的产生或影响。具体而言，本发明的半导体制造装置用构件在半导体制造装置的腔室内使用，具备：基材，包含第1面、与所述第1面相反侧的第2面及贯穿所述第1面和所述第2面的至少一个孔；以及陶瓷层，被设置为至少在所述基材的所述第1面上露出，所述孔具有：倾斜面，与所述第1面连续并相对于从所述第1面朝向所述第2面的第1方向倾斜；以及垂直面，在所述第1方向上位于所述第2面和所述倾斜面之间并沿着所述第1方向延伸，所述第1面与所述倾斜面构成的角大于所述垂直面与所述倾斜面构成的角。

公开(公告)号：CN104952779B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201510105529.4

申请日：2015-03-11

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 山口康介 ,  穴田和辉 ,  古贺达也 ,  松井宏树

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，其能够降低等离子对粘接剂的损伤。具体而言，其特征为，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、第1主面相反侧的第2主面、从第2主面设置到第1主面的穿通孔；金属制基座板，支撑陶瓷电介体基板且具有与穿通孔连通的气体导入路；及接合层，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间且包含树脂材料，接合层具有设置在第2主面上的穿通孔的开口部与气体导入路之间的与开口部相比水平方向上更大的空间，空间侧的接合层的端面与第2主面相交的第1区域比不同于第1区域的端面的另外的第2区域还要从开口部后退。

公开(公告)号：CN115223837A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210355991.X

申请日：2022-04-06

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 中川龙之介 ,  古贺达也

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用构件及半导体制造装置，能够减少粒子的产生或影响。具体而言，本发明的半导体制造装置用构件具备复合构造物，该复合构造物包括：基材，包含第1面及与第1面相反侧的第2面；以及陶瓷层，包含被设置为在基材的第1面上露出的第1部分。复合构造物具有在从第1面朝向第2面的第1方向上延伸并贯穿基材和陶瓷层的通孔，通孔具有：第1孔区域，与第1部分的表面连续并相对于第1方向倾斜；第2孔区域，在第1方向上位于第2面与第1孔区域之间并沿着第1方向延伸；以及第3孔区域，在第1方向上位于第1孔区域与第2孔区域之间并相对于第1方向倾斜，第3孔区域的硬度高于第1孔区域的硬度。

公开(公告)号：CN119542103A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202410834989.X

申请日：2024-06-26

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 中川龙之介 ,  古贺达也

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供一种结构构件，其在制造时能够防止对保护膜的表面必要以上进行研磨。结构构件(10)具备：基材(100)；及保护膜(200)，覆盖基材(100)的表面(110)。在保护膜(200)的内部，分散配置有硬度高于保护膜(200)的粒子(300)。

公开(公告)号：CN110767596B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201911099608.3

申请日：2015-03-11

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 山口康介 ,  穴田和辉 ,  古贺达也 ,  松井宏树

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，其能够降低等离子对粘接剂的损伤。具体而言，其特征为，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、第1主面相反侧的第2主面、从第2主面设置到第1主面的穿通孔；金属制基座板，支撑陶瓷电介体基板且具有与穿通孔连通的气体导入路；及接合层，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间且包含树脂材料，接合层具有设置在第2主面上的穿通孔的开口部与气体导入路之间的与开口部相比水平方向上更大的空间，空间侧的接合层的端面与第2主面相交的第1区域比不同于第1区域的端面的另外的第2区域还要从开口部后退。

公开(公告)号：CN110767596A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201911099608.3

申请日：2015-03-11

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 山口康介 ,  穴田和辉 ,  古贺达也 ,  松井宏树

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，其能够降低等离子对粘接剂的损伤。具体而言，其特征为，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、第1主面相反侧的第2主面、从第2主面设置到第1主面的穿通孔；金属制基座板，支撑陶瓷电介体基板且具有与穿通孔连通的气体导入路；及接合层，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间且包含树脂材料，接合层具有设置在第2主面上的穿通孔的开口部与气体导入路之间的与开口部相比水平方向上更大的空间，空间侧的接合层的端面与第2主面相交的第1区域比不同于第1区域的端面的另外的第2区域还要从开口部后退。