线圈装置
    1.
    发明公开
    线圈装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116759183A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310215421.5

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 本发明提供降低了杂散电容的线圈装置。线圈装置(1)具有第一绕线(60)、第二绕线(79)、和具有卷绕有第一绕线(60)及第二绕线(70)的卷芯部(30)的鼓形芯(20)。鼓形芯具有形成于卷芯部的沿着第一轴的一端的第一凸缘部(40)和形成于卷芯部的沿着第一轴的另一端的第二凸缘部(50)。在第一凸缘部形成有与第一绕线连接的第一端子(81)及第二端子(82),在第二凸缘部形成有与第二绕线连接的第三端子(91)及第四端子(92)。第一绕线具有卷绕于卷芯部的卷绕宽度(W1)的第一线圈部,第二绕线具有卷绕于卷芯部的卷绕宽度(W2)的第二线圈部。第一线圈部从第二线圈部离开分开距离(W3)而配置于第一凸缘部(40)侧,满足W3>W1或W3>W2的关系。

    线圈部件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111489875B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202010076794.5

    申请日:2020-01-23

    Abstract: 本发明提供一种线圈部件,其具有即使在使用线径粗的绕线的情况下,应卷绕于上层的绕线也难以脱落至下层的卷绕结构。线圈部件(1)具备:绕线(W),其从第i匝(i是1以上的整数)到第j匝(j是i+2以上的整数)依次排列并卷绕于卷芯部,第j+1匝沿由第i匝和第i+1匝形成的谷线卷绕,第j+2匝邻接于第j匝并卷绕于卷芯部(13)。由此,由于卷绕于上层的第j+1匝被位于下层的至少3匝绕线支撑,因此即使在使用线径粗的绕线的情况下,也难以发生绕线的脱落。

    具备线圈部件的电路基板

    公开(公告)号:CN113345698A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN202110187598.X

    申请日:2021-02-18

    Abstract: 在具备线圈部件的电路基板中,在宽的频带中提高自谐振频率。电路基板(3)具备基板(2)和搭载于基板(2)的线圈部件(1)。线圈部件(1)具有鼓型芯(10)和卷绕于鼓型芯(10)的卷芯部(13)的绕线(W)。基板(2)具有电介质(30)和经由电介质(30)而与绕线(W)电容耦合并被赋予接地电位的电容电极(20)。这样,由于在绕线(W)与电容电极(20)之间附加电容成分,所以绕线(W)的匝之间的电容成分(线间电容)表观上减少。由此,能够在宽的频带中提高自谐振频率。

    线圈部件以及具备其的电路基板

    公开(公告)号:CN113345700B

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202110187676.6

    申请日:2021-02-18

    Abstract: 本发明提供一种能够在宽的频带中提高自谐振频率的线圈部件以及具备其的电路基板。线圈部件(1)具备:鼓型芯(10),其具有凸缘部(11、12)和卷芯部(13);绕线(W),其卷绕于卷芯部(13);导电板(21),其经由电介质板(31)而与绕线(W)重叠;端子电极(E1),其设置于凸缘部(11)且与绕线(W)的一端连接;端子电极(E2),其设置于凸缘部(12)且与绕线(W)的另一端连接;以及端子电极(E3),其设置于凸缘部(11)且与导电板(21)连接。通过该结构,在绕线(W)与导电板(21)之间附加电容成分,因此,绕线(W)的匝之间的电容成分(线间电容)表观上减少。由此,能够在宽的频带中提高自谐振频率。

    线圈装置
    5.
    发明公开
    线圈装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118231108A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202311771447.4

    申请日:2023-12-21

    Abstract: 本发明提供一种小型且端子件相对于凸缘部的安装稳定性高的线圈装置。线圈装置(1)具有:线圈(10),其具有卷绕部(11)和从卷绕部(11)引出的引出部(12a);芯(20),其具有设置有卷绕部(11)的卷芯部(21)和形成于卷芯部(21)的与轴芯平行的第一方向的端部的凸缘部(22a);端子件(30a),其具备与凸缘部(22a)嵌合的嵌合部(31)。凸缘部(22a)具有位于与凸缘部(22a)的安装面(221)平行的第二方向的一侧的第一侧面(225)和位于另一侧的第二侧面(226)。嵌合部(31)从第一侧面(225)配置到第二侧面(226),且与引出部(12a)连接。

    电路基板
    6.
    发明公开
    电路基板 审中-实审

    公开(公告)号:CN115413121A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210549351.2

