公开(公告)号：CN110385642A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910317852.6

申请日：2019-04-19

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 许惠暎 ,  徐章源 ,  尹钟旭 ,  尹晟勋 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: B24B37/26 ,  B24B37/24 ,  B24D18/00 ,  C08J5/18 ,  C08J9/236 ,  C08J9/12 ,  C08L75/04

Abstract: 本发明的实例涉及使用于半导体的化学机械平坦化(chemical mechanical planarization，CMP)工序的多孔性聚氨酯研磨垫及其制备方法，根据实例，可调节包含于上述多孔性聚氨酯研磨垫的多个气孔的大小及分布，由此可以提供具有适当的耐电压及优秀的研磨性能(研磨率)等物性提高的多孔性聚氨酯研磨垫。

公开(公告)号：CN110385641A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910305360.5

申请日：2019-04-16

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 许惠暎 ,  徐章源 ,  尹钟旭 ,  尹晟勋 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/20 ,  B24D18/00

Abstract: 本发明的实施例涉及使用于半导体的化学机械平坦化工序的多孔性研磨垫及其制备方法，根据实施例，可调节考虑包含于多孔性研磨垫的多个气孔的体积的大小及分布，由此使上述多个气孔具有特定范围的表观体积加权平均气孔直径，从而可提供研磨率等物性优秀的多孔性研磨垫。