公开(公告)号：CN1187017A

公开(公告)日：1998-07-08

申请号：CN96121170.9

申请日：1996-10-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木尚 ,  阿部聪

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01G4/30

Abstract: 多层陶瓷电容器,包括设置于电容量形成层之间的能减缓因反压电现象引起的介质材料应力的中间层。电容量形成层最好包含7层或以上的内电极层,它包括第1电极层和第2电极层,第1电极层有2个或以上电极,第2电极层有1个或以上的全部面对第1电极层的电极,第1和第2电极层形成2个或以上串联连接的电容器单元。中间层厚最好是75至900μm。中间层最好包含有不形成电容量的结构的内电极。

公开(公告)号：CN1106652C

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN96121170.9

申请日：1996-10-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木尚 ,  阿部聪

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01G4/30

Abstract: 多层陶瓷电容器，包括设置于电容量形成层之间的能减缓因反压电现象引起的介质材料应力的中间层。电容量形成层最好包含7层或以上的内电极层，它包括第1电极层和第2电极层，第1电极层有2个或以上电极，第2电极层有1个或以上的全部面对第1电极层的电极，第1和第2电极层形成2个或以上串联连接的电容器单元。中间层厚最好是75至900μm。中间层最好包含有不形成电容量的结构的内电极。

公开(公告)号：CN113203885B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202110125131.2

申请日：2021-01-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 斋藤祐太 ,  工藤良弘 ,  宫内大助 ,  阿部聪

IPC: G01R15/18

Abstract: 本发明提供电流传感器、磁传感器和电路。电流传感器包括：设置在导体附近的磁检测装置，其被施加由流过该导体的电流感应产生的被测定磁场，且电阻随被测定磁场的变化而变化；设置在磁检测装置附近的两个线圈，其产生消除被测定磁场的消除磁场；串联连接在两个线圈之间的分流电阻器，其用于检测流过线圈的电流；第一差动放大器，其放大磁检测装置的输出信号，将感应产生消除磁场的电流供给至线圈；和第二差动放大器，其放大分流电阻器的两端电压，输出与流过导体的电流成比例的测定电压。

公开(公告)号：CN113203885A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110125131.2

申请日：2021-01-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 斋藤祐太 ,  工藤良弘 ,  宫内大助 ,  阿部聪

IPC: G01R15/18

Abstract: 本发明提供电流传感器、磁传感器和电路。电流传感器包括：设置在导体附近的磁检测装置，其被施加由流过该导体的电流感应产生的被测定磁场，且电阻随被测定磁场的变化而变化；设置在磁检测装置附近的两个线圈，其产生消除被测定磁场的消除磁场；串联连接在两个线圈之间的分流电阻器，其用于检测流过线圈的电流；第一差动放大器，其放大磁检测装置的输出信号，将感应产生消除磁场的电流供给至线圈；和第二差动放大器，其放大分流电阻器的两端电压，输出与流过导体的电流成比例的测定电压。