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公开(公告)号:CN118891964A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202380027650.2
申请日:2023-03-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的接合构造将电子部件与配线基板接合而成,且自电子部件侧依序具备:包含与Sn形成金属间化合物的金属的第1金属层、由包含Sn的金属间化合物构成的金属间化合物层、及包含Sn的第2金属层,第2金属层的厚度为第1金属层、金属间化合物层及第2金属层的厚度的合计的50%以下。
公开(公告)号:CN118891964A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202380027650.2
申请日:2023-03-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的接合构造将电子部件与配线基板接合而成,且自电子部件侧依序具备:包含与Sn形成金属间化合物的金属的第1金属层、由包含Sn的金属间化合物构成的金属间化合物层、及包含Sn的第2金属层,第2金属层的厚度为第1金属层、金属间化合物层及第2金属层的厚度的合计的50%以下。