    申请日:2022-05-20

    Abstract: 本发明的技术问题在于,在具有在基板上表面安装有芯片型的线圈部件的结构的电路基板中,抑制高频区域中的阻抗的降低。本发明的电路基板(1)具备:基板(10)和表面安装于基板(10)的芯片型的线圈部件(20)。基板(10)包括:分别连接于信号线(S1、S2)的焊盘图案(P1、P2)和为浮置状态的虚设焊盘图案(DP1、DP2)。线圈部件(20)包括:分别与焊盘图案(P1、P2)连接的信号端子(E1、E2)和分别与虚设焊盘图案(DP1、DP2)连接的虚设端子(DE1、DE2)。如此,由于虚设焊盘图案(DP1、DP2)为浮置状态,因此,焊盘图案(P1、P2)与接地之间的电容降低,可抑制高频区域中的阻抗的降低。而且,也可确保线圈部件(20)相对于基板(10)的安装强度。

    具备线圈部件的电路基板

    公开(公告)号:CN113345698B

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202110187598.X

    申请日:2021-02-18

    Abstract: 在具备线圈部件的电路基板中,在宽的频带中提高自谐振频率。电路基板(3)具备基板(2)和搭载于基板(2)的线圈部件(1)。线圈部件(1)具有鼓型芯(10)和卷绕于鼓型芯(10)的卷芯部(13)的绕线(W)。基板(2)具有电介质(30)和经由电介质(30)而与绕线(W)电容耦合并被赋予接地电位的电容电极(20)。这样,由于在绕线(W)与电容电极(20)之间附加电容成分,所以绕线(W)的匝之间的电容成分(线间电容)表观上减少。由此,能够在宽的频带中提高自谐振频率。

    线圈部件
    8.
    发明公开
    线圈部件 审中-实审

    公开(公告)号:CN115440459A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202210605964.3

    申请日:2022-05-31

    Abstract: 本发明提供一种能够防止绕线的端部与基板的干扰的线圈部件。线圈部件(1)具备:鼓形芯(10);固定在凸缘部(11)的端子金属件(30A);和卷绕在卷芯部(13),一端接线于端子金属件(30A)的绕线(W)。端子金属件(30A)具有:接线有绕线(W)的接线部(31);和具有弹性的安装部(32)。接线部(31)和安装部(32)在从z方向观察时与凸缘部(11)的表面(S1)重叠。表面(S1)与安装部(32)的表面(S3)的距离,比表面(S1)与接线部(31)的表面(S2)的距离更分离。由此,不会使鼓形芯(10)成为复杂的形状,并且不用在端子金属件(30A)设置突出部,而能够防止绕线(W)的端部与基板的干扰。并且,由于安装部(32)具有弹性,因此焊料不容易产生裂纹。

    线圈部件
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111489880B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202010076836.5

    申请日:2020-01-23

    Abstract: 本发明在将2根绕线多层地卷绕而成的线圈部件中降低寄生电容分量。线圈部件(1)具备卷绕于卷芯部(13)的绕线(W1、W2)。绕线(W1、W2)在卷芯部(13)上构成至少3层的卷绕层,绕线(W1、W2)的第i匝(i是1以上的整数)、第i+1匝和第i+2匝位于互相不同的卷绕层。这样,由于将匝数近的第i~第i+2匝配置于互相不同的卷绕层,因此可以防止因使匝数差大的匝彼此邻接而导致的寄生电容分量的增加。

    线圈部件
    10.
    发明公开
    线圈部件 审中-实审

    公开(公告)号:CN113380511A

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202110251201.9

    申请日:2021-03-08

    Abstract: 本发明提供一种抑制绕线的位置偏差引起的特性的变化的线圈部件。本发明的线圈部件(1)具有卷绕于卷芯部(13)的绕线(W)。卷芯部(13)包含位于凸缘部(11)侧的卷绕区域(A1)、位于凸缘部(12)侧的卷绕区域(A2)、和位于卷绕区域(A1、A2)间的卷绕区域(A3)。绕线(W)包含多匝地卷绕于卷绕区域(A1)的区间(S1)、多匝地卷绕于卷绕区域(A2)的区间(S2)、和卷绕于卷绕区域(A3)的不足1匝的区间(S3)。绕线(W)的x方向的卷绕位置的每1匝的迁移量在区间(S3)比区间(S1、S2)大。这样,由于卷绕密度低的区间(S3)不足1匝,因此难以产生绕线的位置偏差引起的特性的变化。

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