公开(公告)号：CN1274954A

公开(公告)日：2000-11-29

申请号：CN00108912.9

申请日：2000-05-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 矢野义彦 ,  野口隆男 ,  阿部秀典 ,  斎藤久俊

IPC: H01L41/16 ,  H03H9/17

CPC classification number: H03H9/176 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  H03H3/04 ,  H03H9/0211 ,  H03H9/174 ,  Y10T428/3171

Abstract: 一种薄膜压电装置,具有在硅基板(2)上的外延金属薄膜(4)和在该金属薄膜上的PZT薄膜(5),该PZT薄膜(5)具有从0.65到0.90的Ti/(Ti+Zr)原子比。由此可以实现具有极宽带的薄膜体声波谐振器。

公开(公告)号：CN1163982C

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN00108912.9

申请日：2000-05-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 矢野義彦 ,  野口隆男 ,  阿部秀典 ,  斎藤久俊

IPC: H01L41/09

CPC classification number: H03H9/176 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  H03H3/04 ,  H03H9/0211 ,  H03H9/174 ,  Y10T428/3171

Abstract: 一种薄膜压电装置，具有在硅基板(2)上的外延金属薄膜(4)和在该金属薄膜上的PZT薄膜(5)，该PZT薄膜(5)具有从0.65到0.90的Ti/(Ti+Zr)原子比。由此可以实现具有极宽带的薄膜体声波谐振器。