电子器件和介电陶瓷组合物以及其制备方法、

    公开(公告)号:CN1302070A

    公开(公告)日:2001-07-04

    申请号:CN00137194.0

    申请日:2000-12-27

    Inventor: 增田健

    CPC classification number: C04B35/4682 H01G4/1227

    Abstract: 一种介电陶瓷组合物,包括作为主成分的钛酸钡和成分M(这里M是至少一类选自氧化锰、氧化铁、氧化钴和氧化镍的成分),并有铁电相区,其中成分M在铁电相区的浓度从其外部朝向中心改变。成分M在铁电相区外部的浓度高于在区中心附近的浓度。能够实现多层电容器满足静电电容温度特性的X7R特性(EIA标准)和B特性(EIAJ标准)两者,静电电容和绝缘电阻的电压依赖性小,绝缘击穿电阻优越,并可使用Nj或Ni合金作内电极层。

    磁体结构体
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113345671B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202110228897.3

    申请日:2021-03-02

    Abstract: 磁体结构体(10)具备:第一烧结磁体(2a)、第二烧结磁体(2b)、配置于第一烧结磁体(2a)和第二烧结磁体(2b)之间的中间层(4)。第一烧结磁体(2a)及第二烧结磁体(2b)分别独立包含含有稀土元素、过渡金属元素和硼的晶粒。中间层(4)含有稀土元素氧化物相(6)及晶粒(8),该晶粒(8)含有稀土元素、过渡金属元素和硼。过渡金属元素分别独立地含有Fe或Fe与Co的组合。基于磁体结构体(10)的与中间层(4)垂直的截面测定的稀土元素氧化物相(6)的平均包覆率为10~69%。

    R-T-B系永久磁铁
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111724955B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202010200758.5

    申请日:2020-03-20

    Abstract: 本发明提供一种即使在Co的含量少的情况下磁特性和耐腐蚀性也优异的R‑T‑B系永久磁铁。一种R‑T‑B系永久磁铁,其中,R为含有选自Nd和Pr中的1种以上,以及,选自Dy和Tb中的1种以上的稀土元素;T为Fe和Co;B为硼。R‑T‑B系永久磁铁还含有Zr。设R‑T‑B系永久磁铁整体为100质量%,则Nd、Pr、Dy和Tb的合计含量为30.00质量%~32.20质量%;Co的含量为0.30质量%~1.30质量%;Zr的含量为0.21质量%~0.85质量%;B的含量为0.90质量%~1.02质量%。

    稀土磁铁的加工方法
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110176349B

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201910120894.0

    申请日:2019-02-18

    Abstract: 稀土磁铁的加工方法具备:对R‑T‑B系稀土磁铁照射激光进行加工的工序;和在上述加工后对上述磁铁进行热处理的工序。热处理具备:将磁铁的温度设为400℃以下的A工序;在A工序之后,将磁铁在400℃以上且700℃以下的范围内的温度T1下保持规定时间的B工序;以及在B工序之后,将磁铁的温度设为低于400℃的C工序。在A工序与B工序之间不使磁铁的温度达到超过700℃。在B工序与C工序之间不使磁铁的温度达到超过700℃。在上述C工序之后不具有将上述磁铁设为超过700℃的温度的工序。

    R-T-B系永磁体
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111261353A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201911211435.X

    申请日:2019-12-02

    Abstract: 永磁体为含有稀土元素R、过渡金属元素T和硼B的R-T-B系永磁体,至少一部分R为Nd、以及Tb和Dy中的至少一种,至少一部分T为Fe,永磁体包含多个主相颗粒和被主相颗粒包围的晶界三叉点,晶界三叉点包含Nd和Pr中的至少一种、Tb和Dy中的至少一种、Fe和Co中的至少一种、以及铜,晶界三叉点中的Nd、Pr、Tb、Dy、Fe、Co和Cu各自的含量(单位:原子%)的平均值表示为[Nd]、[Pr]、[Tb]、[Dy]、[Fe]、[Co]和[Cu],([Fe]+[Co])/([Nd]+[Pr])为2以上5以下,[Cu]/([Tb]+[Dy])为1以上4以下。

Patent Agency Ranking