公开(公告)号：CN106024387B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201610192511.7

申请日：2016-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 江原慎司 ,  小野寺郁人 ,  若田英子 ,  小山内胜则 ,  谷口真理

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/012 ,  H01G4/008

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/012 ,  H01G4/018 ,  H01G4/224 ,  H01G4/306 ,  H01L28/92

Abstract: 本发明所涉及的薄膜电容器具有特征：下部电极(4)能够具有凹凸结构，上部电极(6)也能够具有凹凸结构，上部电极(6)的向下部电极侧突出的凸部位于下部电极(4)的凸部之间的间隙，下部电极(4)含有作为主成分的Cu，基板(1)和应力调整层(2)以及下部电极(4)的杨氏模量具有特定的关系，另外，位于凸部(4b)内部的曲率半径R1的角部具有特定的关系。

公开(公告)号：CN106024387A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610192511.7

申请日：2016-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 江原慎司 ,  小野寺郁人 ,  若田英子 ,  小山内胜则 ,  谷口真理

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/012 ,  H01G4/008

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/012 ,  H01G4/018 ,  H01G4/224 ,  H01G4/306 ,  H01L28/92

Abstract: 本发明所涉及的薄膜电容器具有特征：下部电极(4)能够具有凹凸结构，上部电极(6)也能够具有凹凸结构，上部电极(6)的向下部电极侧突出的凸部位于下部电极(4)的凸部之间的间隙，下部电极(4)含有作为主成分的Cu，基板(1)和应力调整层(2)以及下部电极(4)的杨氏模量具有特定的关系，另外，位于凸部(4b)内部的曲率半径R1的角部具有特定的关系。

公开(公告)号：CN118742821A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202280092330.0

申请日：2022-02-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野寺郁人 ,  原川修

IPC: G01R33/02

Abstract: 本发明的技术问题在于，准确地进行相对于传感器芯片的外部磁性体的定位。本发明中，在基板(10)搭载传感器芯片(20)之后，以从与元件形成面(21)垂直的Y方向观察与磁性体层(M1)重叠的方式，将外部磁性体(30)搭载于基板(10)。此时，以构成为设置在传感器芯片(20)，能够从传感器芯片(20)的上表面(25)侧进行辨识的对准标记(60、61)为基准，调整外部磁性体(30)的X方向上的位置。由此，能够在装配时，使传感器芯片(20)与外部磁性体(30)成为所期望的位置关系。

公开(公告)号：CN114902061A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080090670.0

申请日：2020-12-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 黑木康二 ,  小野寺郁人 ,  原川修 ,  龟野诚

IPC: G01R33/09 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明要解决的技术问题是，在包括磁阻带和铁磁性膜的磁传感器中，通过使磁阻带与铁磁性膜磁耦合，提高施加至磁阻元件的磁偏置。解决手段是，磁传感器(1)具备：磁阻带(S)；覆盖磁阻带(S)的绝缘膜(13)；和铁磁性膜(M1、M2)，其设置在绝缘膜(13)上，隔着在y方向上延伸的磁隙(G)在x方向上排列。铁磁性膜(M1、M2)隔着绝缘膜(13)与多个硬磁性体(H)重叠。由此，因为相邻的2个硬磁性体(H)经铁磁性膜(M1、M2)磁耦合，所以，不使硬磁性体(H)大型化就能够提高施加至磁阻元件(R)的磁偏置。