公开(公告)号：CN109427964A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810993796.3

申请日：2018-08-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大田实 ,  佐佐木智生 ,  高桥宏和

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明的目的在于提供一种有效地使纯自旋流发生并且使反转电流密度降低为可能的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件、磁存储器以及高频磁元件。本发明所涉及的自旋流磁化反转元件具备在第一方向上延伸的自旋轨道转矩配线、在与第一方向相交叉的第二方向上层叠的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含Ar、Kr、Xe当中至少1种稀有气体元素。

公开(公告)号：CN112913003B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201980066337.3

申请日：2019-10-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大田实 ,  柴田龙雄

IPC: H10B61/00

Abstract: 本实施方式涉及的磁记录层在内部具有磁畴壁且含有稀有气体元素。

公开(公告)号：CN109427964B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201810993796.3

申请日：2018-08-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大田实 ,  佐佐木智生 ,  高桥宏和

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明的目的在于提供一种有效地使纯自旋流发生并且使反转电流密度降低为可能的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件、磁存储器以及高频磁元件。本发明所涉及的自旋流磁化反转元件具备在第一方向上延伸的自旋轨道转矩配线、在与第一方向相交叉的第二方向上层叠的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含Ar、Kr、Xe当中至少1种稀有气体元素。

公开(公告)号：CN118104412A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202180103283.0

申请日：2021-10-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 米村祥吾 ,  柴田龙雄 ,  大田实

IPC: H10B61/00 ,  H01L27/105 ,  G11C11/16 ,  H01L29/82 ,  H10N50/10

Abstract: 本实施方式的磁畴壁移动元件具备：包含第一铁磁性层且沿第一方向延伸的配线层、第二铁磁性层、以及被所述配线层与所述第二铁磁性层夹着的间隔层。在用与所述第一方向正交的面切断所述配线层而得的任一个剖面中，宽度方向的中央处的所述配线层的第一厚度比与所述中央相比靠所述宽度方向的外侧的第一外周部处的所述配线层的第二厚度薄。

公开(公告)号：CN112913003A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201980066337.3

申请日：2019-10-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大田实 ,  柴田龙雄

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105

Abstract: 本实施方式涉及的磁记录层在内部具有磁畴壁且含有稀有气体元素。